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公开(公告)号：CN119497818A
公开(公告)日：2025-02-21
申请号：CN202380052302.0
申请日：2023-05-17
Applicant: 罗伯特·博世有限公司
Abstract: 根据本发明的微机械压力传感器具有第一膜类型的至少一个膜，借助于所述膜能够检测第一压力范围内的第一压力传感器参量。为了使膜能够弯曲，第一膜构造在尤其由半导体材料制成的衬底中/上的第一空腔上方。在该衬底中/上，第二膜类型的至少一个第二膜构造在第二空腔上方，借助该第二膜能够检测第二压力范围内的第二压力传感器参量。在此，两种膜类型构型为，使得其弯曲特性分别产生在不同压力范围内求取的压力传感器参量。在此设置，不同的压力范围能够部分重叠。本发明的核心在于，通过至少一个第一膜和至少一个第二膜在至少一个横向方向上的几何延展的不同构型引起不同膜类型的膜的不同弯曲特性。此外还设置，第一膜类型的膜下方的至少一个空腔和第二膜类型的膜下方的空腔借助压力补偿通道互相连接。
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公开(公告)号：CN118265670A
公开(公告)日：2024-06-28
申请号：CN202280076996.7
申请日：2022-08-08
Applicant: 罗伯特·博世有限公司
Inventor： H·韦伯 , P·施莫尔林格鲁贝尔 , T·弗里德里希
IPC: B81C1/00
Abstract: 微机械构件(100)，具有：‑衬底(1)；‑布置在衬底(1)上的至少一个第一氧化物层(2)；和‑直接布置在所述至少一个第一氧化物层(2)上的蚀刻停止层(3)；其中，在所述蚀刻停止层(3)的下侧上布置有另外的布线平面(10)。
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公开(公告)号：CN114538365A
公开(公告)日：2022-05-27
申请号：CN202111413608.3
申请日：2021-11-25
Applicant: 罗伯特·博世有限公司
Abstract: 一种微机械构件(100)，其具有：‑覆盖元件(10)；‑布置在所述覆盖元件(10)的下方的腔体(20)；‑至少一个垂直蚀刻通道(11)，其布置在所述覆盖元件(10)的锚固结构之外；‑至少一个横向蚀刻通道(12a...12n)，其从所述至少一个垂直蚀刻通道(11)出发设置在蚀刻停止层(3)的下方和所述腔体(20)的下方并布置在所述蚀刻停止层(3)与硅衬底(1)之间；和‑至少一个通路蚀刻通道(3a1...3an)，其构造在所述至少一个横向蚀刻通道(12a...12n)与所述腔体(20)之间。
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公开(公告)号：CN113227742A
公开(公告)日：2021-08-06
申请号：CN201980085192.1
申请日：2019-12-18
Applicant: 罗伯特·博世有限公司
Abstract: 本发明涉及一种用于电容式压力传感器设备的微机械构件，所述微机械构件具有膜片，所述膜片借助框架结构(12)如此展开，使得所述膜片(18)的自支承区域(20)跨越所包围的部分表面(16)，所述微机械构件还具有加固结构(22)，所述加固结构构造在所述自支承区域(20)上，其中，能够定义平行于所包围的部分表面(16)取向的第一空间方向(x)，在所述第一空间方向上，所述自支承区域(20)具有最小延伸(I1)，并且能够定义平行于所包围的部分表面(16)且垂直于所述第一空间方向(x)取向的第二空间方向(y)，在所述第二空间方向上，所述自支承区域(20)具有更大的延伸(I2)，其中，所述加固结构(22)以在所述第一空间方向(x)上相对于所述框架结构(12)隔开第一间距(a1)且在所述第二空间方向(y)上隔开第二间距(a2)的形式存在，其中，所述第二间距(a2)大于所述第一间距(a1)。
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公开(公告)号：CN113195402A
公开(公告)日：2021-07-30
申请号：CN201980085028.0
申请日：2019-12-13
Applicant: 罗伯特·博世有限公司
IPC: B81C1/00
Abstract: 本发明提供一种用于封闭MEMS元件中的进口部的方法，该方法包括下述步骤：‑提供具有功能区域的功能层，‑借助于在功能层的功能区域之外的第一进口部在功能层的功能区域的下方制造空腔，‑封闭第一进口部，‑在功能层的功能区域之外制造通向空腔的第二进口部，‑熔化在第二进口部的区域中的封闭材料，和‑冷却已熔化的封闭材料，用以封闭第二进口部。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN110785375A
公开(公告)日：2020-02-11
申请号：CN201880041909.8
申请日：2018-06-14
Applicant: 罗伯特·博世有限公司
IPC: B81C1/00 , H01L21/768 , H01L23/00 , H01L23/532 , B81B7/00
