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公开(公告)号：CN101080802B
公开(公告)日：2010-09-01
申请号：CN200580043440.4
申请日：2005-10-12
Applicant: 艾克塞利斯技术公司
IPC: H01J37/317 , H01J37/147
CPC classification number: H01J37/3171 , H01J37/147
Abstract: 提供了用于聚焦离子注入器(110)中的被扫描的离子束的系统与方法。一种束聚焦系统(140)被提供，其包含：第一与第二磁体，用以提供对应的磁场，其协同地提供具有时变的聚焦场中心的磁性聚焦场，该聚焦场中心通常对应于沿着扫描方向的被扫描的离子束的时变的束位置。提供了方法，包含：提供具有聚焦场中心的聚焦场于扫描平面内；以及动态调整该聚焦场，使得聚焦场中心通常符合于沿着扫描方向的被扫描的离子束的时变的束位置。
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公开(公告)号：CN100592459C
公开(公告)日：2010-02-24
申请号：CN200480016510.2
申请日：2004-06-14
Applicant: 艾克塞利斯技术公司
IPC: H01J37/317 , H01J37/05 , H01J37/30
CPC classification number: H01J37/3171 , H01J37/05 , H01J37/147 , H01J2237/057
Abstract: 披露一种用于离子束的磁性偏转器，所述磁性偏转器包含第一与第二线圈。分别将线圈定位于射束的上方与下方，并且沿着射束的宽度进行延伸。电流通过线圈，用以在其间产生沿着大体上射束整个宽度而大致垂直于射束行进方向的磁场。在本发明的另一个方面中，披露一种在注入工件之前用来偏转射束的方法。该方法包含判断与射束相关联的一个或者多个特性，并且基于判断而有所选择地致动磁性偏转模组与静电偏转模组中的一种。
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公开(公告)号：CN100583375C
公开(公告)日：2010-01-20
申请号：CN200480018009.X
申请日：2004-06-18
Applicant: 艾克塞利斯技术公司
IPC: H01J37/317 , H01J37/12 , H01J37/30
CPC classification number: H01J37/3171 , H01J37/12
Abstract: 一种用在离子束注入机上的透镜结构。该透镜结构包括沿离子运动方向间隔开的第一和第二电极。该透镜结构跨过离子束的宽度而在离子束路径的相对侧上延伸，以偏转进入该透镜结构的离子。该透镜结构包括用于减速离子的第一电极和用于加速离子的第二电极，以使进入透镜结构的离子以大约相同的离开轨道离开所述透镜结构，而与离子进入透镜结构时的轨道无关。在一种可选构造中，该透镜结构包括用于加速离子的第一电极和用于减速离子的第二电极。
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公开(公告)号：CN1791961A
公开(公告)日：2006-06-21
申请号：CN200480013242.9
申请日：2004-05-14
Applicant: 艾克塞利斯技术公司
IPC: H01J37/317 , H01J37/05 , H01J37/153
Abstract: 本发明公开了一种用于带状离子束的质量分析器。该质量分析器包括一对线圈，其确定该分析器入口端及出口端。在该质量分析器的一或多个出入口端或其附近使用场钳制器。这些场钳制器工作以终止靠近该质量分析器出入口端的边缘场，从而降低这类边缘场对该带状射束的影响并改善射束的均匀度。
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公开(公告)号：CN1809910B
公开(公告)日：2011-07-27
申请号：CN200480017294.3
申请日：2004-06-18
Applicant: 艾克塞利斯技术公司
IPC: H01J37/317 , H01J37/02
CPC classification number: H01J37/32082 , H01J37/3171 , H01J37/3266 , H01J2237/0041
Abstract: 一种用于离子束的空间电荷中和的等离子体发生器被披露且置于可操作以产生离子束且沿射束线路径引导所述离子束的离子注入系统内。所述等离子体发生器包括可操作以在一部分所述射束线路径中产生电场的电场发生系统和可操作以在所述射束线路径的所述部分中产生磁场的磁场发生系统，其中所述磁场垂直于所述电场。所述等离子体发生器进一步包括可操作以将气体引入由所述电场和所述磁场占据的区域中的气体源。所述区域中的电子分别由于所述电场和所述磁场而在所述区域中移动，且至少一些所述电子与所述区域中的所述气体碰撞以使一部分所述气体离子化，由此在所述区域中产生等离子体。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101023506B
公开(公告)日：2010-10-27
