公开(公告)号：CN107267076A

公开(公告)日：2017-10-20

申请号：CN201710413926.7

申请日：2013-08-23

申请人： 迪睿合电子材料有限公司

发明人： 筱原诚一郎 ,  阿久津恭志

IPC分类号： C09J7/00 ,  C09J9/02 ,  B32B27/08 ,  B32B27/30 ,  B32B27/38 ,  B32B27/18 ,  B32B7/08 ,  B32B3/26 ,  B32B3/30 ,  B32B3/28 ,  H01L21/60

CPC分类号： C09J5/06 ,  C09J7/10 ,  C09J9/02 ,  C09J2201/36 ,  C09J2201/602 ,  H01L2224/29076 ,  H01L2224/29083 ,  H01L2224/2929 ,  H01L2224/293 ,  H01L2224/29499 ,  H01R4/04 ,  H05K3/323 ,  C09J7/00 ,  B32B3/263 ,  B32B3/28 ,  B32B3/30 ,  B32B7/08 ,  B32B27/08 ,  B32B27/18 ,  B32B27/308 ,  B32B27/38 ,  B32B2307/202 ,  B32B2307/412 ,  B32B2363/00 ,  B32B2398/10 ,  B32B2457/00 ,  C09J2203/326 ,  H01L24/26

摘要： 各向异性导电膜如下制造：将光聚合性绝缘性树脂压入开口内配置有导电粒子的透光性的转印模的该开口内，使导电粒子转粘在光聚合性绝缘性树脂层的表面，由此形成第1连接层，该第1连接层具有导电粒子以单层排列在光聚合性绝缘性树脂层的平面方向上的结构，还具有相邻的导电粒子之间的中央区域的光聚合性绝缘性树脂层厚度比导电粒子附近的光聚合性绝缘性树脂层厚度减薄的结构；由透光性转印模一侧对第1连接层照射紫外线；从第1连接层除去剥离膜；在第1连接层的与透光性转印模相反一侧的表面上形成第2连接层；在第1连接层的与第2连接层相反一侧的表面上形成第3连接层。

公开(公告)号：CN104112659B

公开(公告)日：2017-05-31

申请号：CN201410158402.4

申请日：2014-04-18

申请人： 精材科技股份有限公司

发明人： 张峻维 ,  陈瑰玮 ,  郑家明 ,  林佳升 ,  陈键辉 ,  刘沧宇

IPC分类号： H01L21/302 ,  H01L21/78 ,  H01L23/00

CPC分类号： H01L24/26 ,  H01L21/6835 ,  H01L21/76898 ,  H01L21/78 ,  H01L21/784 ,  H01L23/3192 ,  H01L24/05 ,  H01L24/11 ,  H01L24/13 ,  H01L24/27 ,  H01L24/94 ,  H01L2224/02371 ,  H01L2224/02372 ,  H01L2224/03002 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/04042 ,  H01L2224/04105 ,  H01L2224/05009 ,  H01L2224/05548 ,  H01L2224/05562 ,  H01L2224/05566 ,  H01L2224/05567 ,  H01L2224/05624 ,  H01L2224/05647 ,  H01L2224/05655 ,  H01L2224/11002 ,  H01L2224/13022 ,  H01L2224/13024 ,  H01L2224/13025 ,  H01L2224/131 ,  H01L2224/13111 ,  H01L2224/94 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/15788 ,  H01L2924/00 ,  H01L2224/11 ,  H01L2924/014 ,  H01L2224/03

摘要： 本发明提供一种晶片封装体、晶圆级晶片阵列及其制造方法，该晶圆级晶片阵列包含一半导体晶圆，具有相邻排列的至少二晶片以及一承载层，各该晶片具有一上表面及一下表面，且于该上表面包含至少一电子元件，该承载层覆盖于各该晶片的上表面；以及至少一外延线保护块，配置于该承载层之下且位于该至少二晶片之间，该外延线保护块的厚度小于该晶片的厚度，其中，该外延线保护块内部具有至少一外延线。本发明具有制程简化以及成本低廉的功效。

