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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN102540729B
公开(公告)日：2014-01-08
申请号：CN201110315277.X
申请日：2011-10-17
Applicant: 第一毛织株式会社
CPC classification number: G03F7/094
Abstract: 本发明提供了硬掩模组合物和形成图案的方法、以及包括图案的半导体集成电路器件。所述硬掩模组合物包括含芳环化合物和溶剂，所述含芳环化合物包括由以下化学式1表示的部分和由以下化学式2表示的部分中的至少一种。在化学式1或2中，Ar、R1至R3以及n如在详细描述中所定义。此外，提供了通过使用硬掩模组合物用于形成图案的方法、以及包括通过图案形成方法形成的多个图案的半导体集成电路器件。根据本发明的硬掩模组合物具有优异的间隙填充性能和平面化特性以及改善的耐蚀刻性和光学性能。[化学式1][化学式2]
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公开(公告)号：CN102566281A
公开(公告)日：2012-07-11
申请号：CN201110304927.0
申请日：2011-10-10
Applicant: 第一毛织株式会社
CPC classification number: H01L21/31144 , G03F7/094 , H01L21/02118 , H01L21/02282 , H01L21/0271
Abstract: 本发明提供了一种硬掩模组合物，其包含由以下化学式1表示的含芳环化合物和溶剂，在化学式1中，A、R1至R6、X1至X6、n1至n6均与说明书中具体定义的相同。本发明还提供了一种通过使用该硬掩模组合物来形成图案的方法和包括通过该图案形成方法形成的多个图案的半导体集成电路器件。本发明的硬掩模组合物能够在确保对多重蚀刻的抗性的同时，具有高蚀刻选择性和改善的光学性能。
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公开(公告)号：CN102540729A
公开(公告)日：2012-07-04
申请号：CN201110315277.X
申请日：2011-10-17
Applicant: 第一毛织株式会社
CPC classification number: G03F7/094
Abstract: 本发明提供了硬掩模组合物和形成图案的方法、以及包括图案的半导体集成电路器件。所述硬掩模组合物包括含芳环化合物和溶剂，所述含芳环化合物包括由以下化学式1表示的部分和由以下化学式2表示的部分中的至少一种。在化学式1或2中，Ar、R1至R3以及n如在详细描述中所定义。此外，提供了通过使用硬掩模组合物用于形成图案的方法、以及包括通过图案形成方法形成的多个图案的半导体集成电路器件。根据本发明的硬掩模组合物具有优异的间隙填充性能和平面化特性以及改善的耐蚀刻性和光学性能。[化学式1][化学式2]
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公开(公告)号：CN102227458A
公开(公告)日：2011-10-26
申请号：CN200980148064.3
申请日：2009-12-01
Applicant: 第一毛织株式会社
CPC classification number: C08L65/00 , C08G61/02 , C08G73/1039 , C08G73/1067 , C08G2261/3424 , C08L79/08 , G03F7/091 , G03F7/094
Abstract: 本发明提供一种用于平版印刷方法的具有良好抗反射性的下层组合物。该组合物具有优异的光学特性、机械特性，及蚀刻选择性，且可使用旋涂方法涂敷。有利地，该组合物可应用于短波长平版印刷方法并显示最少的剩余酸。
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公开(公告)号：CN101470352A
公开(公告)日：2009-07-01
申请号：CN200810187921.8
申请日：2008-12-23
Applicant: 第一毛织株式会社
IPC: G03F7/09
CPC classification number: G03F7/091
Abstract: 本发明提供了一种具有抗反射性能的硬掩模组合物。该硬掩模组合物适合用于平版印刷术，提供了优异的光学和机械性能，并表现出高的蚀刻选择性。另外，通过旋涂技术能够容易地施加该硬掩模组合物。使用硬掩模组合物形成的硬掩模层可与集成电路制造工艺相容。有利地，该硬掩模组合物用于短波长平版印刷术。具有抗反射性能的硬掩模组合物及采用该组合物图案化材料的方法。
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