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    离子注入机中的离子束
    4.
    发明公开
    离子注入机中的离子束 无效

    公开(公告)号：CN101086945A

    公开(公告)日：2007-12-12

    申请号：CN200710108987.9

    申请日：2007-06-11

    申请人： 应用材料有限公司

    发明人： C·伯吉斯 ,  M·基恩

    IPC分类号： H01J37/317 ,  H01L21/265 ,  C30B31/22

    CPC分类号： H01J37/3171 ,  H01J37/302 ,  H01J2237/30472 ,  H01L21/265

    摘要： 本发明涉及一种调节诸如可用在半导体器件制造中的离子注入机中的离子束的方法。存在许多与离子注入机的操作相关的操作参数，这些操作参数影响到达晶片的离子束。控制这些参数允许对离子束进行调节，以提供用于任何特定注入的最佳离子束电流、能量、大小和形状。本发明提供了一种调节离子束的方法，包括：检索一组参数，这组参数中至少一些参数被存储在动态数据库中；根据检索的这组参数来配置该离子注入机从而提供离子束；通过改变一个或多个所述参数来优化所述离子束；以及对所述动态数据库中存储的、在优化期间变化的所述参数进行更新。

    缺陷分析仪
    5.
    发明公开
    缺陷分析仪 有权

    公开(公告)号：CN1735866A

    公开(公告)日：2006-02-15

    申请号：CN200380108597.1

    申请日：2003-11-12

    申请人： FEI公司

    发明人： J·特施马 ,  D·E·帕丁 ,  J·E·胡森

    IPC分类号： G06F11/00

    CPC分类号： H01J37/28 ,  H01J37/302 ,  H01J37/304 ,  H01J37/3056 ,  H01J2237/24592 ,  H01J2237/2485 ,  H01J2237/2817 ,  H01J2237/31745 ,  H01L21/67253 ,  H01L21/67276

    摘要： 本发明提供用于分析诸如半导体晶片之类的对象中的缺陷的方法、装置及系统。在一个实施例中，它提供在半导体制造设备中的制造过程中表征半导体晶片中的缺陷的方法。这个方法包括以下动作。检验半导体晶片以定位缺陷。与已定位缺陷对应的位置则被存储在缺陷文件中。利用来自缺陷文件的信息把双带电粒子束系统自动导航到邻近缺陷位置。缺陷被自动识别，然后获取缺陷的带电粒子束图像。带电粒子束图像则经过分析以表征缺陷。然后，为缺陷的进一步分析确定配方。配方则被自动执行以利用带电粒子束切割缺陷的一部分。切割的部分基于带电粒子束图像分析。最后，对带电粒子束切割所暴露的表面成像，以获得关于缺陷的附加信息。

    大功率电子束的驱动方法
    6.
    发明授权
    大功率电子束的驱动方法 失效

    公开(公告)号：CN1165951C

    公开(公告)日：2004-09-08

    申请号：CN98126993.1

    申请日：1998-10-15

    申请人： 鲍尔泽斯和利博尔德德国控股公司

    发明人： M·巴赫 ,  E·劳克斯

    IPC分类号： H01J37/305 ,  H01J37/32 ,  C23C14/32 ,  C23C14/56

    CPC分类号： H01J37/302 ,  H01J37/3053 ,  H01J2237/30483 ,  H01J2237/3132

    摘要： 本发明涉及一种大功率电子束的驱动方法，所述电子束用于使处在坩埚等装置内的材料气化。用该方法可自动对偏转误差进行静态或动态修正。首先，用教入方法检测各个空间坐标和各个偏转电流的频率并将其存储到存储器中。在以后的操作中，将以这样的方式使用所存储的数据，将对应于电子束击中点的集合数据自动地换算到经修正的电流值，以此影响给定点的准确击中。在确定偏转电流的频率时也采取同样的方法。对给定的频率将自动修正振幅和曲线形状，以减少频率衰减效应。

    离子束注入器扫描控制系统
    7.
    发明授权
    离子束注入器扫描控制系统 失效

    公开(公告)号：CN1012403B

    公开(公告)日：1991-04-17

    申请号：CN87106497

    申请日：1987-09-23

    申请人： 伊顿公司

    发明人： 道格拉斯·迪恩·米罗恩

    IPC分类号： H01J37/302 ,  H01J37/28 ,  H01L21/265

    CPC分类号： H01J37/302 ,  H01J37/3171

    摘要： 本发明涉及一种利用两对互相垂直的扫描电极(26、28)的离子束注入系统。频率大致相同的两个锯齿波形B加到扫描电极上，以产生四边形扫描图形C。改变这些扫描图形的尺叶，来扫出一能对圆形晶片作均匀注入的扫描图形。用使扫描电压扰动的方法，来调节束的即时速度，以补偿小的剂量不均匀性。

    离子注入系统及具有可变能量控制的方法
    8.
    发明授权
    离子注入系统及具有可变能量控制的方法 有权

    公开(公告)号：CN106133872B

    公开(公告)日：2018-08-31

    申请号：CN201580004882.1

    申请日：2015-03-06

    申请人： 艾克塞利斯科技公司

    发明人： 科松·柯-泉珍 ,  马文·法利

    IPC分类号： H01J37/302 ,  H01J37/317

    CPC分类号： H01J37/3171 ,  H01J37/302 ,  H01J2237/047 ,  H01J2237/24514 ,  H01J2237/30483

    摘要： 本发明提出一种用于跨工件(200)以改变的能量注入深度(208，212)的离子注入系统及方法。所述系统包括配置成将掺杂物气体离子化成多个离子且形成离子束(202)的离子源。质量分析器位于离子源的下游且配置成对离子束加以质量分析。减速/加速级位于质量分析器的下游。能量过滤器可以构成减速/加速级的一部分或者可以位于减速/加速级的下游。设置终端站，该终端站具有与其相关的工件支撑件，用于将工件设置在离子束之前。扫描装置配置成相对于彼此来扫描(204)所述离子束及所述工件支撑件中的一或多个。一个或多个电源可操作地耦接至离子源、质量分析器、减速/加速级、以及能量过滤器中的一个或多个。控制器配置成在扫描离子束和/或工件支撑件的同时选择性改变一个或多个分别供应至减速/加速级以及能量过滤器中的一个或多个的电压，其中一个或多个电压的选择性改变至少部分基于离子束相对工件支撑件的位置。