公开(公告)号：CN106560919A

公开(公告)日：2017-04-12

申请号：CN201510644990.7

申请日：2015-10-06

申请人： 富葵精密组件(深圳)有限公司 ,  宏启胜精密电子(秦皇岛)有限公司 ,  鹏鼎科技股份有限公司

发明人： 衡弘强

IPC分类号： H01L23/488 ,  H01L21/60

CPC分类号： H01L2224/16 ,  H01L23/488 ,  H01L24/03 ,  H01L24/04 ,  H01L24/26 ,  H01L24/28

摘要： 本发明涉及一种焊垫，形成在一基体上并与该基体电连接。所述焊垫包括接触部及围绕所述接触部的外围部。所述外围部形成有多条凹槽。所述接触部的厚度大于所述外围部的厚度。所述接触部与所述外围部形成阶梯结构。本发明还涉及一种焊垫制作方法。

公开(公告)号：CN106469697A

公开(公告)日：2017-03-01

申请号：CN201610090319.7

申请日：2016-02-18

申请人： 台湾积体电路制造股份有限公司

发明人： 杨天中 ,  黄麟智 ,  陈宪伟 ,  苏安治 ,  黄立贤

IPC分类号： H01L23/48 ,  H01L23/488 ,  H01L21/60

CPC分类号： H01L23/3114 ,  H01L21/486 ,  H01L21/561 ,  H01L21/565 ,  H01L21/568 ,  H01L21/78 ,  H01L23/4824 ,  H01L23/485 ,  H01L23/49811 ,  H01L23/49866 ,  H01L23/49894 ,  H01L24/03 ,  H01L24/10 ,  H01L24/11 ,  H01L24/13 ,  H01L24/20 ,  H01L24/94 ,  H01L24/97 ,  H01L2021/60022 ,  H01L2224/0391 ,  H01L2224/04105 ,  H01L2224/10126 ,  H01L2224/11013 ,  H01L2224/11466 ,  H01L2224/11602 ,  H01L2224/12105 ,  H01L2224/13005 ,  H01L2224/13026 ,  H01L2224/16227 ,  H01L2224/94 ,  H01L2225/1035 ,  H01L2225/1058 ,  H01L2924/18162 ,  H01L2224/03 ,  H01L23/48 ,  H01L23/488 ,  H01L24/02 ,  H01L24/07 ,  H01L24/15 ,  H01L24/26 ,  H01L24/27 ,  H01L24/31

摘要： 一种半导体器件包括半导体衬底、位于半导体衬底上的导电焊盘以及位于导电焊盘上方的导体。半导体器件还具有设置在半导体衬底上方并环绕导体的聚合材料。半导体器件还包括位于导体和聚合材料之间的导电层。在半导体器件中，导电层和聚合材料之间的粘合强度大于聚合材料和导体之间的粘合强度。本发明还提供了半导体器件的制造方法。

公开(公告)号：CN106469687A

公开(公告)日：2017-03-01

申请号：CN201610249846.8

申请日：2016-04-20

申请人： 爱思开海力士有限公司

发明人： 金明燮 ,  金宰颍 ,  文起一

IPC分类号： H01L23/12 ,  H01L21/60 ,  H01L23/48 ,  H05K3/40

CPC分类号： H01L21/4857 ,  H01L21/6835 ,  H01L23/49816 ,  H01L23/49827 ,  H01L2221/68345 ,  H01L2221/68386 ,  H01L2224/16 ,  H01L2224/48228 ,  H01L2924/15311 ,  H01L2924/181 ,  H05K1/181 ,  H05K3/007 ,  H05K3/4007 ,  H05K2203/0369 ,  H05K2203/041 ,  H05K2203/049 ,  H01L2924/00012 ,  H01L23/12 ,  H01L23/48 ,  H01L24/26 ,  H01L24/27 ,  H01L24/31 ,  H01L2224/3301 ,  H01L2224/331 ,  H05K3/40

摘要： 具有嵌入式电路图案的封装基板其制造方法及半导体封装。提供了一种制造封装基板的方法。该方法可包括在导电层中形成隔离沟，并且在所述导电层上形成第一介电层，以提供填充所述隔离沟的隔离壁部分。该方法可包括使所述导电层凹进，以在由所述隔离壁部分限定并分离的电路沟中形成电路图案。该方法可包括形成覆盖所述电路图案的第二介电层，并且对所述第一介电层和所述第二介电层进行构图，以暴露部分所述电路图案。所述电路图案的暴露的部分可充当连接器。

