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公开(公告)号：CN118139810A
公开(公告)日：2024-06-04
申请号：CN202280070850.1
申请日：2022-10-19
Applicant: 罗伯特·博世有限公司
Inventor： H·韦伯 , S·马赫 , P·施莫尔林格鲁贝尔
Abstract: 本发明涉及一种用于传感器装置或者麦克风装置的微机械构件，该微机械构件具有能调整地布置在凹腔(98)上和/或其中的、由硅制成的致动器电极(46)和布置在所述凹腔(98)中的、由硅制成的定子电极(52)，所述定子电极紧固在绝缘层(70)上，在凹腔(98)中存在真空或者至少一种气体，绝缘层(70)至少在定子电极(52)的远离致动器电极(46)定向的侧上限界凹腔(98)，定子电极(52)通过至少一个穿过绝缘层(70)伸出的、由硅制成的支撑结构(72)紧固在绝缘层(70)上，使得在定子电极(52)和绝缘层(70)之间存在至少一个中间间隙(100)，所述中间间隙具有真空或者凹腔(98)的至少一种气体。
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公开(公告)号：CN113661384B
公开(公告)日：2024-07-30
申请号：CN202080028172.3
申请日：2020-03-26
Applicant: 罗伯特·博世有限公司
Abstract: 本发明实现一种传感器装置(1)，包括：衬底(2)；在衬底上的至少一个电气绝缘层(30、31)；边缘结构(RS)，该边缘结构设置在该至少一个电气绝缘层(30、31)上且在衬底(2)之上限制内部区域(IB)；隔膜(3)，该隔膜锚定在边缘结构(RS)上且至少部分跨越内部区域(IB)，其中隔膜(3)在内部区域(IB)中包括通过压力(p)可动的区域(BB)；第一中间载体(ZT1)，该第一中间载体在可动的区域(BB)中在隔膜(3)之下延伸且与隔膜(3)通过接触部位(KS)电气和机械连接且包括至少一个间隔元件(3a)，该间隔元件由中间载体(ZT1)朝衬底(2)的方向延伸；以及在该至少一个电气绝缘层(30、31)上的第一对应电极(E1)，其中该第一对应电极(E1)在中间载体(ZT1)之下延伸，且其中在中间载体(ZT1)与第一对应电极(E1)之间的第一间隔(d12)通过到可动的区域(BB)上的压力(p)是可改变的；且其中第一对应电极(E1)在中间载体(ZT1)之下包括至少一个电气隔离的区域(EB)，该电气隔离的区域设置在间隔元件(3a)之下且具有间隔元件(3a)的至少一个横向扩展。
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公开(公告)号：CN116615389A
公开(公告)日：2023-08-18
申请号：CN202180074015.0
申请日：2021-10-06
Applicant: 罗伯特·博世有限公司
IPC: B81C1/00
Abstract: 一种微机械结构元件(100)，所述微机械结构元件具有：‑膜片(10)；其中，‑所述膜片(10)在至少一个锚结构(13)的区域中和/或在至少一个连接结构(14)的区域中具有至少一个增强结构(20)，所述增强结构在几何形状方面以定义的方式构造，借助所述增强结构以定义的方式增强所述膜片(10)。
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公开(公告)号：CN116583727A
公开(公告)日：2023-08-11
申请号：CN202180078927.5
申请日：2021-11-15
Applicant: 罗伯特·博世有限公司
Inventor： P·施莫尔林格鲁贝尔 , T·弗里德里希 , H·韦伯 , A·朔伊尔勒
IPC: G01L19/00
Abstract: 本发明涉及一种传感器装置，其具有：壳体部件(50)，该壳体部件具有构造在其中的、气密地封闭的内部容积(52)；至少一个电极结构(60)，该电极结构能调整地和/或能弯曲地布置在内部容积(52)中；至少一个固定地布置在壳体部件(50)上和/或中的电极(62)；和电子装置(64)，该电子装置设计和/或编程用于将至少一个激励电压信号(Ua)施加在至少一个电极结构(60)和唯一对应电极(62)或者对应电极(62)中的至少一个之间，使得至少一个电极结构(60)相对于壳体部件(50)处于振动运动状态，电子装置(64)还设计和/或编程用于在考虑至少一个传感器信号(S)的情况下证明和/或确定在内部容积(52)中存在的内部压力(pi)和/或内部压力(pi)的变化，至少一个传感器信号取决于作用在至少一个电极结构(60)和唯一的对应电极(62)或对应电极(62)中的至少一个之间的电压或电容。
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公开(公告)号：CN116438136A
公开(公告)日：2023-07-14
申请号：CN202180070565.5
申请日：2021-09-30
Applicant: 罗伯特·博世有限公司
IPC: B81C1/00
