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公开(公告)号：CN116497436B
公开(公告)日：2023-09-05
申请号：CN202310745496.4
申请日：2023-06-25
申请人： 通威微电子有限公司
摘要： 本申请提供了一种碳化硅制备方法及制得的碳化硅晶体，涉及半导体领域。碳化硅制备方法应用于碳化硅晶体生长装置，包括通过进气管路向坩埚内输入第一气体，第一气体包括载气和掺杂气体；通过进气口向加热炉内输入第二气体，第一气体和第二气体由下向上运动。本申请的碳化硅制备方法将通入到生长装置中的气体分成独立的两路，通入坩埚内的第一气体中含有掺杂气体，可以直接参与形成碳化硅晶体，保证掺杂气体浓度的稳定性和均一性。由于两路气体单独控制，使得坩埚内、外的压力差更加可控，通过控制坩埚内外的压力差和进气口、出气口的位置设置，控制长晶气相组分的传输方向和浓度分布，降低晶体缺陷形成概率，有利于提高碳化硅晶体质量。
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公开(公告)号：CN116497436A
公开(公告)日：2023-07-28
申请号：CN202310745496.4
申请日：2023-06-25
申请人： 通威微电子有限公司
摘要： 本申请提供了一种碳化硅制备方法及制得的碳化硅晶体，涉及半导体领域。碳化硅制备方法应用于碳化硅晶体生长装置，包括通过进气管路向坩埚内输入第一气体，第一气体包括载气和掺杂气体；通过进气口向加热炉内输入第二气体，第一气体和第二气体由下向上运动。本申请的碳化硅制备方法将通入到生长装置中的气体分成独立的两路，通入坩埚内的第一气体中含有掺杂气体，可以直接参与形成碳化硅晶体，保证掺杂气体浓度的稳定性和均一性。由于两路气体单独控制，使得坩埚内、外的压力差更加可控，通过控制坩埚内外的压力差和进气口、出气口的位置设置，控制长晶气相组分的传输方向和浓度分布，降低晶体缺陷形成概率，有利于提高碳化硅晶体质量。
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公开(公告)号：CN117089932B
公开(公告)日：2024-04-16
申请号：CN202311265796.9
申请日：2023-09-27
申请人： 通威微电子有限公司
摘要： 本发明提供了一种碳化硅晶体生长装置，涉及碳化硅生产领域，包括坩埚、籽晶固定机构及籽晶，籽晶固定机构包括支撑板，支撑板设置于坩埚内且开设有避位孔和与避位孔连通的通气槽，通气槽贯穿避位孔的内表面和支撑板的上表面，籽晶支撑于支撑板的上表面，籽晶遮盖避位孔的全部和通气槽的局部，以使流动至避位孔边缘的气相长晶组分通过通气槽穿过支撑板。通过设置通气槽导通籽晶的下表面与避位孔的内表面之间的夹角与支撑板的上方空间，使得气相长晶组分在向上流动至该夹角处时，可以通过通气槽穿过支撑板而不会在夹角处富集，从而降低晶体在籽晶边缘的生长速率，避免晶体局部形成“凹界面”和多晶生长，提高晶体的生长质量。
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公开(公告)号：CN116716655B
公开(公告)日：2024-04-02
申请号：CN202310705595.X
申请日：2023-06-14
申请人： 通威微电子有限公司
摘要： 本发明提供了一种生长高质量碳化硅晶体的装置、方法及碳化硅晶体，涉及碳化硅晶体生长领域，本装置内设置有用于引导气相长晶组分流向籽晶的环形导流板，环形导流板上设置有均压结构，通过在环形导流板上设置该均压结构，可以有效减小环形导流板上方的第二腔室和下方的第一腔室的压差，使两个腔室的压力尽量接近，这样就可以有效降低气相长晶组分在环形导流板顶端和籽晶边缘之间的间隙处的流速，从而使得籽晶边缘的碳化硅晶体的生长速度与籽晶中心的碳化硅晶体的生长速度尽可能相同，进而避免生长在籽晶上的碳化硅晶体出现“凹界面”等缺陷，提高碳化硅晶体的生长质量。本方法制备的碳化硅晶体具有缺陷少，质量高的特点。
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公开(公告)号：CN117342560B
公开(公告)日：2024-02-27
申请号：CN202311657991.6
申请日：2023-12-06
申请人： 通威微电子有限公司
IPC分类号： C01B32/956
摘要： 本发明提供了一种碳化硅粉料合成方法，涉及碳化硅粉料合成技术领域，该方法首先将硅源和碳源依次放入合成坩埚，然后将合成坩埚在真空条件下进行升温脱气提纯，再向合成坩埚内通入稀有气体和纯化气体至0.2MPa，并保持恒正压，加热合成坩埚至2300‑2500℃并保持5‑50h，以使硅源会升华并通过挥发通道进入上部腔室并与碳源反应生成碳化硅粉体，再将冷却后的碳化硅粉体取出进行研磨，最后将研磨后的碳化硅分体进行二次提纯。相较于现有技术，本发明由于将碳源和硅源分开放置，并且硅源在恒正压情况下升华并合成碳化硅，可以有效减少絮状原料，增加高密度结晶颗粒料的占比，从而大幅提
