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公开(公告)号：CN101339906A
公开(公告)日：2009-01-07
申请号：CN200810068861.8
申请日：2008-08-12
Applicant: 贵州大学
IPC: H01L21/363 , H01L31/18 , H01L33/00
CPC classification number: Y02P70/521
Abstract: 本发明公开了一种新型环境半导体光电子材料β－FeSi2薄膜的制备工艺，涉及一种Fe－Si化合物，首先采用磁控溅射方法在Si基片上沉积一层厚度50－150nm的金属Fe膜，随后在真空退火炉中880－920℃退火12－18小时获得Fe－Si化合物中的半导体相β－FeSi2薄膜，由于采用直流磁控溅射方法，使沉积在Si基片上的Fe膜厚度均匀、工艺简单、成本低，易于制备大面积β－FeSi2薄膜，易于工业化生产，又由于退火时间和温度能严格控制，产品质量稳定，重现性好。
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公开(公告)号：CN110134261B
公开(公告)日：2023-07-28
申请号：CN201910430599.5
申请日：2019-05-22
Applicant: 贵州大学
IPC: G06F3/0354
Abstract: 本发明提供了一种还原真实书写的电子笔，包括中央处理器；所述中央处理器连接控制初始设置按钮、上翻页按钮、下翻页按钮、激光灯开光、激光灯头、状态指示灯，激光灯头、激光灯开光、上翻页按钮、下翻页按钮、状态指示灯、初始设置按钮均安装在一笔状壳体上；中央处理器还连接控制有惯性传感器；中央处理器至少有两种工作模式。本发明既能在电脑显示屏幕上提供真实书写体验、还原真实笔迹，基本等同于在纸上书写的字迹，不影响人用笔的书写习惯，也能提供常规激光笔的激光指向功能，一定程度上可以代替触摸屏组件，其设置简单，用户体验好，市场前景佳。
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公开(公告)号：CN109467088A
公开(公告)日：2019-03-15
申请号：CN201811599765.6
申请日：2018-12-26
Applicant: 贵州大学
IPC: C01B32/956 , B03C1/12
Abstract: 本发明公开了一种从研磨铁料中深度提取碳化硅微粉的装置，它包括传送带机构和位于传送带机构上侧的下料斗，所述传送带机构和下料斗均通过支架支撑在地面上，所述下料斗的侧壁上螺接有滚筒架，所述滚筒架的底端通过支撑轴安装有细分离电磁铁吸附辊，所述下料斗的另一侧壁上螺接有安装支架，所述安装支架的顶端通过销轴连接有粗分离电磁铁吸附板，所述粗分离电磁铁吸附板的上表面上均匀设置有分散凸块，所述安装支架的侧壁上焊接有支柱，所述支柱与粗分离电磁铁吸附板之间支撑有缓冲弹簧，所述粗分离电磁铁吸附板下表面远离销轴的一端设置有振动机构；解决了对于碳化硅的提取不够彻底，影响铁粉成品的质量的问题。
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公开(公告)号：CN105441877B
公开(公告)日：2018-02-23
申请号：CN201510905584.1
申请日：2015-12-10
Applicant: 贵州大学
Abstract: 本发明公开了一种电阻式热蒸发制备铁磁性材料Fe3Si薄膜的工艺，其特征在于：它包括下述步骤：第一步骤，选取耐高温石英片和单晶Si片作衬底，清洗吹干；第二步骤，将铁颗粒和硅颗粒按不同配比进行备料；第三步骤，按上述步骤得到的不同配比镀料，在衬底上蒸镀一层Fe‑Si混合薄膜；第四步骤，将上述步骤得到的样品放置于高真空热处理炉中800～900℃退火2小时获得Fe‑Si化合物中的金属相Fe3Si铁磁性薄膜。
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公开(公告)号：CN106653569A
公开(公告)日：2017-05-10
申请号：CN201611156214.3
申请日：2016-12-14
Applicant: 贵州大学
IPC: H01L21/02
CPC classification number: H01L21/02266 , H01L21/02107
Abstract: 本发明提供一种半导体材料β‑SiC薄膜的制备方法，首先，选取普通石墨片或热解石墨为衬底，清洗吹干；然后在衬底上溅射沉积一层Si膜，形成Si/C结构；最后放置于高真空热处理炉中1000℃退火10～14小时获得宽带隙半导体β‑SiC薄膜。与现有技术相比，本发明采用石墨片为衬底，直接以Si靶为靶材，采用磁控溅射法，工艺参数易于控制，且制备的SiC薄膜均匀，重复性良好，解决硅衬底与碳化硅之间存在较大的晶格失配和热膨胀失配，且克服现有技术存在的工艺参数难控制，成本较高，难于大规模生产等缺点。本发明属于半导体薄膜制备技术领域。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN105463393A
