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公开(公告)号：CN111564503A
公开(公告)日：2020-08-21
申请号：CN201910828246.0
申请日：2019-09-03
IPC分类号： H01L31/0216 , H01L31/0236 , H01L31/068 , H01L31/18
摘要： 本专利提供了一种一种背结背接触太阳能电池结构及其制备方法，所述电池结构自上而下依次包括：减反层(1)、钝化膜(2)、N+掺杂层(3)、N型硅衬底(4)、背面P+掺杂层(5)及Topcon结构和电池电极；所述背面P+掺杂层(5)及所述Topcon结构交叉分布在同一层；所述Topcon结构为超薄氧化层(6)和N+多晶硅/非晶硅层(7)；所述电池电极包括正电极(8)和负电极(9)；所述正电极(8)与P+掺杂层(5)接触；所述负电极(9)与所述N+多晶硅/非晶硅层(7)接触。通过改变现有技术背面掺杂层的N+背面掺杂区为Topcon结构，不但能提高电池开压同时没有增加工艺流程的复杂度，从根本上降低了电池的度电成本。
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公开(公告)号：CN111490105A
公开(公告)日：2020-08-04
申请号：CN201911006566.4
申请日：2019-10-22
IPC分类号： H01L31/0216 , H01L31/0224 , H01L31/0288 , H01L31/18
摘要： 本发明公开了一种N型叉指背接触太阳电池制备方法，步骤如下：硅片清洗正面制绒、硅片正面离子注入磷、硅片背面离子注入磷、RCA清洗、双面沉积氮化硅、背面P区激光开槽、背面硼扩散、P区沉积氮化硅、丝网印刷正负电极、烧结，其中第一步制绒操作中选择N型单晶硅片作为基体，并进行双面制绒处理，N型硅片的厚度为140～200μm，电阻率为1～10Ωm。优点在于：采用离子注入技术分步形成前表面场(FSF)和N型背表面场(BSF)，对电池正反面的N型掺杂区的方阻和结深进行单独控制，并通过在高温硼扩散过程中激活前表面和背表面离子注入的磷，减少了工艺步骤，提升电池转换效率。
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公开(公告)号：CN111490111A
公开(公告)日：2020-08-04
申请号：CN201911006601.2
申请日：2019-10-22
IPC分类号： H01L31/0224 , H01L31/05 , H01L31/18
摘要： 本发明的目的在于公开一种太阳能电池金属化栅线结构及其制备方法，包括N型或P型的硅片基体，在所述硅片基体的表面由内至外依次设置有隧穿二氧化硅层、TOPCon结构的掺杂多晶硅层/非晶硅层、含磷的氧化硅层SiOx：P或含硼的氧化硅层SiOx：B及SiNx顶盖层；与现有技术相比，通过退火过程生长的含磷氧化硅层SiOx：P或者含硼氧化硅层SiOx：B作为太阳能电池TOPCon结构的表面钝化层，不需要额外的工序来实现掺杂层表面钝化层生长，简化太阳能电池制备工艺流程，提高了TOPCon结构对硅片基体掺杂层的钝化质量，实现本发明的目的。
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公开(公告)号：CN110299417A
公开(公告)日：2019-10-01
申请号：CN201910486244.8
申请日：2019-06-05
IPC分类号： H01L31/0216 , H01L31/0224 , H01L31/0236 , H01L31/068 , H01L31/18
摘要： 本发明的目的在于公开一种双面IBC电池结构及其制备方法，它包括硅片基体、前表面场、前表面钝化减反射层、P+掺杂层、N+掺杂层、钝化及减反射层、正电极副栅线和负电极副栅线；硅片基体正面依次设置前表面场和前表面钝化减反射层，硅片基体背面分别设置P+掺杂层和N+掺杂层，P+掺杂层和N+掺杂层的背面设置有钝化及减反射层，钝化及减反射层的背面分别连接有正电极副栅线和负电极副栅线；P+掺杂层和N+掺杂层中至少一个的表面为织构化的绒面，前表面场的表面为织构化的绒面；与现有技术相比，双面率可以达到60-70％以上，封装成双面组件后组件发电量增益在5％-10％以上，特别适用于冰雪覆盖高寒地区的应用，有效控制了生产成本，提高生产效率，实现本发明的目的。
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公开(公告)号：CN111613688A
公开(公告)日：2020-09-01
申请号：CN201910635917.1
申请日：2019-07-15
IPC分类号： H01L31/068 , H01L31/0216 , H01L31/18
摘要： 本专利提供了一种叉指型背接触太阳电池结构及其制造方法，包括N型单晶硅片为基体，所述单晶硅片前表面设置有硼掺杂层，所述单晶硅片前表面硼掺杂层上设置有AL2O3钝化层，在所述单晶硅片前表面AL2O3钝化层上设置有SiNx减反射层；所述单晶硅片背表面场为磷掺杂层，所述单晶硅片背面发射极为硼掺杂层，所述单晶硅片背表面设置有SiO2钝化层，所述单晶硅片背面发射极表面设置有AL2O3钝化层，所述单晶硅片背面场表面设置有SiNx钝化层，电池前表面采用FFE浮动结结构在有效降低表面载流子复合的同时可提供背表面场的宽度比例，降低工艺难度；可有效降低电池正反面的少子复合率，进而提升电池转换效率。
