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公开(公告)号：CN110134261A
公开(公告)日：2019-08-16
申请号：CN201910430599.5
申请日：2019-05-22
Applicant: 贵州大学
IPC: G06F3/0354
Abstract: 本发明提供了一种还原真实书写的电子笔，包括中央处理器；所述中央处理器连接控制初始设置按钮、上翻页按钮、下翻页按钮、激光灯开光、激光灯头、状态指示灯，激光灯头、激光灯开光、上翻页按钮、下翻页按钮、状态指示灯、初始设置按钮均安装在一笔状壳体上；中央处理器还连接控制有惯性传感器；中央处理器至少有两种工作模式。本发明既能在电脑显示屏幕上提供真实书写体验、还原真实笔迹，基本等同于在纸上书写的字迹，不影响人用笔的书写习惯，也能提供常规激光笔的激光指向功能，一定程度上可以代替触摸屏组件，其设置简单，用户体验好，市场前景佳。
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公开(公告)号：CN113088902B
公开(公告)日：2022-07-05
申请号：CN202110390892.0
申请日：2021-04-12
Applicant: 贵州大学
Abstract: 本发明公开了一种在原料氧化情况下制备单一相高锰硅薄膜的工艺方法：以含有MnO的Mn靶材作为原料，在Si衬底上通过磁控溅射的方法制备薄膜，构成“Si衬底—Si薄膜—含有氧化物的Mn薄膜”三层结构样品，进而在真空条件下高温退火。基于该工艺办法，通过控制“Si衬底—Si薄膜—含有氧化物的Mn薄膜”三层结构中的Si薄膜中间层溅射时间，可以完全消除掉本来含量占比很大的MnO，获得单一相的高锰硅薄膜材料，显著降低了获得高锰硅薄膜对原料、储存及工艺条件的要求，使得高锰硅薄膜的制备更为简单，产业化生产成本降低，生产效率得到提高。
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公开(公告)号：CN113088902A
公开(公告)日：2021-07-09
申请号：CN202110390892.0
申请日：2021-04-12
Applicant: 贵州大学
Abstract: 本发明公开了一种在原料氧化情况下制备单一相高锰硅薄膜的工艺方法：以含有MnO的Mn靶材作为原料，在Si衬底上通过磁控溅射的方法制备薄膜，构成“Si衬底—Si薄膜—含有氧化物的Mn薄膜”三层结构样品，进而在真空条件下高温退火。基于该工艺办法，通过控制“Si衬底—Si薄膜—含有氧化物的Mn薄膜”三层结构中的Si薄膜中间层溅射时间，可以完全消除掉本来含量占比很大的MnO，获得单一相的高锰硅薄膜材料，显著降低了获得高锰硅薄膜对原料、储存及工艺条件的要求，使得高锰硅薄膜的制备更为简单，产业化生产成本降低，生产效率得到提高。
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公开(公告)号：CN110134261B
公开(公告)日：2023-07-28
申请号：CN201910430599.5
申请日：2019-05-22
Applicant: 贵州大学
IPC: G06F3/0354
Abstract: 本发明提供了一种还原真实书写的电子笔，包括中央处理器；所述中央处理器连接控制初始设置按钮、上翻页按钮、下翻页按钮、激光灯开光、激光灯头、状态指示灯，激光灯头、激光灯开光、上翻页按钮、下翻页按钮、状态指示灯、初始设置按钮均安装在一笔状壳体上；中央处理器还连接控制有惯性传感器；中央处理器至少有两种工作模式。本发明既能在电脑显示屏幕上提供真实书写体验、还原真实笔迹，基本等同于在纸上书写的字迹，不影响人用笔的书写习惯，也能提供常规激光笔的激光指向功能，一定程度上可以代替触摸屏组件，其设置简单，用户体验好，市场前景佳。
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