公开(公告)日：2016-04-06
申请号：CN201510905593.0
申请日：2015-12-10
Applicant: 贵州大学
CPC classification number: C23C14/35 , C23C14/165 , C23C14/5806 , H01F10/007 , H01F10/18 , H01F41/18 , H01F41/22
Abstract: 本发明公开了一种磁性Fe3Si颗粒膜的制备工艺，它包括下述步骤：首先，选取单晶Si片作衬底，清洗吹干；然后在衬底上先溅射沉积一层Si膜，再溅射沉积一层Fe膜，形成Si/Si/Fe结构，使Fe膜和Si膜的膜厚比约为3:1；最后放置于高真空热处理炉中650～750℃退火1～4小时获得Fe-Si化合物中的金属相Fe3Si磁性颗粒膜。与现有技术相比，本发明采用分层溅射的方法制备Fe3Si磁性颗粒膜，工艺参数易于控制，且复合薄膜均匀，重复性良好，在工艺复杂性，成本和大规模生产上都有着突出优越性，在自旋电子器件领域具有广阔的应用前景。
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公开(公告)号：CN102925866B
公开(公告)日：2015-03-11
申请号：CN201210455881.7
申请日：2012-11-14
Applicant: 贵州大学
Abstract: 本发明公开了一种单一相Mg2Si半导体薄膜的制备工艺，它包括以下过程：第一、Si衬底上蒸发沉积Mg膜,首先将Si片清洗干燥,将Si片固定在电阻热蒸发室上方的样品架上，Mg颗粒放置在蒸发坩埚内，进行蒸镀；第二、退火工艺，蒸镀完成后的Si片置于高真空退火炉中进行低真空氛围退火，最后制备出单一相Mg2Si半导体薄膜；解决了现有技术存在的实验条件苛刻，成本较高，难于工业化推广等缺点，以及采用电子束蒸发沉积工艺，在退火炉中退火过程中采用氩气氛围退火，有MgO氧化物等杂质的产生，最终影响Mg2Si的品质等问题。
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公开(公告)号：CN104018124A
公开(公告)日：2014-09-03
申请号：CN201410273829.9
申请日：2014-06-19
Applicant: 贵州大学
Abstract: 本发明公开了一种半导体材料SiC薄膜的制备工艺，它包括下述步骤：步骤1、选取石墨片为衬底材料，并将石墨片打磨清洗干燥；步骤2、将石墨片固定在蒸镀室上方的样品架上，Si颗粒放置在蒸发坩埚内；步骤3、蒸镀；步骤4、蒸镀后冷却；步骤5、将蒸镀冷却后的石墨片固定在磁控溅射溅射室的转盘上，C靶材放置在射频靶上，溅射气体为Ar气；步骤6、溅射；步骤7、溅射后冷却，再取出置于高真空退火炉中退火，形成半导体SiC多晶薄膜；解决了传统采用单晶硅衬底作为基片制备碳化硅薄膜存在的成本高、工艺繁琐以及硅衬底与碳化硅之间存在较大的晶格失配和热膨胀失配，严重限制了其器件的性能和使用寿命等问题。
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公开(公告)号：CN110134261A
公开(公告)日：2019-08-16
申请号：CN201910430599.5
申请日：2019-05-22
Applicant: 贵州大学
IPC: G06F3/0354
Abstract: 本发明提供了一种还原真实书写的电子笔，包括中央处理器；所述中央处理器连接控制初始设置按钮、上翻页按钮、下翻页按钮、激光灯开光、激光灯头、状态指示灯，激光灯头、激光灯开光、上翻页按钮、下翻页按钮、状态指示灯、初始设置按钮均安装在一笔状壳体上；中央处理器还连接控制有惯性传感器；中央处理器至少有两种工作模式。本发明既能在电脑显示屏幕上提供真实书写体验、还原真实笔迹，基本等同于在纸上书写的字迹，不影响人用笔的书写习惯，也能提供常规激光笔的激光指向功能，一定程度上可以代替触摸屏组件，其设置简单，用户体验好，市场前景佳。
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公开(公告)号：CN105463393B
公开(公告)日：2019-01-15
申请号：CN201510905593.0
申请日：2015-12-10
Applicant: 贵州大学
Abstract: 本发明公开了一种磁性Fe3Si颗粒膜的制备工艺，它包括下述步骤：首先，选取单晶Si片作衬底，清洗吹干；然后在衬底上先溅射沉积一层Si膜，再溅射沉积一层Fe膜，形成Si/Si/Fe结构，使Fe膜和Si膜的膜厚比约为3:1；最后放置于高真空热处理炉中650～750℃退火1～4小时获得Fe‑Si化合物中的金属相Fe3Si磁性颗粒膜。与现有技术相比，本发明采用分层溅射的方法制备Fe3Si磁性颗粒膜，工艺参数易于控制，且复合薄膜均匀，重复性良好，在工艺复杂性，成本和大规模生产上都有着突出优越性，在自旋电子器件领域具有广阔的应用前景。
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