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公开(公告)号：CN105102952A
公开(公告)日：2015-11-25
申请号：CN201380060838.3
申请日：2013-10-01
Applicant: 罗伯特·博世有限公司 , A·L·费伊 , G·奥布赖恩
CPC classification number: G01L19/148 , B81B2201/0264 , B81C1/00238 , B81C2203/0792 , G01L9/0073 , G01L19/0061
Abstract: 压力传感器组件(100)包括第一管芯组件(108)、第二管芯组件(124)和导电构件。第一管芯组件包括MEMS压力传感器。第二管芯组件包括ASIC，所述ASIC构造用于产生对应于由所述MEMS压力传感器感测的压力的电输出。所述导电构件定位在所述第一管芯组件与所述第二管芯组件之间并且构造用于将所述MEMS压力传感器电连接到所述ASIC。
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公开(公告)号：CN104144838A
公开(公告)日：2014-11-12
申请号：CN201280060809.2
申请日：2012-11-09
Applicant: 罗伯特·博世有限公司 , G·奥布赖恩
Inventor： G·奥布赖恩
IPC: B61C1/00
CPC classification number: H01L21/31111 , B81B2203/033 , B81C1/00063 , B81C1/00333 , B81C2203/0136
Abstract: 一种形成封装的宽沟槽的方法包括提供氧化绝缘体上硅(SOI)晶片，通过在SOI晶片的硅层内刻蚀第一沟槽限定第一牺牲硅板的第一侧，通过在硅层内刻蚀第二沟槽限定第一牺牲硅板的第二侧，在第一沟槽内形成第一牺牲氧化部分，在第二沟槽内形成第二牺牲氧化部分，在第一牺牲氧化部分和第二牺牲氧化部分上方形成多晶硅层以及刻蚀第一牺牲氧化部分和第二牺牲氧化部分。
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公开(公告)号：CN104145185B
公开(公告)日：2017-07-11
申请号：CN201280060813.9
申请日：2012-11-09
Applicant: 罗伯特·博世有限公司 , G·奥布赖恩
Inventor： G·奥布赖恩
IPC: G01P15/125
CPC classification number: G01P15/125 , B81B3/0051 , B81B2201/0235 , G01P2015/0871 , G01P2015/0874
Abstract: 微机电系统(MEMS)包括衬底、位于衬底表面上方位置的第一曲面和沿着平行于衬底的表面的第一轴线与第一曲面大致相对的第二曲面，其中所述第一曲面能够沿着第一轴线在朝向第二曲面的方向上移动。
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公开(公告)号：CN104144838B
公开(公告)日：2017-05-17
申请号：CN201280060809.2
申请日：2012-11-09
Applicant: 罗伯特·博世有限公司 , G·奥布赖恩
Inventor： G·奥布赖恩
IPC: B61C1/00
CPC classification number: H01L21/31111 , B81B2203/033 , B81C1/00063 , B81C1/00333 , B81C2203/0136
Abstract: 一种形成封装的宽沟槽的方法包括提供氧化绝缘体上硅(SOI)晶片，通过在SOI晶片的硅层内刻蚀第一沟槽限定第一牺牲硅板的第一侧，通过在硅层内刻蚀第二沟槽限定第一牺牲硅板的第二侧，在第一沟槽内形成第一牺牲氧化部分，在第二沟槽内形成第二牺牲氧化部分，在第一牺牲氧化部分和第二牺牲氧化部分上方形成多晶硅层以及刻蚀第一牺牲氧化部分和第二牺牲氧化部分。
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公开(公告)号：CN104781641A
公开(公告)日：2015-07-15
申请号：CN201380056207.4
申请日：2013-08-29
Applicant: 罗伯特·博世有限公司 , F·普尔科利 , G·亚马 , A·费伊 , G·奥布赖恩
CPC classification number: H01L31/0232 , G01J5/0225 , G01J5/023 , G01J5/024 , G01J5/045 , G01J5/046 , G01J5/06 , G01J5/0809 , G01J5/0853 , G01J5/20 , H01L31/09
