公开(公告)号：CN113661384B

公开(公告)日：2024-07-30

申请号：CN202080028172.3

申请日：2020-03-26

Applicant: 罗伯特·博世有限公司

Inventor： H·阿尔特曼 ,  V·森兹 ,  T·弗里德里希 ,  C·赫尔梅斯 ,  P·施莫尔林格鲁贝尔 ,  H·韦伯

IPC: G01L9/00 ,  G01L19/06

Abstract: 本发明实现一种传感器装置(1)，包括：衬底(2)；在衬底上的至少一个电气绝缘层(30、31)；边缘结构(RS)，该边缘结构设置在该至少一个电气绝缘层(30、31)上且在衬底(2)之上限制内部区域(IB)；隔膜(3)，该隔膜锚定在边缘结构(RS)上且至少部分跨越内部区域(IB)，其中隔膜(3)在内部区域(IB)中包括通过压力(p)可动的区域(BB)；第一中间载体(ZT1)，该第一中间载体在可动的区域(BB)中在隔膜(3)之下延伸且与隔膜(3)通过接触部位(KS)电气和机械连接且包括至少一个间隔元件(3a)，该间隔元件由中间载体(ZT1)朝衬底(2)的方向延伸；以及在该至少一个电气绝缘层(30、31)上的第一对应电极(E1)，其中该第一对应电极(E1)在中间载体(ZT1)之下延伸，且其中在中间载体(ZT1)与第一对应电极(E1)之间的第一间隔(d12)通过到可动的区域(BB)上的压力(p)是可改变的；且其中第一对应电极(E1)在中间载体(ZT1)之下包括至少一个电气隔离的区域(EB)，该电气隔离的区域设置在间隔元件(3a)之下且具有间隔元件(3a)的至少一个横向扩展。

公开(公告)号：CN116615389A

公开(公告)日：2023-08-18

申请号：CN202180074015.0

申请日：2021-10-06

Applicant: 罗伯特·博世有限公司

Inventor： P·施莫尔林格鲁贝尔 ,  T·弗里德里希 ,  S·马赫 ,  H·韦伯 ,  J·弗里茨 ,  A·朔伊尔勒

IPC: B81C1/00

Abstract: 一种微机械结构元件(100)，所述微机械结构元件具有：‑膜片(10)；其中，‑所述膜片(10)在至少一个锚结构(13)的区域中和/或在至少一个连接结构(14)的区域中具有至少一个增强结构(20)，所述增强结构在几何形状方面以定义的方式构造，借助所述增强结构以定义的方式增强所述膜片(10)。

公开(公告)号：CN116583727A

公开(公告)日：2023-08-11

申请号：CN202180078927.5

申请日：2021-11-15

Applicant: 罗伯特·博世有限公司

Inventor： P·施莫尔林格鲁贝尔 ,  T·弗里德里希 ,  H·韦伯 ,  A·朔伊尔勒

IPC: G01L19/00

Abstract: 本发明涉及一种传感器装置，其具有：壳体部件(50)，该壳体部件具有构造在其中的、气密地封闭的内部容积(52)；至少一个电极结构(60)，该电极结构能调整地和/或能弯曲地布置在内部容积(52)中；至少一个固定地布置在壳体部件(50)上和/或中的电极(62)；和电子装置(64)，该电子装置设计和/或编程用于将至少一个激励电压信号(Ua)施加在至少一个电极结构(60)和唯一对应电极(62)或者对应电极(62)中的至少一个之间，使得至少一个电极结构(60)相对于壳体部件(50)处于振动运动状态，电子装置(64)还设计和/或编程用于在考虑至少一个传感器信号(S)的情况下证明和/或确定在内部容积(52)中存在的内部压力(pi)和/或内部压力(pi)的变化，至少一个传感器信号取决于作用在至少一个电极结构(60)和唯一的对应电极(62)或对应电极(62)中的至少一个之间的电压或电容。