申请号：CN200580031430.9
申请日：2005-07-19
Applicant: 艾克塞利斯技术公司
IPC: H01J37/12 , H01J37/317
CPC classification number: H01J37/12 , H01J37/3171
Abstract: 一种供离子束注入器使用的透镜结构。该透镜结构包括沿着离子移动的方向间隔开的第一和第二电极。该透镜结构跨过离子束的宽度延伸，用于偏转进入透镜结构的离子。该透镜结构包括用于减速离子的第一电极和用于加速离子的第二电极。透镜结构模式控制器有选择地启动加速或者减速电极，以使进入透镜结构的离子以期望的轨道离开所述透镜结构，而不管离子进入透镜结构的轨道。
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公开(公告)号：CN1816892A
公开(公告)日：2006-08-09
申请号：CN200480018569.5
申请日：2004-04-29
Applicant: 艾克塞利斯技术公司
Inventor： V·班威尼斯特
IPC: H01J37/304 , H01J37/317
CPC classification number: H01J37/3171 , H01J2237/2446 , H01J2237/24507 , H01J2237/24528 , H01J2237/24542
Abstract: 本发明可通过在整个离子射束(例如一条带射束的较宽部分)的各种位置处监视射束电流均匀度及入射角，以简化半导体装置制造。在一离子注入系统(例如单晶片式系统及/或多晶片式系统)中可以运用一个或多个均匀度检测器，该均匀度检测器包含多个元件。各元件包含：一孔洞，其可从一入射离子射束选择性地获得一小射束；以及一对传感器，其可测量射束电流，并作为离子射束的进入角度的函数。可通过多对传感器，至少部分地从所测得的射束电流来决定在特定元件处的入射角。因此，可依指示来调整离子射束产生以改善均匀度，并且能够以改良的均匀度以及在更紧密的处理程序的情况下执行离子注入。
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公开(公告)号：CN1813331A
公开(公告)日：2006-08-02
申请号：CN200480018009.X
申请日：2004-06-18
Applicant: 艾克塞利斯技术公司
IPC: H01J37/317 , H01J37/12 , H01J37/30
CPC classification number: H01J37/3171 , H01J37/12
Abstract: 一种用在离子束注入机上的透镜结构。该透镜结构包括沿离子运动方向间隔开的第一和第二电极。该透镜结构跨过离子束的宽度而在离子束路径的相对侧上延伸，以偏转进入该透镜结构的离子。该透镜结构包括用于减速离子的第一电极和用于加速离子的第二电极，以使进入透镜结构的离子以大约相同的离开轨道离开所述透镜结构，而与离子进入透镜结构时的轨道无关。在一种可选构造中，该透镜结构包括用于加速离子的第一电极和用于减速离子的第二电极。
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公开(公告)号：CN1806309A
公开(公告)日：2006-07-19
申请号：CN200480016510.2
申请日：2004-06-14
Applicant: 艾克塞利斯技术公司
IPC: H01J37/317 , H01J37/05 , H01J37/30
CPC classification number: H01J37/3171 , H01J37/05 , H01J37/147 , H01J2237/057
Abstract: 披露一种用于离子束的磁性偏转器，所述磁性偏转器包含第一与第二线圈。分别将线圈定位于射束的上方与下方，并且沿着射束的宽度进行延伸。电流通过线圈，用以在其间产生沿着大体上射束整个宽度而大致垂直于射束行进方向的磁场。在本发明的另一个方面中，披露一种在注入工件之前用来偏转射束的方法。该方法包含判断与射束相关联的一个或者多个特性，并且基于判断而有所选择地致动磁性偏转模组与静电偏转模组中的一种。
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公开(公告)号：CN1795528A
公开(公告)日：2006-06-28
申请号：CN200480014193.0
申请日：2004-05-21
Applicant: 艾克塞利斯技术公司
IPC: H01J37/05 , H01J37/317 , H01J37/147
CPC classification number: H01J37/05 , H01J37/147 , H01J37/3171 , H01J37/32623 , H01J37/32678 , H01J2237/1508
Abstract: 提供一种离子注入系统以及为此的束线组件，其中在离子束导件内提供多尖点(Multicusped)磁场，且该离子束导件被供能，以在一沿该离子束导件通道的前进波内提供微波电场。该磁场及电场相互作用，以为在该离子束导件内的离子束保含功能提供一电子－回旋共振条件。
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