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公开(公告)号:CN101023506A
公开(公告)日:2007-08-22
申请号:CN200580031430.9
申请日:2005-07-19
Applicant: 艾克塞利斯技术公司
IPC: H01J37/12 , H01J37/317
CPC classification number: H01J37/12 , H01J37/3171
Abstract: 一种供离子束注入器使用的透镜结构。该透镜结构包括沿着离子移动的方向间隔开的第一和第二电极。该透镜结构跨过离子束的宽度延伸,用于偏转进入透镜结构的离子。该透镜结构包括用于减速离子的第一电极和用于加速离子的第二电极。透镜结构模式控制器有选择地启动加速或者减速电极,以使进入透镜结构的离子以期望的轨道离开所述透镜结构,而不管离子进入透镜结构的轨道。
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公开(公告)号:CN101065823A
公开(公告)日:2007-10-31
申请号:CN200580038756.4
申请日:2005-09-08
Applicant: 艾克塞利斯技术公司
IPC: H01J37/317 , H01J37/304
CPC classification number: H01J37/304 , H01J37/3171 , H01J2237/30472
Abstract: 一种离子注入机,用于产生扁带或带状束,其具有一种扫描装置,该扫描装置对由一源所发射的离子进行横向扫描,以提供移动至一注入室内的薄离子束。一工件支撑件将工件定位于注入室之内,且一驱动器使得该工件支撑件垂直于该扁带的平面而上下移动,以通过该薄的带状离子束,以实现对工件的受控束处理。一控制器包括:第一控制输出,其耦合至扫描装置,将对该离子束的横向扫描范围限制成小于一最大量,并由此将对该工件的离子处理限制到该工件的一指定区域;及第二控制输出,其耦合至该驱动器,同时将该工件的上下移动范围限制成小于一最大量,且使得离子束冲击工件的受控部分。
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公开(公告)号:CN101777481B
公开(公告)日:2012-06-27
申请号:CN200910266872.1
申请日:2004-06-14
Applicant: 艾克塞利斯技术公司
IPC: H01J37/147 , H01J37/317
CPC classification number: H01J37/3171 , H01J37/05 , H01J37/147 , H01J2237/057
Abstract: 披露一种用于离子束的磁性偏转器,所述磁性偏转器包含第一与第二线圈。分别将线圈定位于射束的上方与下方,并且沿着射束的宽度进行延伸。电流通过线圈,用以在其间产生沿着大体上射束整个宽度而大致垂直于射束行进方向的磁场。在本发明的另一个方面中,披露一种在注入工件之前用来偏转射束的方法。该方法包含判断与射束相关联的一个或者多个特性,并且基于判断而有所选择地致动磁性偏转模组与静电偏转模组中的一种。
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公开(公告)号:CN101777481A
公开(公告)日:2010-07-14
申请号:CN200910266872.1
申请日:2004-06-14
Applicant: 艾克塞利斯技术公司
IPC: H01J37/147 , H01J37/317
CPC classification number: H01J37/3171 , H01J37/05 , H01J37/147 , H01J2237/057
Abstract: 披露一种用于离子束的磁性偏转器,所述磁性偏转器包含第一与第二线圈。分别将线圈定位于射束的上方与下方,并且沿着射束的宽度进行延伸。电流通过线圈,用以在其间产生沿着大体上射束整个宽度而大致垂直于射束行进方向的磁场。在本发明的另一个方面中,披露一种在注入工件之前用来偏转射束的方法。该方法包含判断与射束相关联的一个或者多个特性,并且基于判断而有所选择地致动磁性偏转模组与静电偏转模组中的一种。
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公开(公告)号:CN100583377C
公开(公告)日:2010-01-20
申请号:CN200580038756.4
申请日:2005-09-08
Applicant: 艾克塞利斯技术公司
IPC: H01J37/317 , H01J37/304
CPC classification number: H01J37/304 , H01J37/3171 , H01J2237/30472
Abstract: 一种离子注入机,用于产生扁带或带状束,其具有一种扫描装置,该扫描装置对由一源所发射的离子进行横向扫描,以提供移动至一注入室内的薄离子束。一工件支撑件将工件定位于注入室之内,且一驱动器使得该工件支撑件垂直于该扁带的平面而上下移动,以通过该薄的带状离子束,以实现对工件的受控束处理。一控制器包括:第一控制输出,其耦合至扫描装置,将对该离子束的横向扫描范围限制成小于一最大量,并由此将对该工件的离子处理限制到该工件的一指定区域;及第二控制输出,其耦合至该驱动器,同时将该工件的上下移动范围限制成小于一最大量,且使得离子束冲击工件的受控部分。