公开(公告)号：CN116438136A

公开(公告)日：2023-07-14

申请号：CN202180070565.5

申请日：2021-09-30

Applicant: 罗伯特·博世有限公司

Inventor： U·席勒 ,  P·施莫尔林格鲁贝尔 ,  T·弗里德里希 ,  H·韦伯 ,  A·朔伊尔勒 ,  H·阿尔特曼

IPC: B81C1/00

Abstract: 本发明涉及一种用于传感器设备或者麦克风设备的微机械构件的制造方法，具有以下步骤：在衬底(12)的衬底表面(12a)上由第一牺牲材料形成支撑结构(10)，支撑结构具有第一牺牲材料层(14)、多个通过第一牺牲材料层(14)结构化的蚀刻孔(16)和多个伸入到衬底(12)中的支撑柱(18)，将由支撑结构(10)跨越的至少一个空腔(22)蚀刻到衬底表面(12a)中，由至少一个半导体材料在支撑结构(10)的第一牺牲材料层(14)上或上方形成膜片(30)，将层堆叠(34)沉积，层堆叠(34)包括至少一个牺牲层(36a，36b)和至少一个对电极(38)，通过至少部分地移除至少支撑结构(10)和至少一个牺牲层(36a，36b)，释放膜片(30)。

公开(公告)号：CN103420332B

公开(公告)日：2017-07-18

申请号：CN201310294306.8

申请日：2013-04-22

Applicant: 罗伯特·博世有限公司

Inventor： J·克拉森 ,  H·韦伯

IPC: B81C3/00 ,  B81B1/00 ,  B81B7/02 ,  G01P15/08

CPC classification number: B81B7/008 ,  B81C1/00238 ,  B81C1/00246 ,  B81C3/001 ,  B81C2203/0735 ,  B81C2203/0771 ,  B81C2203/0785 ,  H01L2924/1433

Abstract: 本发明提出了用于混合集成的构件的制造方法。混合集成的构件应当包括至少两个MEMS结构元件(120、220)，至少两个MEMS结构元件分别配置有至少一个ASIC结构元件(110、210)。根据本发明，彼此无关地产生两个MEMS/ASIC晶圆堆叠(100、200)，其方式是，彼此无关地处理两个ASIC基底(110、210)；在两个ASIC基底中的每个ASIC基底的经处理的表面上装配一半导体基底(120、220)；然后在两个半导体基底(120、220)中的每个上产生一微机械结构。然后，两个MEMS/ASIC晶圆堆叠(100、200)以MEMS对MEMS的方式相叠地装配。然后才分离出多个构件。

公开(公告)号：CN103449351B

公开(公告)日：2016-11-30

申请号：CN201310176764.1

申请日：2013-05-14

Applicant: 罗伯特·博世有限公司

Inventor： H·韦伯 ,  F·菲舍尔 ,  M·哈塔斯 ,  Y·贝格曼

IPC: B81B7/00 ,  B81C1/00

Abstract: 本发明涉及混合集成部件及其制造方法，所述部件具有MEMS构件（10）、构件（10）的微机械结构（131）的罩（11）及ASIC衬底（20）。微机械结构（131）在SOI晶片（10）的功能层（13）中实现。构件（10）面朝下以功能层（13）装配在ASIC衬底（20）上并且罩在SOI晶片（10）的衬底中实现。衬底（20）包括两侧设有层结构的初始衬底（21）。在MEMS侧的层结构中及衬底（20）的背侧的层结构中实现电路层面（1，2，3，4）。在衬底（20）中构造有ASIC覆镀通孔（29），其从部件（100）背侧出发电接触背侧的层结构的电路层面（3）和/或MEMS侧的层结构的电路层面（1）。

公开(公告)号：CN102459061B

公开(公告)日：2015-02-18

申请号：CN201080024287.1

申请日：2010-04-07

Applicant: 罗伯特·博世有限公司

Inventor： J·贡斯卡 ,  H·韦伯

IPC: B81C1/00

CPC classification number: B81C1/00269 ,  B81B7/0029 ,  B81C2203/0118 ,  B81C2203/019 ,  B81C2203/035 ,  Y10T428/24802

