公开(公告)号：CN107567651B

公开(公告)日：2020-12-29

申请号：CN201680024057.2

申请日：2016-04-25

Applicant: 索尼公司

Inventor： 御手洗俊 ,  柳川周作 ,  尾崎裕司

IPC: H01L21/48 ,  H05K3/42

Abstract: 提供一种用于制造具有贯通电极的布线基板的方法，该方法包括：提供具有通孔的器件基板，该通孔的开口被电流供给路径阻挡，并且布线基板包括作为具有贯通电极的核心层的器件基板；以及通过使用电流供给路径在通孔的深度方向上电镀而在通孔中布置第一金属，以形成贯通电极。

公开(公告)号：CN101997506B

公开(公告)日：2015-09-16

申请号：CN201010243766.4

申请日：2010-08-02

Applicant: 索尼公司

Inventor： 秋叶朗 ,  御手洗俊 ,  池田浩一

IPC: H03H7/09

CPC classification number: H01L23/5227 ,  H01L23/5223 ,  H01L23/5228 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/09701 ,  H01L2924/3011 ,  H03H7/0115 ,  H03H7/175 ,  H03H7/1775 ,  H03H2001/0064 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明提供一种高频装置，其能够抑制涡流电流和寄生电容的产生，并且显示出优异的高频特性。该高频装置包括：具有凹陷的基板；该基板之上的电介质层；以及多个电子元件，提供在电介质层中或者电介质层上，并且多个电子元件中的至少一个相对于该凹陷。

公开(公告)号：CN102005439B

公开(公告)日：2013-05-29

申请号：CN201010258686.6

申请日：2010-08-20

Applicant: 索尼公司

Inventor： 御手洗俊 ,  外崎峰广 ,  池田浩一

IPC: H01L25/00 ,  H01P1/203

CPC classification number: H01F17/0006 ,  H01F2017/0046 ,  H01L2224/16225

Abstract: 本发明公开了具有机械强度得到提高的隔膜结构的高频器件。所述高频器件包括：基板，它具有开口；第一介电层，它由对所述基板的材料具有蚀刻选择性的材料形成，并被设置在所述基板上且覆盖所述开口；第二介电层，它位于所述第一介电层上；以及高频元件，它被设置在所述第二介电层上与所述开口相对的位置处。因此，提高了机械强度，并且提高了制造产率。