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公开(公告)号:CN100592459C
公开(公告)日:2010-02-24
申请号:CN200480016510.2
申请日:2004-06-14
Applicant: 艾克塞利斯技术公司
IPC: H01J37/317 , H01J37/05 , H01J37/30
CPC classification number: H01J37/3171 , H01J37/05 , H01J37/147 , H01J2237/057
Abstract: 披露一种用于离子束的磁性偏转器,所述磁性偏转器包含第一与第二线圈。分别将线圈定位于射束的上方与下方,并且沿着射束的宽度进行延伸。电流通过线圈,用以在其间产生沿着大体上射束整个宽度而大致垂直于射束行进方向的磁场。在本发明的另一个方面中,披露一种在注入工件之前用来偏转射束的方法。该方法包含判断与射束相关联的一个或者多个特性,并且基于判断而有所选择地致动磁性偏转模组与静电偏转模组中的一种。
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公开(公告)号:CN100583375C
公开(公告)日:2010-01-20
申请号:CN200480018009.X
申请日:2004-06-18
Applicant: 艾克塞利斯技术公司
IPC: H01J37/317 , H01J37/12 , H01J37/30
CPC classification number: H01J37/3171 , H01J37/12
Abstract: 一种用在离子束注入机上的透镜结构。该透镜结构包括沿离子运动方向间隔开的第一和第二电极。该透镜结构跨过离子束的宽度而在离子束路径的相对侧上延伸,以偏转进入该透镜结构的离子。该透镜结构包括用于减速离子的第一电极和用于加速离子的第二电极,以使进入透镜结构的离子以大约相同的离开轨道离开所述透镜结构,而与离子进入透镜结构时的轨道无关。在一种可选构造中,该透镜结构包括用于加速离子的第一电极和用于减速离子的第二电极。
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公开(公告)号:CN101023506B
公开(公告)日:2010-10-27
申请号:CN200580031430.9
申请日:2005-07-19
Applicant: 艾克塞利斯技术公司
IPC: H01J37/12 , H01J37/317
CPC classification number: H01J37/12 , H01J37/3171
Abstract: 一种供离子束注入器使用的透镜结构。该透镜结构包括沿着离子移动的方向间隔开的第一和第二电极。该透镜结构跨过离子束的宽度延伸,用于偏转进入透镜结构的离子。该透镜结构包括用于减速离子的第一电极和用于加速离子的第二电极。透镜结构模式控制器有选择地启动加速或者减速电极,以使进入透镜结构的离子以期望的轨道离开所述透镜结构,而不管离子进入透镜结构的轨道。
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公开(公告)号:CN1813331A
公开(公告)日:2006-08-02
申请号:CN200480018009.X
申请日:2004-06-18
Applicant: 艾克塞利斯技术公司
IPC: H01J37/317 , H01J37/12 , H01J37/30
CPC classification number: H01J37/3171 , H01J37/12
Abstract: 一种用在离子束注入机上的透镜结构。该透镜结构包括沿离子运动方向间隔开的第一和第二电极。该透镜结构跨过离子束的宽度而在离子束路径的相对侧上延伸,以偏转进入该透镜结构的离子。该透镜结构包括用于减速离子的第一电极和用于加速离子的第二电极,以使进入透镜结构的离子以大约相同的离开轨道离开所述透镜结构,而与离子进入透镜结构时的轨道无关。在一种可选构造中,该透镜结构包括用于加速离子的第一电极和用于减速离子的第二电极。
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公开(公告)号:CN1806309A
公开(公告)日:2006-07-19
申请号:CN200480016510.2
申请日:2004-06-14
Applicant: 艾克塞利斯技术公司
IPC: H01J37/317 , H01J37/05 , H01J37/30
CPC classification number: H01J37/3171 , H01J37/05 , H01J37/147 , H01J2237/057
Abstract: 披露一种用于离子束的磁性偏转器,所述磁性偏转器包含第一与第二线圈。分别将线圈定位于射束的上方与下方,并且沿着射束的宽度进行延伸。电流通过线圈,用以在其间产生沿着大体上射束整个宽度而大致垂直于射束行进方向的磁场。在本发明的另一个方面中,披露一种在注入工件之前用来偏转射束的方法。该方法包含判断与射束相关联的一个或者多个特性,并且基于判断而有所选择地致动磁性偏转模组与静电偏转模组中的一种。
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