Abstract: 在一个实施例中，MEMS传感器包括镜和与镜间隔开的吸收体，所述吸收体包括多个间隔开的导电臂，所述多个间隔开的导电臂跨越所述镜正上方的区域地限定蜿蜒路径。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN104736469A
公开(公告)日：2015-06-24
申请号：CN201380048541.5
申请日：2013-08-20
Applicant: 罗伯特·博世有限公司 , A·B·格雷厄姆 , A·费伊 , G·奥布赖恩
IPC: B81B7/00
CPC classification number: B81B3/0021 , B81B7/007 , B81B2207/092 , B81B2207/095 , B81C1/00015
Abstract: 用于形成具有埋式第一电极的传感器装置的系统和方法包括提供具有电极层的第一硅部分和具有装置层的第二硅部分。第一硅部分和第二硅部分沿着形成在第一硅部分的电极层和第二硅部分的装置层上的共同的氧化层邻接。所形成的多硅堆包括埋式下电极，所述埋式下电极由埋氧化层、高掺杂式离子注入区域或它们的组合来进一步限定。所述多硅堆具有多个硅层和二氧化硅层，且每层中都有考虑到下电极和上电极的电隔离区域。所述多硅堆还包括使得能从传感器装置的上侧接入下电极的间隔件。
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公开(公告)号：CN104781641B
公开(公告)日：2018-03-06
申请号：CN201380056207.4
申请日：2013-08-29
Applicant: 罗伯特·博世有限公司 , F·普尔科利 , G·亚马 , A·费伊 , G·奥布赖恩
CPC classification number: H01L31/0232 , G01J5/0225 , G01J5/023 , G01J5/024 , G01J5/045 , G01J5/046 , G01J5/06 , G01J5/0809 , G01J5/0853 , G01J5/20 , H01L31/09
Abstract: 在一个实施例中，MEMS传感器包括镜和与镜间隔开的吸收体，所述吸收体包括多个间隔开的导电臂，所述多个间隔开的导电臂跨越所述镜正上方的区域地限定蜿蜒路径。
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公开(公告)号：CN104736469B
公开(公告)日：2017-12-26
申请号：CN201380048541.5
申请日：2013-08-20
Applicant: 罗伯特·博世有限公司 , A·B·格雷厄姆 , A·费伊 , G·奥布赖恩
IPC: B81B7/00
CPC classification number: B81B3/0021 , B81B7/007 , B81B2207/092 , B81B2207/095 , B81C1/00015
Abstract: 用于形成具有埋式第一电极的传感器装置的系统和方法包括提供具有电极层的第一硅部分和具有装置层的第二硅部分。第一硅部分和第二硅部分沿着形成在第一硅部分的电极层和第二硅部分的装置层上的共同的氧化层邻接。所形成的多硅堆包括埋式下电极，所述埋式下电极由埋氧化层、高掺杂式离子注入区域或它们的组合来进一步限定。所述多硅堆具有多个硅层和二氧化硅层，且每层中都有考虑到下电极和上电极的电隔离区域。所述多硅堆还包括使得能从传感器装置的上侧接入下电极的间隔件。
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公开(公告)号：CN104541141B
公开(公告)日：2017-08-18
申请号：CN201380014227.5
申请日：2013-02-14
Applicant: 罗伯特·博世有限公司 , G·奥布赖恩 , A·格雷厄姆
IPC: G01L9/00
CPC classification number: B81B3/0021 , B81C1/00158 , G01L9/0073
Abstract: 在一个实施例中，一种传感器装置包括：体硅层；第一掺杂物类型的所述体硅层的第一掺杂区；第二掺杂物类型的所述体硅层的第二掺杂区，其中所述第一掺杂物类型是不同于所述第二掺杂物类型的掺杂物类型，所述第二掺杂区位于所述体硅层的上表面，并且具有由所述第一掺杂区界定的第一掺杂部分；在所述第二掺杂区正上方的第一腔部分；和在外延层中形成的上电极，所述上电极处于所述第一腔部分正上方。
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