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公开(公告)号：CN110289322A
公开(公告)日：2019-09-27
申请号：CN201910486175.0
申请日：2019-06-05
IPC分类号： H01L31/0224 , B41F15/36
摘要： 本发明的目的在于公开一种IBC太阳能电池副栅线三次印刷网版结构，它包括DP1图形层、DP2图形层和DP3图形层，DP3图形层叠印在DP1图形层和DP2图形层上；与现有技术相比，DP1图形层和DP2图形层采用圆点式副栅线，有效地降低了金属电极与硅基体的接触面积，从而降低金属电极的金属复合，制备金属电极时分别采用匹配P+和N+掺杂特性的接触型浆料，有效地降低了接触电阻；DP3图形层采用直通式副栅线，制备电极时采用导电性好的非接触型浆料，既防止金属电极与硅基体接触，极大地降低电极的金属复合，又将圆点式副栅线连通，有效地收集、传输电池产生的电流，有效地提高了IBC太阳能电池的开路电压、短路电流和转换效率，实现本发明的目的。
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公开(公告)号：CN109545901A
公开(公告)日：2019-03-29
申请号：CN201811469286.2
申请日：2018-11-28
IPC分类号： H01L31/18 , H01L31/068 , H01L31/0216
CPC分类号： H01L31/1804 , H01L31/02167 , H01L31/0682 , H01L31/1868
摘要： 本发明提供了一种背结IBC电池的制作方法，包括：在基体的背面生长隧穿氧化层；形成第一掺杂层与第二掺杂层；所述第一掺杂层设于所述隧穿氧化层的与所述基体相背的一侧，所述第二掺杂层形成于所述基体的背面，且对位于贯穿所述隧穿氧化层的通槽；所述第一掺杂层上形成有第一背面钝化层，所述第二掺杂层上形成有第二背面钝化层；形成与所述第一掺杂层欧姆连接的第一金属电极，形成与所述第二掺杂层欧姆连接的第二金属电极。利用本发明所制作的IBC电池可具有更高的开路电压，进而可有利于实现较高的转换效率。
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公开(公告)号：CN110459638A
公开(公告)日：2019-11-15
申请号：CN201910486634.5
申请日：2019-06-05
IPC分类号： H01L31/068 , H01L31/0288 , H01L31/0216 , H01L31/18
摘要： 本发明的目的在于公开一种Topcon钝化的IBC电池及其制备方法，它包括N型单晶硅基体，在所述N型单晶硅基体的正面依次设置有前表面P+掺杂层和减反射层，在所述N型单晶硅基体的背面设置有二氧化硅隧穿层，所述二氧化硅隧穿层的背面分别设置有N型多晶硅掺杂层和P型多晶硅掺杂层，所述N型多晶硅掺杂层背面连接有负电极，所述P型多晶硅掺杂层背面连接有正电极；与现有技术相比，通过在前表面采用浮动结(FFE)结构，在前表面形成少子的横向传输通道，降低电池表面少子的复合率，降低了实际制备工艺的难度；在背面采用超薄二氧化硅层和掺杂多晶硅层形成Topcon钝化结构，可降低电池背面少子复合率，提升开路电压，进而提升电池转换效率，实现本发明的目的。
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公开(公告)号：CN110047952A
公开(公告)日：2019-07-23
申请号：CN201910269917.4
申请日：2019-04-04
IPC分类号： H01L31/0224
摘要： 本发明的目的在于公开一种太阳能电池Al栅线结构及其制备方法，与现有技术相比，P型掺杂区副栅线采用底层为铝浆顶层为银浆的叠层副栅线代替银浆或银铝浆副栅线，明显降低金半欧姆接触区域接触电阻和接触复合，提高电池效率，同时降低副栅线浆料银浆或银铝浆价耗量，降低电池成本；解决了单层Al作为副栅线带来的电导率低和遮光面的大问题，解决了铝浆作为主栅线时带来的在银浆焊接点区域接触金属复合大、电阻率高问题，实现本发明的目的。
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公开(公告)号：CN214014189U
公开(公告)日：2021-08-20
申请号：CN202021737124.5
申请日：2020-08-19
IPC分类号： H02S50/10
摘要： 本实用新型的目的在于公开一种无主栅电池测试夹具，它包括第一导电夹板、第二导电夹板、间距调节机构和基座，第一导电夹板固定于基座上，第二导电夹板位于第二导电夹板的上方，间距调节机构分别固定于第一导电夹板和第二导电夹板上，第一导电夹板和第二导电夹板上分别设置有可伸缩探针；与现有技术相比，通过可伸缩探针的开合使得探针与晶硅电池细栅线接触，汇集电流，能够直接对无主栅晶硅电池进行I‑V测试，便于电池进行电性能分档，提高组件端生产效率，具有结构简单，功能强大以及测试结构可靠等优点，实现本实用新型的目的。
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