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公开(公告)号：CN115966598A
公开(公告)日：2023-04-14
申请号：CN202211691889.3
申请日：2022-12-27
Applicant: 西安电子科技大学芜湖研究院
Inventor： 陈军飞 , 李逸江 , 任泽阳 , 苏凯 , 孟金涛 , 朱潦亮 , 王东 , 吴勇 , 陈兴 , 许琦辉 , 丁森川 , 李俊鹏 , 黄思源 , 费一帆 , 马源辰 , 何琦 , 张金风
IPC: H01L29/16 , H01L29/06 , H01L29/423 , H01L21/336 , H01L29/78
Abstract: 本发明公开了一种增强型金刚石场效应晶体管的制备方法及器件，其中的方法包括如下步骤：在本征金刚石层上生长p型掺杂金刚石层；对p型掺杂金刚石层的器件表面进行氢终端处理，以在p型掺杂金刚石层的器件表面形成氢终端导电层；去除栅极位置区域的氢终端导电层，并在栅极位置区域两侧的氢终端导电层上分别淀积源电极和漏电极；在p型掺杂金刚石层上的栅极位置区域生长栅介质层，并在栅介质层上淀积栅电极。本发明中的方法，能够制备得到大电流增强型金刚石场效应晶体管器件。
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公开(公告)号：CN114519275A
公开(公告)日：2022-05-20
申请号：CN202210160133.X
申请日：2022-02-22
Applicant: 西安电子科技大学芜湖研究院
IPC: G06F30/20 , G06F119/02
Abstract: 本发明公开了一种AlGaN/GaN HEMT器件小信号模型提取方法，涉及射频功率器件领域，通过对器件的三个电极施加相应的直流偏置，分别测出与不同的寄生参数相关的S参数，然后根据这些测得的S参数，基于二端口网络的原理，转换为与寄生电容相关的Y参数矩阵、与寄生电阻和寄生电感相关的Z参数矩阵，之后再将寄生参数去嵌，求得本征参数，本发明的方法针对寄生参数去嵌过程因结构导致的近似误差，提出了在所有测试频率下，逐个求取去嵌前后的S参数相对误差，并对所有频率的误差进行平均化，在保证了参数提取速度的同时，保证了参数的提取精度。
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公开(公告)号：CN114361121A
公开(公告)日：2022-04-15
申请号：CN202111656549.2
申请日：2021-12-30
Applicant: 西安电子科技大学芜湖研究院
IPC: H01L23/373 , H01L29/06 , H01L29/423 , H01L29/51 , H01L29/778 , H01L21/335 , H01L21/28
Abstract: 本发明公开了一种带有p‑SnO栅帽层的新型金刚石基垂直GaN‑HEMT器件及其制备方法，涉及半导体技术领域，该器件包括自下而上依次排布的Si‑Ir‑SrTiO3复合衬底、高质量金刚石单晶外延层、AlN/GaN超晶格层、N+‑GaN基底层、N‑GaN层、P‑GaN电流阻挡层，GaN/AlGaN异质结、p‑SnO栅帽层等结构，本发明将超结进行梯度掺杂并和高K介质的间隔排布能更有效的实现了调制电场，通过引入p‑SnO栅帽层使之变为常关型的E‑mode器件，金刚石结构衬底的引入大幅增强了器件的散热能力，提升了性能，相对于传统的超结结构，能在不牺牲击穿电压的情况下降低导通电阻，提升了器件的击穿电压，能更好的发挥器件的栅控能力，使器件的阈值电压正向漂移，有益于常关型的E‑mode器件的制作与后续同质衬底上CMOS反相器链的制作。
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公开(公告)号：CN115659629A
公开(公告)日：2023-01-31
申请号：CN202211296491.X
申请日：2022-10-21
Applicant: 西安电子科技大学芜湖研究院
IPC: G06F30/20
Abstract: 本发明公开了一种氢终端金刚石器件的小信号模型及其参数提取方法，其中方法包括：提取氢终端金刚石器件小信号模型中的基础寄生参数；基础寄生参数包括寄生电容Cpg、Cpgd、Cpd，寄生电感Lg、Ld、Ls，以及寄生电阻Rg、Rd、Rs；去嵌基础寄生参数后，提取氢终端金刚石器件小信号模型中的介质寄生参数和本征参数；介质寄生参数包括陷阱电流源g0；本征参数包括本征电容Cgs、Cgd、Cds，本征电阻Ri，本征电导gds，压控电流源gm，调节电感LT，调节电容CT，以及栅漏电流源gT；调节电感LT、调节电容CT和栅漏电流源gT用以修正氢终端金刚石器件的漏源电流Ids从衰减到恢复的过程。本发明中的方法，能够得到与氢终端金刚石器件拓扑结构相对应的具体参数。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN114203800A
公开(公告)日：2022-03-18
申请号：CN202111509416.2
申请日：2021-12-10
Applicant: 西安电子科技大学芜湖研究院
IPC: H01L29/06 , H01L29/423 , H01L29/778 , H01L21/335 , H01L21/28
