-
公开(公告)号：CN104969045A
公开(公告)日：2015-10-07
申请号：CN201380054956.3
申请日：2013-08-20
IPC分类号： G01J5/02 , G01J5/20 , H01L27/144
CPC分类号： H01L31/02019 , G01J5/023 , G01J5/0235 , G01J5/024 , G01J5/20 , G01J2005/204 , H01L27/1446
摘要： 一种用于制造半导体装置的方法包括在互补金属氧化物半导体(CMOS)工艺期间在衬底(100)上形成至少一个牺牲层(106，108，110)。在所述至少一个牺牲层的顶部上沉积吸收体层(130)。去除所述至少一个牺牲层(106，108，110)的在所述吸收体层下方的一部分以形成间隙(G1)，所述吸收体层的一部分悬挂在所述间隙上方。所述牺牲层能够是CMOS工艺的氧化物，所述氧化物被利用选择性氢氟酸气相干式蚀刻释放工艺去除以形成间隙。所述牺牲层也能够是聚合物层，其中，所述聚合物层被利用氧气等离子体蚀刻工艺去除以形成间隙。
-
公开(公告)号：CN104969045B
公开(公告)日：2018-08-21
申请号：CN201380054956.3
申请日：2013-08-20
IPC分类号： G01J5/02 , G01J5/20 , H01L27/144
CPC分类号： H01L31/02019 , G01J5/023 , G01J5/0235 , G01J5/024 , G01J5/20 , G01J2005/204 , H01L27/1446
摘要： 一种用于制造半导体装置的方法包括在互补金属氧化物半导体(CMOS)工艺期间在衬底(100)上形成至少一个牺牲层(106，108，110)。在所述至少一个牺牲层的顶部上沉积吸收体层(130)。去除所述至少一个牺牲层(106，108，110)的在所述吸收体层下方的一部分以形成间隙(G1)，所述吸收体层的一部分悬挂在所述间隙上方。所述牺牲层能够是CMOS工艺的氧化物，所述氧化物被利用选择性氢氟酸气相干式蚀刻释放工艺去除以形成间隙。所述牺牲层也能够是聚合物层，其中，所述聚合物层被利用氧气等离子体蚀刻工艺去除以形成间隙。
-
公开(公告)号：CN104781641B
公开(公告)日：2018-03-06
申请号：CN201380056207.4
申请日：2013-08-29
申请人： 罗伯特·博世有限公司 , F·普尔科利 , G·亚马 , A·费伊 , G·奥布赖恩
CPC分类号： H01L31/0232 , G01J5/0225 , G01J5/023 , G01J5/024 , G01J5/045 , G01J5/046 , G01J5/06 , G01J5/0809 , G01J5/0853 , G01J5/20 , H01L31/09
摘要： 在一个实施例中，MEMS传感器包括镜和与镜间隔开的吸收体，所述吸收体包括多个间隔开的导电臂，所述多个间隔开的导电臂跨越所述镜正上方的区域地限定蜿蜒路径。
-
公开(公告)号：CN104781641A
公开(公告)日：2015-07-15
申请号：CN201380056207.4
申请日：2013-08-29
申请人： 罗伯特·博世有限公司 , F·普尔科利 , G·亚马 , A·费伊 , G·奥布赖恩
CPC分类号： H01L31/0232 , G01J5/0225 , G01J5/023 , G01J5/024 , G01J5/045 , G01J5/046 , G01J5/06 , G01J5/0809 , G01J5/0853 , G01J5/20 , H01L31/09
摘要： 在一个实施例中，MEMS传感器包括镜和与镜间隔开的吸收体，所述吸收体包括多个间隔开的导电臂，所述多个间隔开的导电臂跨越所述镜正上方的区域地限定蜿蜒路径。
-
-
公开(公告)号：CN104755890A
公开(公告)日：2015-07-01
申请号：CN201380055299.4
申请日：2013-08-22
申请人： 罗伯特·博世有限公司 , A·萨马奥 , G·奥布赖恩
CPC分类号： G01J5/20 , G01J5/0853