公开(公告)号：CN105655308A

公开(公告)日：2016-06-08

申请号：CN201510840013.4

申请日：2015-11-27

申请人： 英飞凌科技德累斯顿有限责任公司

发明人： M.莱姆克 ,  S.特根 ,  R.魏斯

IPC分类号： H01L23/485 ,  H01L21/60

CPC分类号： H01L29/7813 ,  H01L21/823487 ,  H01L27/0883 ,  H01L29/0696 ,  H01L29/1095 ,  H01L29/407 ,  H01L29/41766 ,  H01L29/45 ,  H01L29/66734 ,  H01L29/7397 ,  H01L29/7398 ,  H01L29/7809 ,  H01L24/26 ,  H01L24/83

摘要： 本发明涉及具有掩埋掺杂区域和接触结构的半导体器件。一种半导体器件包括在距半导体本体（100）的主表面（101z）第一距离（d1）中的掩埋掺杂区域（430, 129a, 110）。接触结构（410）从所述主表面（101z）延伸到所述掺杂区域（430, 129a, 110）。接触结构（410）包括由金属-半导体合金制成的直接邻接所述掺杂区域（430, 129a, 110）的接触层（411）。所述接触结构（410）还包括由金属或导电金属化合物制成的填充结构（412）。绝缘体结构（420）在平行于所述主表面（101z）的截面中包围所述接触结构（410）。

公开(公告)号：CN105428266A

公开(公告)日：2016-03-23

申请号：CN201510891490.3

申请日：2015-11-30

申请人： 中国电子科技集团公司第三十八研究所

发明人： 闵志先 ,  邱颖霞 ,  胡骏 ,  林文海 ,  宋夏

IPC分类号： H01L21/60 ,  H01L21/50 ,  H01L23/31 ,  H01L23/488

CPC分类号： H01L24/02 ,  H01L21/50 ,  H01L23/31 ,  H01L23/488 ,  H01L24/03 ,  H01L24/26 ,  H01L24/31 ,  H01L24/80 ,  H01L24/83 ,  H01L2224/02 ,  H01L2224/03 ,  H01L2224/26 ,  H01L2224/31 ,  H01L2224/80

摘要： 本发明公开了一种具有介质桥的芯片倒装共晶键合方法及获得的产物。所述方法包含底座成型、衬底预处理、压块成型、装配、共晶键合5个步骤；所述产物包含盖板、衬底、芯片和底座。有益的技术效果：本发明避免了组装过程对裸芯片图形层上介质桥的损伤；避免了托盘对芯片表面图形的污染和损伤；实现了芯片和衬底之间的高精度定位；实现了多个裸芯片同时进行共晶键合，避免了多芯片模块共晶键合过程中存在的过烧和焊料氧化，提供了组件的可靠性；提高了装配效率，降低了组装失效率。实现高可靠和高效率多芯片模块的批量组装。

公开(公告)号：CN102792432B

公开(公告)日：2015-11-25

申请号：CN201180013415.7

申请日：2011-02-08

申请人： 飞思卡尔半导体公司

发明人： 利萨·H·卡林 ,  刘连军 ,  亚历克斯·P·帕马塔特 ,  保罗·M·维内贝格尔

IPC分类号： H01L21/50

CPC分类号： B81B3/0018 ,  B81B7/007 ,  H01L21/50 ,  H01L21/78 ,  H01L23/04 ,  H01L24/94 ,  H01L24/97 ,  H01L2224/94 ,  H01L2224/97 ,  H01L2924/1461 ,  H01L24/03 ,  H01L24/26 ,  H01L24/83 ,  H01L2224/83 ,  H01L2224/03 ,  H01L2224/27

