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公开(公告)号：CN114519275A
公开(公告)日：2022-05-20
申请号：CN202210160133.X
申请日：2022-02-22
Applicant: 西安电子科技大学芜湖研究院
IPC: G06F30/20 , G06F119/02
Abstract: 本发明公开了一种AlGaN/GaN HEMT器件小信号模型提取方法，涉及射频功率器件领域，通过对器件的三个电极施加相应的直流偏置，分别测出与不同的寄生参数相关的S参数，然后根据这些测得的S参数，基于二端口网络的原理，转换为与寄生电容相关的Y参数矩阵、与寄生电阻和寄生电感相关的Z参数矩阵，之后再将寄生参数去嵌，求得本征参数，本发明的方法针对寄生参数去嵌过程因结构导致的近似误差，提出了在所有测试频率下，逐个求取去嵌前后的S参数相对误差，并对所有频率的误差进行平均化，在保证了参数提取速度的同时，保证了参数的提取精度。
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公开(公告)号：CN114388080A
公开(公告)日：2022-04-22
申请号：CN202210040132.1
申请日：2022-01-13
Applicant: 西安电子科技大学芜湖研究院
Abstract: 本发明公开了一种研究材料表面生长成膜能力的计算方法，包括下列步骤：步骤一、衬底模型构建，建立衬底材料的超胞模型并优化；步骤二、成膜材料的原子附着位点选择，选取单个成膜材料的原子放在衬底模型表面上，对此模型进行结构优化，得到初始吸附模型及第一次稳定吸附位点；再选择衬底上相邻的重复结构重复上述操作，得到最终吸附模型及第二次稳定吸附位点；步骤三、迁移势垒计算，建立NEB模型，计算这两组吸附模型中的稳定吸附位点间的迁移势垒；步骤四、应用分析，基于上一步得到的迁移势垒和分析得到的影响关系确定一个参数范围进行成膜工艺的调试。本方法以较快的速度确定各种材料成膜所需的温度等参数范围，提高调试和研发效率。
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公开(公告)号：CN114361121A
公开(公告)日：2022-04-15
申请号：CN202111656549.2
申请日：2021-12-30
Applicant: 西安电子科技大学芜湖研究院
IPC: H01L23/373 , H01L29/06 , H01L29/423 , H01L29/51 , H01L29/778 , H01L21/335 , H01L21/28
Abstract: 本发明公开了一种带有p‑SnO栅帽层的新型金刚石基垂直GaN‑HEMT器件及其制备方法，涉及半导体技术领域，该器件包括自下而上依次排布的Si‑Ir‑SrTiO3复合衬底、高质量金刚石单晶外延层、AlN/GaN超晶格层、N+‑GaN基底层、N‑GaN层、P‑GaN电流阻挡层，GaN/AlGaN异质结、p‑SnO栅帽层等结构，本发明将超结进行梯度掺杂并和高K介质的间隔排布能更有效的实现了调制电场，通过引入p‑SnO栅帽层使之变为常关型的E‑mode器件，金刚石结构衬底的引入大幅增强了器件的散热能力，提升了性能，相对于传统的超结结构，能在不牺牲击穿电压的情况下降低导通电阻，提升了器件的击穿电压，能更好的发挥器件的栅控能力，使器件的阈值电压正向漂移，有益于常关型的E‑mode器件的制作与后续同质衬底上CMOS反相器链的制作。
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公开(公告)号：CN114217200A
公开(公告)日：2022-03-22
申请号：CN202111507585.2
申请日：2021-12-10
Applicant: 西安电子科技大学芜湖研究院
IPC: G01R31/26
Abstract: 本发明公开了一种N极性III族氮化物半导体器件的性能预测方法及装置，其中的方法包括如下步骤：获取待预测器件各层的厚度和各层的组分；根据各层的厚度和各层的组分确定待预测器件中的异质结界面极化电荷；基于待预测器件的界面和内部电场特性确定待预测器件的静态性能与异质界面极化电荷之间的协同对应关系；获取待预测器件中各沟道顶部界面的势垒高度；根据异质结界面极化电荷、各沟道顶部界面的势垒高度、各层的组分和厚度以及协同对应关系确定待预测器件的静态性能。本发明中的方法，能够实现对N极性(III族氮化物)HEMTs器件结构的2DEG浓度和势垒高度进行计算，并预测2DHG的产生，有助于理解N极性多沟道HEMTs器件原理并指导器件制作。
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