摘要： 一种半导体传感器包括衬底和吸收体。所述衬底包括至少一个反射部件。所述吸收体与所述至少一个反射部件间隔开一距离。所述吸收体限定多个开口，所述多个开口中的每一个具有小于或等于所述距离的最大宽度。
-
公开(公告)号：CN104736469B
公开(公告)日：2017-12-26
申请号：CN201380048541.5
申请日：2013-08-20
申请人： 罗伯特·博世有限公司 , A·B·格雷厄姆 , A·费伊 , G·奥布赖恩
IPC分类号： B81B7/00
CPC分类号： B81B3/0021 , B81B7/007 , B81B2207/092 , B81B2207/095 , B81C1/00015
摘要： 用于形成具有埋式第一电极的传感器装置的系统和方法包括提供具有电极层的第一硅部分和具有装置层的第二硅部分。第一硅部分和第二硅部分沿着形成在第一硅部分的电极层和第二硅部分的装置层上的共同的氧化层邻接。所形成的多硅堆包括埋式下电极，所述埋式下电极由埋氧化层、高掺杂式离子注入区域或它们的组合来进一步限定。所述多硅堆具有多个硅层和二氧化硅层，且每层中都有考虑到下电极和上电极的电隔离区域。所述多硅堆还包括使得能从传感器装置的上侧接入下电极的间隔件。
-
公开(公告)号：CN104736469A
公开(公告)日：2015-06-24
申请号：CN201380048541.5
申请日：2013-08-20
申请人： 罗伯特·博世有限公司 , A·B·格雷厄姆 , A·费伊 , G·奥布赖恩
IPC分类号： B81B7/00
CPC分类号： B81B3/0021 , B81B7/007 , B81B2207/092 , B81B2207/095 , B81C1/00015
摘要： 用于形成具有埋式第一电极的传感器装置的系统和方法包括提供具有电极层的第一硅部分和具有装置层的第二硅部分。第一硅部分和第二硅部分沿着形成在第一硅部分的电极层和第二硅部分的装置层上的共同的氧化层邻接。所形成的多硅堆包括埋式下电极，所述埋式下电极由埋氧化层、高掺杂式离子注入区域或它们的组合来进一步限定。所述多硅堆具有多个硅层和二氧化硅层，且每层中都有考虑到下电极和上电极的电隔离区域。所述多硅堆还包括使得能从传感器装置的上侧接入下电极的间隔件。
-
公开(公告)号：CN105102952A
公开(公告)日：2015-11-25
申请号：CN201380060838.3
申请日：2013-10-01
申请人： 罗伯特·博世有限公司 , A·L·费伊 , G·奥布赖恩
CPC分类号： G01L19/148 , B81B2201/0264 , B81C1/00238 , B81C2203/0792 , G01L9/0073 , G01L19/0061
摘要： 压力传感器组件(100)包括第一管芯组件(108)、第二管芯组件(124)和导电构件。第一管芯组件包括MEMS压力传感器。第二管芯组件包括ASIC，所述ASIC构造用于产生对应于由所述MEMS压力传感器感测的压力的电输出。所述导电构件定位在所述第一管芯组件与所述第二管芯组件之间并且构造用于将所述MEMS压力传感器电连接到所述ASIC。
-
公开(公告)号：CN104144838A
公开(公告)日：2014-11-12
申请号：CN201280060809.2
申请日：2012-11-09
申请人： 罗伯特·博世有限公司 , G·奥布赖恩
发明人： G·奥布赖恩
IPC分类号： B61C1/00
CPC分类号： H01L21/31111 , B81B2203/033 , B81C1/00063 , B81C1/00333 , B81C2203/0136
摘要： 一种形成封装的宽沟槽的方法包括提供氧化绝缘体上硅(SOI)晶片，通过在SOI晶片的硅层内刻蚀第一沟槽限定第一牺牲硅板的第一侧，通过在硅层内刻蚀第二沟槽限定第一牺牲硅板的第二侧，在第一沟槽内形成第一牺牲氧化部分，在第二沟槽内形成第二牺牲氧化部分，在第一牺牲氧化部分和第二牺牲氧化部分上方形成多晶硅层以及刻蚀第一牺牲氧化部分和第二牺牲氧化部分。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
搜索结果
15 条记录 (耗时 0.05 秒)