Abstract: 本发明建立键合垫层系统(1)、气体传感器和用于耐高温的键合垫层系统(1)的制造方法。键合垫层系统(1)沉积在作为基底的半导体芯片、例如微机械半导体芯片(11)上，在该微机械半导体芯片中集成有由介电层(13、14)组成的至少一个悬置的介电膜片、铂印制导线(10)和由铂制成的加热件(15)。在此，首先进行钽层(6)的沉积，在该钽层上进行第一铂层(5)的沉积，在该第一铂层上进行氮化钽层(4)的沉积，在该氮化钽层上进行第二铂层(3)的沉积，并且在该第二铂层上进行金层(2)的沉积，其中，在金层(2)中构造用于与键合线(8a)连接的至少一个键合垫(8)。键合垫(8)基本上位于半导体芯片(11)上的接触孔(9)的区域中和/或位于该区域外部，在该区域中借助于环形接触部实现引导至加热件(15)的铂印制导线(10)的连接。
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公开(公告)号：CN103771334B
公开(公告)日：2018-08-03
申请号：CN201310756912.7
申请日：2013-10-25
Applicant: 罗伯特·博世有限公司
IPC: B81B7/02
CPC classification number: B81C1/00246 , B81C1/0023 , B81C2203/075 , B81C2203/0771 , H01L2224/48463
Abstract: 提出用于具有至少个MEMS构件(10)并且具有至少个由半导体材料制成的罩(20)的部件(100)的措施,通过所述措施能够使得所述罩(20)除其作为空腔的封闭和微机械结构的保护的机械功能之外,配备有电功能。这种部件(100)的MEMS构件(10)的微机械结构设置在载体(1)与所述罩(20)之间的空腔中,并且包括至少个结构元件(11),所述至少个结构元件能够在空腔内从构件层面向外偏转。根据本发明,所述罩(20)应包括至少个在所述罩(20)的整个厚度上延伸的区段(21,22),所述至少个区段与相邻的半导体材料电绝缘,使得其能够与所述罩(20)的其余区段无关地电接通。
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公开(公告)号：CN103771334A
公开(公告)日：2014-05-07
申请号：CN201310756912.7
申请日：2013-10-25
Applicant: 罗伯特·博世有限公司
IPC: B81B7/02
CPC classification number: B81C1/00246 , B81C1/0023 , B81C2203/075 , B81C2203/0771 , H01L2224/48463
Abstract: 提出用于具有至少一个MEMS构件(10)并且具有至少一个由半导体材料制成的罩(20)的部件(100)的措施，通过所述措施能够使得所述罩(20)除其作为空腔的封闭和微机械结构的保护的机械功能之外，配备有电功能。这种部件(100)的MEMS构件(10)的微机械结构设置在载体(1)与所述罩(20)之间的空腔中，并且包括至少一个结构元件(11)，所述至少一个结构元件能够在空腔内从构件层面向外偏转。根据本发明，所述罩(20)应包括至少一个在所述罩(20)的整个厚度上延伸的区段(21，22)，所述至少一个区段与相邻的半导体材料电绝缘，使得其能够与所述罩(20)的其余区段无关地电接通。
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公开(公告)号：CN103771333A
公开(公告)日：2014-05-07
申请号：CN201310507867.1
申请日：2013-10-24
Applicant: 罗伯特·博世有限公司
IPC: B81B7/02
CPC classification number: B81C1/00015 , B81B3/0018 , B81B7/0058
Abstract: 本发明提出一种用于罩的制造方法，通过所述方法在具有MEMS构件的垂直混合集成部件的框架中不仅可以实现具有低空穴内压的相对较大的空穴容积而且可以实现MEMS构件的微机械结构的可靠过载保护。按照本发明，在多级的各向异性的刻蚀工艺中在面状的罩衬底中产生罩结构，所述罩结构包括至少一个装配框和罩内侧上的至少一个止挡结构，所述至少一个装配框具有至少一个装配面，所述至少一个止挡结构具有至少一个止挡面，其中，对于多级的各向异性的刻蚀工艺以至少两个由不同材料构成的掩蔽层掩蔽罩衬底的表面；其中，如此选择至少两个掩蔽层的布局和刻蚀步骤的数量和持续时间，使得装配面、止挡面和罩内侧位于罩结构的不同的面水平上。
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公开(公告)号：CN103515352A
公开(公告)日：2014-01-15
申请号：CN201310421157.7
申请日：2013-06-09
Applicant: 罗伯特·博世有限公司
IPC: H01L23/522 , H01L23/64 , H01L21/768 , H01L21/60
CPC classification number: H01L23/481 , H01L21/7682 , H01L21/76898 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 本发明涉及一种用于制造构件的方法和具有带有敷镀通孔的半导体衬底的构件，其中，敷镀通孔被空槽围绕，其中，半导体衬底在一个面上具有第一层，其中，第一层在该第一面上覆盖空槽，其中，半导体衬底在第二面上具有第二层，其中，第二层在该第二面上覆盖空槽，其特征在于，敷镀通孔被环形结构围绕，其中，环形结构由半导体衬底制成并且所述围绕该环形结构的空槽被优选在与用于敷镀通孔的空槽相同的过程步骤中或者说同步／同时地制成。
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