摘要： 晶圆结构(88)包括器件晶圆(20)以及帽晶圆(60)。所述器件晶圆(20)上的每一个半导体管芯(22)包括微电子器件(26)以及终端元件(28,30)。栅栏(36,52)放置在所述器件晶圆(20)的非活跃区(32,50)。所述帽晶圆(60)耦合于所述器件晶圆(20)，以及覆盖所述半导体管芯(22)。移除所述帽晶圆(60)的部分(72)以暴露所述终端元件(28,30)。所述栅栏(36,52)可以高于元件(28,30)，以及当所述部分(72)被移除的时候，起到阻止所述部分(72)与所述终端元件(28,30)接触的功能。单一化切割所述晶圆结构(88)以形成多个半导体器件(89)，每一个器件(89)包括被所述帽晶圆(60)的截面覆盖的微电子器件(26)以及从所述帽晶圆(60)暴露出来的所述终端元件(28,30)。

公开(公告)号：CN105051105A

公开(公告)日：2015-11-11

申请号：CN201480017846.4

申请日：2014-03-18

申请人： 日产化学工业株式会社

发明人： 田村护 ,  大桥拓矢 ,  榎本智之

IPC分类号： C08L61/34 ,  C08G59/40 ,  C08L63/00 ,  C09J11/04 ,  C09J161/34 ,  C09J163/00

CPC分类号： C08G73/06 ,  C08G59/40 ,  C08K3/013 ,  C08K5/54 ,  C08K5/544 ,  C08K9/06 ,  C08L61/34 ,  C08L63/00 ,  C08L79/04 ,  C09J161/34 ,  C09J163/00 ,  C09J179/04 ,  H01L21/563 ,  H01L23/295 ,  H01L23/3142 ,  H01L24/26 ,  H01L24/29 ,  H01L2224/2919 ,  H01L2924/0665 ,  H01L2924/186 ,  C08K3/0033

摘要： 本发明的课题是提供一种新型的热固性树脂组合物。解决手段是一种热固性树脂组合物，含有具有至少一种下述式(1)所示的结构单元的聚合物。{式(1)中，R1及R2分别独立地表示氢原子或碳原子数1～4的烷基，X表示单键或2价有机基团，Y表示下述式(2)所示的亚芳基。(式(2)中，Z1表示羰基或-CONH-基，Z2表示碳原子数1～5的亚烷基、或至少含有1个氮原子的5元环或6元环的2价的饱和杂环基，Z3表示至少1个氢原子可被碳原子数1～5的烷基取代的、含有2个氮原子的5元环或6元环的芳香族杂环基。)}。

公开(公告)号：CN104916557A

公开(公告)日：2015-09-16

申请号：CN201410287004.2

申请日：2014-06-24

申请人： 株式会社东芝

发明人： 久里裕二 ,  小谷和也 ,  佐佐木遥 ,  平塚大祐 ,  松村仁嗣 ,  北泽秀明 ,  田多伸光 ,  关谷洋纪

IPC分类号： H01L21/60 ,  H01L23/495 ,  H01L23/482

CPC分类号： H01L24/26 ,  C04B37/026 ,  C04B2237/12 ,  C04B2237/126 ,  C04B2237/343 ,  C04B2237/407 ,  H01L21/4882 ,  H01L23/24 ,  H01L23/3735 ,  H01L23/492 ,  H01L23/564 ,  H01L24/29 ,  H01L24/32 ,  H01L24/45 ,  H01L24/48 ,  H01L24/83 ,  H01L2224/29082 ,  H01L2224/29083 ,  H01L2224/291 ,  H01L2224/29111 ,  H01L2224/32227 ,  H01L2224/45124 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2224/83101 ,  H01L2224/83447 ,  H01L2224/83815 ,  H01L2224/85447 ,  H01L2924/00011 ,  H01L2924/00015 ,  H01L2924/01027 ,  H01L2924/0105 ,  H01L2924/01051 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/16152 ,  H01L2924/186 ,  H01L2924/351 ,  H01L2924/3512 ,  H01L2224/83205 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/0665 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01083 ,  H01L2924/01049 ,  H01L2924/01028 ,  H01L24/27 ,  H01L24/33

摘要： 实施方式提供一种具有使抗热疲劳性提高的接合部的高可靠的半导体装置及其制造方法。实施方式的半导体装置具备基座部、设置在所述基座部上的基板、以及设置在所述基板上的半导体元件。并且，还具备接合部，该接合部设置在所述基座部与所述基板之间、以及所述基板与所述半导体元件之间的至少某一方，包含锡、锑以及钴。