Abstract: 本发明公开了一种基于HK‑PGaN梯度超结的新型垂直GaN‑HEMT器件及其制备方法，涉及半导体技术领域，该器件包括自下而上依次排布的Si衬底、AlN/GaN超晶格层、N+‑GaN基底层、N‑GaN层、P‑GaN电流阻挡层等结构，本发明将超结进行梯度掺杂并和高K介质的间隔排布能更有效的实现了调制电场，相对于传统的超结结构，这种渐变梯度的掺杂超结能在不牺牲击穿电压的情况下降低导通电阻，高K介质引入P‑GaN梯度柱有效的提升了器件的击穿电压，栅下的高K混合介质能更好的发挥器件的栅控能力，有效增加饱和电流并降低了导通电阻以及更有效的高温传导，该制备方法中的工艺步骤使用的均是目前比较成熟的技术，能够减少器件制造工艺过程中的损伤，提高器件的可靠性。
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公开(公告)号：CN114203800B
公开(公告)日：2024-04-09
申请号：CN202111509416.2
申请日：2021-12-10
Applicant: 西安电子科技大学芜湖研究院
IPC: H01L29/06 , H01L29/423 , H01L29/778 , H01L21/335 , H01L21/28
Abstract: 本发明公开了一种基于HK‑PGaN梯度超结的新型垂直GaN‑HEMT器件及其制备方法，涉及半导体技术领域，该器件包括自下而上依次排布的Si衬底、AlN/GaN超晶格层、N+‑GaN基底层、N‑GaN层、P‑GaN电流阻挡层等结构，本发明将超结进行梯度掺杂并和高K介质的间隔排布能更有效的实现了调制电场，相对于传统的超结结构，这种渐变梯度的掺杂超结能在不牺牲击穿电压的情况下降低导通电阻，高K介质引入P‑GaN梯度柱有效的提升了器件的击穿电压，栅下的高K混合介质能更好的发挥器件的栅控能力，有效增加饱和电流并降低了导通电阻以及更有效的高温传导，该制备方法中的工艺步骤使用的均是目前比较成熟的技术，能够减少器件制造工艺过程中的损伤，提高器件的可靠性。
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公开(公告)号：CN114361121B
公开(公告)日：2024-03-29
申请号：CN202111656549.2
申请日：2021-12-30
Applicant: 西安电子科技大学芜湖研究院
IPC: H01L23/373 , H01L29/06 , H01L29/423 , H01L29/51 , H01L29/778 , H01L21/335 , H01L21/28
Abstract: 本发明公开了一种带有p‑SnO栅帽层的新型金刚石基垂直GaN‑HEMT器件及其制备方法，涉及半导体技术领域，该器件包括自下而上依次排布的Si‑Ir‑SrTiO3复合衬底、高质量金刚石单晶外延层、AlN/GaN超晶格层、N+‑GaN基底层、N‑GaN层、P‑GaN电流阻挡层，GaN/AlGaN异质结、p‑SnO栅帽层等结构，本发明将超结进行梯度掺杂并和高K介质的间隔排布能更有效的实现了调制电场，通过引入p‑SnO栅帽层使之变为常关型的E‑mode器件，金刚石结构衬底的引入大幅增强了器件的散热能力，提升了性能，相对于传统的超结结构，能在不牺牲击穿电压的情况下降低导通电阻，提升了器件的击穿电压，能更好的发挥器件的栅控能力，使器件的阈值电压正向漂移，有益于常关型的E‑mode器件的制作与后续同质衬底上CMOS反相器链的制作。
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公开(公告)号：CN115717270A
公开(公告)日：2023-02-28
申请号：CN202211469366.4
申请日：2022-11-22
Applicant: 西安电子科技大学芜湖研究院
Abstract: 本发明公开了一种多晶金刚石的生长方法，其包括如下步骤：获取预处理后的钼衬底；预处理是指降低钼衬底粗糙度的处理；对钼衬底进行图案化处理，获得第一结构层；在第一结构层上涂抹金刚石粉溶液，获得第二结构层；在第二结构层上外延生长多晶金刚石。本发明中的方法，能够实现高质量多晶金刚石的生长。
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公开(公告)号：CN114519275B
公开(公告)日：2024-03-29
申请号：CN202210160133.X
申请日：2022-02-22
Applicant: 西安电子科技大学芜湖研究院
IPC: G06F30/20 , G06F119/02
Abstract: 本发明公开了一种AlGaN/GaN HEMT器件小信号模型提取方法，涉及射频功率器件领域，通过对器件的三个电极施加相应的直流偏置，分别测出与不同的寄生参数相关的S参数，然后根据这些测得的S参数，基于二端口网络的原理，转换为与寄生电容相关的Y参数矩阵、与寄生电阻和寄生电感相关的Z参数矩阵，之后再将寄生参数去嵌，求得本征参数，本发明的方法针对寄生参数去嵌过程因结构导致的近似误差，提出了在所有测试频率下，逐个求取去嵌前后的S参数相对误差，并对所有频率的误差进行平均化，在保证了参数提取速度的同时，保证了参数的提取精度。
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