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公开(公告)号：CN105869978B
公开(公告)日：2018-10-12
申请号：CN201610257320.4
申请日：2012-12-13
Applicant: 艾克塞利斯科技公司
IPC: H01J37/244 , H01J37/304 , H01J37/317
Abstract: 本发明涉及一种扫描系统，该扫描系统包括扫描元件、射束评测仪、分析系统及ZFE限制元件。扫描元件配置成扫描离子束扫描路径上的离子束。在离子束扫描路径上扫描离子束时，射束评测仪测量离子束的束电流；分析系统分析所测的束电流，从而检测ZFE情况。位于射束评测仪上游并经由反馈通路耦合至分析系统的ZFE限制元件配置成基于是否检测到ZFE情况而有选择地向经扫描离子束施加时变电场。选择性施加的电场引发经扫描射束中的变化，从而限制ZFE情况。
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公开(公告)号：CN103477416B
公开(公告)日：2016-03-16
申请号：CN201280017078.3
申请日：2012-03-29
Applicant: 艾克塞利斯科技公司
IPC: H01J37/302 , H01J37/317
CPC classification number: H01J37/3171 , G21K5/02 , G21K5/04 , G21K5/10 , H01J37/302 , H01J2237/30483
Abstract: 一个实施例涉及离子注入器。该离子注入器包括：离子源，用于产生离子束，以及扫描仪，用于使离子束沿着第一轴在工件的表面上进行扫描。该离子注入器还包括：偏转滤波器，位于扫描仪的下游，用于使离子束沿着第二轴在工件的表面上抖动地扫描。
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公开(公告)号：CN103477416A
公开(公告)日：2013-12-25
申请号：CN201280017078.3
申请日：2012-03-29
Applicant: 艾克塞利斯科技公司
IPC: H01J37/302 , H01J37/317
CPC classification number: H01J37/3171 , G21K5/02 , G21K5/04 , G21K5/10 , H01J37/302 , H01J2237/30483
Abstract: 一个实施例涉及离子注入器。该离子注入器包括：离子源，用于产生离子束，以及扫描仪，用于使离子束沿着第一轴在工件的表面上进行扫描。该离子注入器还包括：偏转滤波器，位于扫描仪的下游，用于使离子束沿着第二轴在工件的表面上抖动地扫描。
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公开(公告)号：CN102124538B
公开(公告)日：2013-12-11
申请号：CN200980123989.2
申请日：2009-06-23
Applicant: 艾克塞利斯科技公司
IPC: G01T1/29 , H01J37/317 , H01J37/02
CPC classification number: H01J37/05 , H01J37/304 , H01J37/3171 , H01J2237/006 , H01J2237/057 , H01J2237/24507 , H01J2237/24542 , H01J2237/24578 , H01J2237/31703
Abstract: 本发明公开一种离子束一致性控制系统，其中，该一致性控制系统系包含：差动泵送室，其围绕单独的控制的气体喷射器的阵列，其中，单独控制的气体喷射的气体压力由控制器所驱动以改变电荷交换离子的比率，且于气体与离子之间的电荷交换反应改变了具有一宽离子束的原始电荷状态的离子的比率，其中，宽离子束的电荷交换部分系利用其产生磁场的一偏转器而移除；法拉第杯轮廓仪，用于测量宽离子束轮廓；且，基于提供至控制器的反馈而调整单独控制的气体喷射以得到期望的宽离子束。
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公开(公告)号：CN113169011A
公开(公告)日：2021-07-23
申请号：CN201980078886.2
申请日：2019-11-06
Applicant: 艾克塞利斯科技公司
IPC: H01J37/147 , H01J37/317
Abstract: 一种离子注入系统和方法提供带状离子束的非均匀通量。形成点离子束并将其提供给扫描仪，并且向扫描仪施加具有时变电势的扫描波形。扫描仪在扫描路径上对离子束进行扫描，从而大体上限定由多个子束组成的扫描离子束。然后，扫描射束通过校正器装置。校正器装置构造成在整个工件上以大体上恒定的入射角朝向工件引导扫描离子束。校正器装置还包括多个磁极，该多个磁极构造成在理想点离子束以基本上恒定的速度完全扫描工件的理想情况下，在工件处提供扫描离子束的非均匀通量分布，其中，非均匀通量分布具有从工件的中心区域向工件的边缘基本上单调增加的通量。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN107112180A
公开(公告)日：2017-08-29
申请号：CN201580070492.4
申请日：2015-12-28
Applicant: 艾克塞利斯科技公司
Inventor： 爱德华·艾伊斯勒
IPC: H01J37/08 , H01J37/141 , H01J37/147 , H01J37/317
