公开(公告)号：CN102792432A

公开(公告)日：2012-11-21

申请号：CN201180013415.7

申请日：2011-02-08

Applicant: 飞思卡尔半导体公司

Inventor： 利萨·H·卡林 ,  刘连军 ,  亚历克斯·P·帕马塔特 ,  保罗·M·维内贝格尔

IPC: H01L21/50

CPC classification number: B81B3/0018 ,  B81B7/007 ,  H01L21/50 ,  H01L21/78 ,  H01L23/04 ,  H01L24/94 ,  H01L24/97 ,  H01L2224/94 ,  H01L2224/97 ,  H01L2924/1461 ,  H01L24/03 ,  H01L24/26 ,  H01L24/83 ,  H01L2224/83 ,  H01L2224/03 ,  H01L2224/27

Abstract: 晶圆结构(88)包括器件晶圆(20)以及帽晶圆(60)。所述器件晶圆(20)上的每一个半导体管芯(22)包括微电子器件(26)以及终端元件(28,30)。栅栏(36,52)放置在所述器件晶圆(20)的非活跃区(32,50)。所述帽晶圆(60)耦合于所述器件晶圆(20)，以及覆盖所述半导体管芯(22)。移除所述帽晶圆(60)的部分(72)以暴露所述终端元件(28,30)。所述栅栏(36,52)可以高于元件(28,30)，以及当所述部分(72)被移除的时候，起到阻止所述部分(72)与所述终端元件(28,30)接触的功能。单一化切割所述晶圆结构(88)以形成多个半导体器件(89)，每一个器件(89)包括被所述帽晶圆(60)的截面覆盖的微电子器件(26)以及从所述帽晶圆(60)暴露出来的所述终端元件(28,30)。

公开(公告)号：CN102113212B

公开(公告)日：2014-02-05

申请号：CN200980130621.9

申请日：2009-05-14

Applicant: 飞思卡尔半导体公司

Inventor： 刘连军 ,  乔纳森·K·阿布洛克瓦 ,  奥林·L·哈廷 ,  李强

IPC: H03H7/42

CPC classification number: H03H7/42 ,  H01F19/08 ,  H01F2017/0046 ,  H03H7/1758 ,  H03H7/1766 ,  H03H7/1775

Abstract: 一种平衡-不平衡(balun)信号变换器(48)，其包括：不平衡端口(30)；耦合到该不平衡端口的平衡端口(50)，该平衡端口包括第一端子(52)和第二端子(54)；耦合到第一端子的第一电容器(90)；耦合到地和第一电容器的第一电感器(92)；耦合到第二端子的第二电容器(94)；以及耦合到地和第二电容器的第二电感器(96)。该变换器还可以包括耦合到不平衡端口的端子的第三电容器(84)；以及耦合到该第三电容器和第三端子的第三电感器(82)。

公开(公告)号：CN102452638A

公开(公告)日：2012-05-16

申请号：CN201110334782.9

申请日：2011-10-24

Applicant: 飞思卡尔半导体公司

Inventor： 利萨·H·卡林 ,  大卫·W·基尔斯特 ,  刘连军 ,  刘威 ,  鲁本·B·蒙特兹 ,  罗伯特·F·施泰梅尔

IPC: B81C1/00

CPC classification number: B81C1/00801 ,  B81B2207/07 ,  B81C2201/053

Abstract: 本发明提供一种制作微机电系统(MEMS)装置的方法。形成MEMS装置(10)的方法包括在衬底(12)上方形成牺牲层(34)。所述方法进一步包括在牺牲层(34)上方形成金属层(42)，以及形成覆于金属层(42)之上的保护层(44)。所述方法进一步包括蚀刻保护层(44)和金属层(42)以形成具有在金属层的保留部上方形成的保护层的保留部的结构(56)。所述方法进一步包括蚀刻牺牲层(34)以形成MEMS装置的可移动部，其中保护层的保留部在蚀刻牺牲层(34)以形成MEMS装置(10)的可移动部期间保护金属层的保留部。

公开(公告)号：CN101390226A

公开(公告)日：2009-03-18

申请号：CN200780006767.3

申请日：2007-01-31

Applicant: 飞思卡尔半导体公司

Inventor： 刘连军

IPC: H01L41/00 ,  H02N2/00

CPC classification number: H01H57/00 ,  H01H2057/006

Abstract: 一种MEMS压电开关(100)，其提供结构紧凑、易于在单个单元中制造、以及没有高温导致的接触材料的形态变化与作为结果而发生的对特性的不利影响的优点。高温导致的形态变化指：当诸如射频线(125，130)和短路条(150)的金属接触暴露到退火压电层所要求的温度或者如果换而使用高温沉积处理而在压电层的高温沉积期间所遇到的温度时，在制造期间发生的变化。