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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN104969045A
公开(公告)日：2015-10-07
申请号：CN201380054956.3
申请日：2013-08-20
IPC: G01J5/02 , G01J5/20 , H01L27/144
CPC classification number: H01L31/02019 , G01J5/023 , G01J5/0235 , G01J5/024 , G01J5/20 , G01J2005/204 , H01L27/1446
Abstract: 一种用于制造半导体装置的方法包括在互补金属氧化物半导体(CMOS)工艺期间在衬底(100)上形成至少一个牺牲层(106，108，110)。在所述至少一个牺牲层的顶部上沉积吸收体层(130)。去除所述至少一个牺牲层(106，108，110)的在所述吸收体层下方的一部分以形成间隙(G1)，所述吸收体层的一部分悬挂在所述间隙上方。所述牺牲层能够是CMOS工艺的氧化物，所述氧化物被利用选择性氢氟酸气相干式蚀刻释放工艺去除以形成间隙。所述牺牲层也能够是聚合物层，其中，所述聚合物层被利用氧气等离子体蚀刻工艺去除以形成间隙。
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公开(公告)号：CN104755890A
公开(公告)日：2015-07-01
申请号：CN201380055299.4
申请日：2013-08-22
Applicant: 罗伯特·博世有限公司 , A·萨马奥 , G·奥布赖恩
CPC classification number: G01J5/20 , G01J5/0853
Abstract: 一种半导体传感器包括衬底和吸收体。所述衬底包括至少一个反射部件。所述吸收体与所述至少一个反射部件间隔开一距离。所述吸收体限定多个开口，所述多个开口中的每一个具有小于或等于所述距离的最大宽度。
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公开(公告)号：CN104969045B
公开(公告)日：2018-08-21
申请号：CN201380054956.3
申请日：2013-08-20
IPC: G01J5/02 , G01J5/20 , H01L27/144
CPC classification number: H01L31/02019 , G01J5/023 , G01J5/0235 , G01J5/024 , G01J5/20 , G01J2005/204 , H01L27/1446
Abstract: 一种用于制造半导体装置的方法包括在互补金属氧化物半导体(CMOS)工艺期间在衬底(100)上形成至少一个牺牲层(106，108，110)。在所述至少一个牺牲层的顶部上沉积吸收体层(130)。去除所述至少一个牺牲层(106，108，110)的在所述吸收体层下方的一部分以形成间隙(G1)，所述吸收体层的一部分悬挂在所述间隙上方。所述牺牲层能够是CMOS工艺的氧化物，所述氧化物被利用选择性氢氟酸气相干式蚀刻释放工艺去除以形成间隙。所述牺牲层也能够是聚合物层，其中，所述聚合物层被利用氧气等离子体蚀刻工艺去除以形成间隙。
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公开(公告)号：CN104541141A
公开(公告)日：2015-04-22
申请号：CN201380014227.5
申请日：2013-02-14
Applicant: 罗伯特·博世有限公司 , G·奥布赖恩 , A·格雷厄姆
IPC: G01L9/00
CPC classification number: B81B3/0021 , B81C1/00158 , G01L9/0073
Abstract: 在一个实施例中，一种传感器装置包括：体硅层；第一掺杂物类型的所述体硅层的第一掺杂区；第二掺杂物类型的所述体硅层的第二掺杂区，其中所述第一掺杂物类型是不同于所述第二掺杂物类型的掺杂物类型，所述第二掺杂区位于所述体硅层的上表面，并且具有由所述第一掺杂区界定的第一掺杂部分；在所述第二掺杂区正上方的第一腔部分；和在外延层中形成的上电极，所述上电极处于所述第一腔部分正上方。
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公开(公告)号：CN104145185A
公开(公告)日：2014-11-12
申请号：CN201280060813.9
申请日：2012-11-09
Applicant: 罗伯特·博世有限公司 , G·奥布赖恩
Inventor： G·奥布赖恩
IPC: G01P15/125
CPC classification number: G01P15/125 , B81B3/0051 , B81B2201/0235 , G01P2015/0871 , G01P2015/0874
Abstract: 微机电系统(MEMS)包括衬底、位于衬底表面上方位置的第一曲面和沿着平行于衬底的表面的第一轴线与第一曲面大致相对的第二曲面，其中所述第一曲面能够沿着第一轴线在朝向第二曲面的方向上移动。
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