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公开(公告)号：CN116553555B
公开(公告)日：2023-09-26
申请号：CN202310826893.4
申请日：2023-07-07
申请人： 通威微电子有限公司
IPC分类号： C01B32/984
摘要： 本发明提供了一种大公斤碳化硅粉料合成方法，涉及碳化硅粉料制备技术领域，该方法将炉腔升温至第一排杂温度T1，利用PVC颗粒层的一次分解气体将大量杂气得以清除，实现一次排杂，然后再将炉腔升温至第二排杂温度T2，利用持续分解产生的二次分解气体持续带走杂气，实现二次排杂，持续将杂质去除，最后将炉腔升温至第三排杂温度，利用三次分解气体实现三次排杂。相较于现有技术，本发明一方面采用分散装料的方式，减小原料积压，减少碳化挥发现象，实现大公斤粉料的制备，提升产出率。另一方面使得反应坩埚能够实现不同温区的多次换气排杂，大幅提升排杂效果，可以有效提高粉料纯度。
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公开(公告)号：CN220425362U
公开(公告)日：2024-02-02
申请号：CN202321958504.5
申请日：2023-07-24
申请人： 通威微电子有限公司
IPC分类号： B01J19/24 , C01B32/956 , F27B14/10
摘要： 本实用新型提供了一种碳化硅粉料合成装置，涉及碳化硅粉料合成技术领域，该碳化硅粉料合成装置包括合成坩埚、坩埚盖和多孔分隔筒，多孔分隔筒容纳在合成坩埚内，多孔分隔筒的外侧壁与合成坩埚的内侧壁之间形成用于容纳碳化硅粉料的粉料容纳槽，多孔分隔筒的外径沿着远离坩埚盖的方向逐渐减小。相较于现有技术，本实用新型通过增设多孔分隔筒，且粉料容纳槽的宽度沿着远离坩埚盖的方向逐渐增大，在高温合成反应中，会优先挥发边缘和底部的细粉料，从而有效减少内部碳化，提高产量的同时，挥发的细粉料会通过多孔分隔筒与内部的原料各微粒表面重结晶，从而增大粒径，并且也实现了细粉料的再利用，增效降本。
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公开(公告)号：CN220057121U
公开(公告)日：2023-11-21
申请号：CN202321507994.7
申请日：2023-06-13
申请人： 通威微电子有限公司
摘要： 本申请提供一种晶体生长装置，涉及半导体领域。在本申请实施例的晶体生长装置中，加热组件上方设置了带有避让孔的隔热板，隔热板可在升降机构的驱动下上下移动。因隔热板对热辐射的阻隔效果，隔热板上方空间热辐射较少。使用时令坩埚上端穿过隔热板的避让孔，通过升降组件驱动隔热板上下移动，可以调整坩埚内部具有合适的温度梯度，相较于现有技术，本申请并不需要设置上下间隔分布的多段加热器并分别控制加热功率，使得晶体生长装置的加热方式变得简单高效。
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公开(公告)号：CN220708098U
公开(公告)日：2024-04-02
申请号：CN202322407373.8
申请日：2023-09-04
申请人： 通威微电子有限公司
摘要： 本实用新型提供了一种碳化硅粉料合成坩埚和碳化硅粉料合成设备，涉及碳化硅粉料合成技术领域，该碳化硅粉料合成坩埚包括坩埚本体、坩埚盖和过滤装置，坩埚本体用于容纳合成原料，坩埚盖设置在坩埚本体上，过滤装置罩设在坩埚本体的顶部，并覆盖在坩埚盖上，且过滤装置坩埚本体可拆卸连接，过滤装置用于过滤坩埚本体排出的腐蚀气体。相较于现有技术，本实用新型提供的碳化硅粉料合成坩埚，能够对挥发气体进行过滤，有效消除腐蚀气体的外溢，避免对外部石墨结构进行腐蚀，提升了整体设备的使用寿命。
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公开(公告)号：CN220977228U
公开(公告)日：2024-05-17
申请号：CN202322580599.8
申请日：2023-09-21
申请人： 通威微电子有限公司
摘要： 本申请公开了一种坩埚和晶体生长装置，涉及半导体制造技术领域。本申请的坩埚包括坩埚主体和坩埚盖，坩埚主体形成具有开口的容纳腔，坩埚盖盖设于坩埚主体的容纳腔的开口处，坩埚盖上具有偏心设置的导气孔。由于导气孔是偏心设置的，因此在长晶面与坩埚同轴设置的情况下，瞬态长晶区域偏离中心轴线，实现非均匀对称式的晶体生长模式。随着坩埚相对于长晶面旋转，长晶气相组分沉积到长晶面上的位置周期性变换，同一时间整个晶体生长面范围只有部分区域有沉积生长，可尽量降低晶体生长中心的数量，从而减少不同生长中心之间台阶流的汇合和碰撞，提高晶体生长质量。本申请提供的晶体生长装置包括上述的坩埚，有利于提高晶体生长质量。
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