Abstract: 本发明涉及一种用于制造微机械元件的方法。所述方法包括提供第一衬底(100)，提供第二衬底(200)，在第二衬底(200)上构造突出的结构元件(240)以及通过所述突出的结构元件(240)连接第一衬底和第二衬底(100，200)。所述方法的特征在于，连接第一衬底和第二衬底(100，200)包括共晶键合。本发明还涉及一种微机械元件，其中，第一衬底和第二衬底(100，200)彼此连接。

公开(公告)号：CN103787260A

公开(公告)日：2014-05-14

申请号：CN201310511826.X

申请日：2013-10-25

Applicant: 罗伯特·博世有限公司

Inventor： J·贡斯卡 ,  J·赖因穆特 ,  K·古切 ,  J·弗莱 ,  H·韦伯

IPC: B81B3/00 ,  B81C1/00 ,  G01C19/5656 ,  G01P15/00

CPC classification number: B81C1/00285 ,  B81B7/02 ,  B81B2201/0235 ,  B81B2201/0242 ,  B81B2207/096 ,  B81C2203/0118 ,  B81C2203/035

Abstract: 本发明涉及一种微机械构件（100），所述微机械构件具有第一腔室（1）和第二腔室（3），在所述第一腔室中设置有第一传感器（2），在所述第二腔室中设置有第二传感器（4），其中，在所述第一腔室中和所述第二腔室中存在不同的压力，其特征在于，所述两个腔室（1，3）之一通过第三腔室（5）延伸至第一格栅结构（6），所述第一格栅结构设置在所述构件（100）的边缘区域中并且基本上严密密封地封闭。

公开(公告)号：CN120057843A

公开(公告)日：2025-05-30

申请号：CN202411709089.9

申请日：2024-11-27

Applicant: 罗伯特·博世有限公司

Inventor： F·罗尔夫林 ,  H·韦伯 ,  P·施莫尔格鲁贝尔 ,  S·马赫

IPC: B81B7/02 ,  B81B7/00 ,  B81C1/00

Abstract: 本发明涉及一种微电子机械传感器(1)，其具有带有传感器结构(3)和盖基底(4)的传感器基底(2)，在盖基底(4)和传感器基底(2)之间至少在所述传感器结构(3)的区域中构造有第一腔区域(5)，其中，所述盖基底(4)具有至少一个通道(6)，所述至少一个通道(6)从所述盖基底(4)的第一侧(7)出发穿过所述盖基底(4)延伸到第一腔区域(5)中，其中，所述盖基底(4)在所述第一侧(7)上邻接到所述通道(6)地具有一区域(8)，其中，至少所述区域(8)设有疏水的表面涂层(9)。本发明还包括一种用于制造微电子机械传感器的方法(100)。

公开(公告)号：CN119984579A

公开(公告)日：2025-05-13

申请号：CN202411579015.8

申请日：2024-11-07

Applicant: 罗伯特·博世有限公司

Inventor： H·韦伯 ,  F·罗尔夫林 ,  P·施莫尔格鲁贝尔 ,  S·马赫

IPC: G01L1/14 ,  B81B7/02 ,  B81C1/00 ,  G01L9/00 ,  G01L9/12

Abstract: 一种微电子机械压力传感器(1)，其具有：衬底(2)，该衬底具有布置在其上的层系统(3)；借助于至少一个悬挂结构(4)悬挑式紧固在层系统(3)上的传感器结构(5)，其具有第一膜结构(6)和第二膜结构(7)，在其之间构造空穴区域(8)，布置在空穴区域中的第一测量电极紧固在第一膜结构上以及布置在空穴区域中的第二测量电极紧固在第二膜结构上，第一和第二测量电极在空穴区域中形成测量电容；帽结构(11)，该帽结构限界压力测量室(12)，传感器结构(5)悬挑式布置在该压力测量室中；和至压力测量室的至少一个压力进入通道(13)，该至少一个压力进入通道延伸穿过衬底。一种用于制造这种微电子机械压力传感器的方法。