Abstract: 本发明涉及一种用于传感器设备或者麦克风设备的微机械构件的制造方法，具有以下步骤：在衬底(12)的衬底表面(12a)上由第一牺牲材料形成支撑结构(10)，支撑结构具有第一牺牲材料层(14)、多个通过第一牺牲材料层(14)结构化的蚀刻孔(16)和多个伸入到衬底(12)中的支撑柱(18)，将由支撑结构(10)跨越的至少一个空腔(22)蚀刻到衬底表面(12a)中，由至少一个半导体材料在支撑结构(10)的第一牺牲材料层(14)上或上方形成膜片(30)，将层堆叠(34)沉积，层堆叠(34)包括至少一个牺牲层(36a，36b)和至少一个对电极(38)，通过至少部分地移除至少支撑结构(10)和至少一个牺牲层(36a，36b)，释放膜片(30)。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN118541767A
公开(公告)日：2024-08-23
申请号：CN202380017019.4
申请日：2023-01-09
Applicant: 罗伯特·博世有限公司
Inventor： P·施莫尔林格鲁贝尔 , M·刘易斯 , J·赖因穆特 , B·克莱因
Abstract: 本发明涉及一种微机电系统继电器(100)的接触元件(10a…10n)，具有大于一个的限定数量的导电的接触体(1a…1n)，其中，所述接触体(1a…1n)至少部分地布置在能导电的可塑性变形层(2)内，其中，所述可塑性变形层的硬度低于所述接触体的硬度，其中，通过加载压力到所述接触体(1a…1n)上，能够将所述接触体(1a…1n)压入到所述可塑性变形层中并且能够达到基本上一致的高度水平，并且其中，非弹性层(2)至少部分地布置在绝缘层(4)内。
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公开(公告)号：CN118265670A
公开(公告)日：2024-06-28
申请号：CN202280076996.7
申请日：2022-08-08
Applicant: 罗伯特·博世有限公司
Inventor： H·韦伯 , P·施莫尔林格鲁贝尔 , T·弗里德里希
IPC: B81C1/00
Abstract: 微机械构件(100)，具有：‑衬底(1)；‑布置在衬底(1)上的至少一个第一氧化物层(2)；和‑直接布置在所述至少一个第一氧化物层(2)上的蚀刻停止层(3)；其中，在所述蚀刻停止层(3)的下侧上布置有另外的布线平面(10)。
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公开(公告)号：CN112789240B
公开(公告)日：2023-12-01
申请号：CN201980065389.9
申请日：2019-09-24
Applicant: 罗伯特·博世有限公司
Abstract: 凸模结构至少部分被所述共晶合金包围。本发明涉及一种用于在第一晶片和第二晶片之间建立晶片连接的方法，所述方法包括以下步骤：‑提供第一材料和第二材料以形成共晶合金，‑提供第一晶片，该第一晶片具有用于凸模结构的接收结构，‑用所述第一材料填充所述接收结构，‑提供具有凸模结构的第二晶片，其中，在所述凸模结构上布置所述第二材料，‑提供在第一晶片和/或第二晶片上的止挡结构，使得在这两个晶片接合时提供限定的止挡，‑至少将所述第一材料和第二材料至少加热到所述共晶合金的共晶温度，‑将所述第一晶片和第二晶片接合，使得所述凸模结构至少部分地插入到所述接收结构中，其中，确定所述止挡结构、所述接收结构、所述凸模结构的尺寸以及第一材料和第二材
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公开(公告)号：CN113227742A
公开(公告)日：2021-08-06
申请号：CN201980085192.1
申请日：2019-12-18
Applicant: 罗伯特·博世有限公司
Abstract: 本发明涉及一种用于电容式压力传感器设备的微机械构件，所述微机械构件具有膜片，所述膜片借助框架结构(12)如此展开，使得所述膜片(18)的自支承区域(20)跨越所包围的部分表面(16)，所述微机械构件还具有加固结构(22)，所述加固结构构造在所述自支承区域(20)上，其中，能够定义平行于所包围的部分表面(16)取向的第一空间方向(x)，在所述第一空间方向上，所述自支承区域(20)具有最小延伸(I1)，并且能够定义平行于所包围的部分表面(16)且垂直于所述第一空间方向(x)取向的第二空间方向(y)，在所述第二空间方向上，所述自支承区域(20)具有更大的延伸(I2)，其中，所述加固结构(22)以在所述第一空间方向(x)上相对于所述框架结构(12)隔开第一间距(a1)且在所述第二空间方向(y)上隔开第二间距(a2)的形式存在，其中，所述第二间距(a2)大于所述第一间距(a1)。
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公开(公告)号：CN113195402A
公开(公告)日：2021-07-30
申请号：CN201980085028.0
申请日：2019-12-13
Applicant: 罗伯特·博世有限公司
IPC: B81C1/00
Abstract: 本发明提供一种用于封闭MEMS元件中的进口部的方法，该方法包括下述步骤：‑提供具有功能区域的功能层，‑借助于在功能层的功能区域之外的第一进口部在功能层的功能区域的下方制造空腔，‑封闭第一进口部，‑在功能层的功能区域之外制造通向空腔的第二进口部，‑熔化在第二进口部的区域中的封闭材料，和‑冷却已熔化的封闭材料，用以封闭第二进口部。
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