Abstract: 本发明提供一种用于离子注入系统的组合扫描与聚焦磁体。所述组合扫描与聚焦磁体包括具有高磁导率的轭圈。所述轭圈限定配置成使离子束贯穿其中的通孔。一个或多个扫描仪线圈在操作上被耦合至所述轭圈并被配置成在被电气耦合至电源供应器时产生时变、主要偶极的磁场。一个或多个聚焦线圈在操作上被耦合至所述轭圈并被配置成产生主要多极的磁场，其中，所述主要多极的磁场为静态场或时变场中之一。
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公开(公告)号：CN103582927B
公开(公告)日：2016-08-17
申请号：CN201280026587.2
申请日：2012-03-29
Applicant: 艾克塞利斯科技公司
Inventor： 爱德华·艾伊斯勒
IPC: H01J37/302 , H01J37/317
CPC classification number: H01J3/14 , G21K5/10 , H01J37/302 , H01J37/3171 , H01J2237/049 , H01J2237/30477 , H01J2237/30483
Abstract: 本发明涉及一种用于当离子束在工件(304)的表面上扫描时改变离子束的横截面形状(308a、308b、308c)以产生具有改善的离子束电流轮廓均匀度的时间平均离子束的方法和装置。在一个实施例中，当离子束在工件的表面上移动时，改变离子束的横截面形状。离子束的不同横截面形状分别具有不同的束轮廓(例如，在沿着束轮廓的不同位置处具有峰值)，使得快速地改变离子束的横截面形状导致平滑工件所受到的束电流轮廓(例如，减少与单独的束轮廓相关联的峰值)。由此产生的平滑束电流轮廓提供改善的束电流均匀度以及改善的工件剂量均匀度。
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公开(公告)号：CN102292791B
公开(公告)日：2015-05-27
申请号：CN201080005104.1
申请日：2010-01-22
Applicant: 艾克塞利斯科技公司
Inventor： 马文·法利 , 罗纳德·博尔纳 , 杰弗里·莱丁 , 西奥多·斯米克 , 高尾坂濑 , 罗纳德·霍纳 , 爱德华·艾伊斯勒 , 布赖恩·弗瑞尔 , 马克·朗伯 , 多诺万·贝克尔 , 保罗·艾德
IPC: H01J37/244 , H01J37/317
CPC classification number: H01J37/244 , H01J37/3171 , H01J2237/024 , H01J2237/24507 , H01J2237/24528 , H01J2237/24535 , H01J2237/24542
Abstract: 一种离子束角度校准和发射度测量系统(200)，包括：其中具有细长缝(204)的板，其中细长缝位于板的转动中心，并用于使第一束部分(213)在其中穿过。束电流探测器(202)位于板的下游，其中束电流探测器包括缝(208)，用于使第一束部分的第二束部分(215)从中穿过，其中束电流探测器用于测量与第一束部分相关的第一束电流。束角度探测器(206)位于束电流探测器的下游，用于探测与第二束部分相关的第二束电流。所述板、束电流探测器和束角度探测器被设置为共同围绕所述板的转动中心旋转。
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公开(公告)号：CN104025247A
公开(公告)日：2014-09-03
申请号：CN201280061905.9
申请日：2012-12-13
Applicant: 艾克塞利斯科技公司
IPC: H01J37/317 , H01J37/244 , H01J37/304
CPC classification number: H01J37/3171 , H01J37/244 , H01J37/304 , H01J2237/15 , H01J2237/24405 , H01J2237/24514 , H01J2237/31703
Abstract: 本发明涉及一种扫描系统，该扫描系统包括扫描元件、射束评测仪、分析系统及ZFE限制元件。扫描元件配置成扫描离子束扫描路径上的离子束。在离子束扫描路径上扫描离子束时，射束评测仪测量离子束的束电流；分析系统分析所测的束电流，从而检测ZFE情况。位于射束评测仪上游并经由反馈通路耦合至分析系统的ZFE限制元件配置成基于是否检测到ZFE情况而有选择地向经扫描离子束施加时变电场。选择性施加的电场引发经扫描射束中的变化，从而限制ZFE情况。
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公开(公告)号：CN102160139A
公开(公告)日：2011-08-17
申请号：CN200980136381.3
申请日：2009-09-17
Applicant: 艾克塞利斯科技公司
IPC: H01J37/147 , H01J37/317
CPC classification number: H01J37/3171 , H01J37/147 , H01J2237/04735 , H01J2237/04756 , H01J2237/049 , H01J2237/12
Abstract: 一种适用于离子注入系统的偏折构件(236)包含：多个电极(236a，236b)，其可选择性偏压以致使通过其的离子束弯曲、偏折、聚焦、会聚、发散、加速、减速及/或去污染。由于这些电极为可选择性偏压，且因此其中一个或多个是可维持未偏压或断电，束路径的有效长度是可如所期望而选择性调整(例如：基于诸如能量、剂量、物种等等的束性质)。
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