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公开(公告)号：CN108738343B
公开(公告)日：2022-02-01
申请号：CN201680069949.4
申请日：2016-11-30
Applicant: ASML荷兰有限公司
IPC: G01N23/2251 , H01J37/10 , H01J37/153
Abstract: 提出了一种多束设备中的二次投影成像系统，该二次投影成像系统使二次电子检测具有高收集效率和低串扰。该系统采用一个变焦透镜，一个投影透镜和一个防扫描偏转单元。变焦透镜和投影透镜分别执行变焦功能和防旋转功能，以相对于多个一次细束的着陆能量和/或电流保持总成像放大倍率和总图像旋转。防扫描偏转单元执行防扫描功能以消除由于多个一次细束的偏转扫描而导致的动态图像移位。
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公开(公告)号：CN110352469A
公开(公告)日：2019-10-18
申请号：CN201780081259.5
申请日：2017-12-22
Applicant: ASML荷兰有限公司
IPC: H01J37/141 , H01J37/145 , H01J37/317
Abstract: 本公开提出一种防旋转透镜，并将其用作具有预子射束形成机构的多射束装置中的防旋转聚光透镜。防旋转聚光透镜在改变其电流时保持子射束的旋转角度不变，从而使得预子射束形成机构能够尽可能多地阻断未使用的电子。以这种方式，多射束装置可以以高分辨率和高吞吐量观察样本，并且能够用作检查和/或查看半导体制造工业中的晶片/掩模上的缺陷的产量管理工具。
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公开(公告)号：CN113892165B
公开(公告)日：2024-11-22
申请号：CN202080039403.0
申请日：2020-05-18
Applicant: ASML荷兰有限公司
Inventor： 任伟明 , 刘学东 , 胡学让 , 陈仲玮 , M·G·M·J·玛森
Abstract: 公开了减轻多射束设备中的库仑效应的系统和方法。该多射束设备可以包括：带电粒子源，被配置为沿着初级光轴生成初级带电粒子束；第一孔阵列，该第一孔阵列包括第一多个孔，该第一多个孔具有形状并且被配置为生成源自初级带电粒子束的多个初级子束；聚光透镜，包括沿着初级光轴可调的平面；以及第二孔阵列，该第二孔阵列包括第二多个孔，该第二多个孔被配置为生成与多个子束相对应的探测子束，其中多个探测子束中的每个探测子束包括至少基于聚光透镜的平面的位置和第二孔阵列的特性的对应初级子束的带电粒子的部分。
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公开(公告)号：CN116864359A
公开(公告)日：2023-10-10
申请号：CN202311033092.9
申请日：2018-09-25
Applicant: ASML荷兰有限公司
IPC: H01J37/12 , H01J37/147 , H01J37/28 , H01J37/06
Abstract: 本文涉及一种用于带电粒子束检查的样本预充电方法、设备和计算机可读介质。设备包括：带电粒子源，被配置为沿设备的主束轴发射带电粒子束；聚束透镜，被配置为使得束围绕主束轴集中；孔径；第一多极透镜；第二多极透镜；其中第一多极透镜相对于聚束透镜处于下游、并且相对于第二多极透镜处于上游；其中第二多极透镜相对于第一多极透镜处于下游、并且相对于孔径处于上游。
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公开(公告)号：CN111164728B
公开(公告)日：2023-03-17
申请号：CN201880063458.8
申请日：2018-09-28
Applicant: ASML荷兰有限公司
IPC: H01J37/244 , H01L27/146
Abstract: 一种多单元检测器包括第一层(420)，其具有第一导电类型的区域(422)；以及第二层(440)，其包括第二导电类型的多个区域(444)。第二层还可以包括第一导电类型的一个或多个区域(442)。第二导电类型的多个区域优选地可以通过第二层的第一导电类型的一个或多个区域(444)彼此分隔。在第二层中，第二导电类型的多个区域(444)可以与第一导电类型的一个或多个区域(442)间隔开。该检测器还可以包括第一层和第二层之间的本征层(430，432)。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN115428170A
公开(公告)日：2022-12-02
申请号：CN202180027489.X
申请日：2021-04-01
Applicant: ASML荷兰有限公司
IPC: H01L31/115 , H01L31/105 , H01J49/00 , H01J43/02
Abstract: 所公开的一些实施例包括电子检测器，电子检测器包括：具有第一部分和第二部分的第一半导体层；第二半导体层；第三半导体层；由第一半导体层、第二半导体层和第三半导体层形成的PIN区；被配置为在第一半导体层和第三半导体层之间施加反向偏置的电源；以及耗尽区，耗尽区通过反向偏置在PIN区内形成，并且耗尽区被配置为基于在耗尽区内捕获的多个信号电子的第一子集来生成检测器信号，其中第一半导体层的第二部分未被耗尽并且被配置为提供能量势垒以阻挡多个信号电子的第二子集，以及被配置为允许多个信号电子的第一子集穿过以到达耗尽区。
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公开(公告)号：CN113892165A
公开(公告)日：2022-01-04
申请号：CN202080039403.0
申请日：2020-05-18
Applicant: ASML荷兰有限公司
Inventor： 任伟明 , 刘学东 , 胡学让 , 陈仲玮 , M·G·M·J·玛森
Abstract: 公开了减轻多射束设备中的库仑效应的系统和方法。该多射束设备可以包括：带电粒子源，被配置为沿着初级光轴生成初级带电粒子束；第一孔阵列，该第一孔阵列包括第一多个孔，该第一多个孔具有形状并且被配置为生成源自初级带电粒子束的多个初级子束；聚光透镜，包括沿着初级光轴可调的平面；以及第二孔阵列，该第二孔阵列包括第二多个孔，该第二多个孔被配置为生成与多个子束相对应的探测子束，其中多个探测子束中的每个探测子束包括至少基于聚光透镜的平面的位置和第二孔阵列的特性的对应初级子束的带电粒子的部分。
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公开(公告)号：CN113632196A
公开(公告)日：2021-11-09
申请号：CN202080024585.4
申请日：2020-03-06
Applicant: ASML荷兰有限公司
IPC: H01J37/05 , H01J37/147 , H01J37/28
Abstract: 公开了一种包括可调射束分离器的多射束检查装置。可调射束分离器被配置为改变次级粒子射束的路径。可调射束分离器包括第一维恩过滤器和第二维恩过滤器。两个维恩过滤器都与初级光学轴线对准。第一维恩过滤器和第二维恩过滤器是分别经由第一激励输入和第二激励输入而独立可控的。可调射束分离器被配置为基于第一激励输入和第二激励输入，沿着初级光学轴线来移动可调射束分离器的有效弯曲点。
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公开(公告)号：CN111213219A
公开(公告)日：2020-05-29
申请号：CN201880060710.X
申请日：2018-09-14
Applicant: ASML荷兰有限公司
Inventor： M·G·M·J·玛森 , P·P·亨佩尼尤斯 , 任伟明 , 陈仲玮
Abstract: 一种带电粒子束装置包括子束形成单元，该子束形成单元被配置为在样品(440)上形成子束阵列(410)并且对其进行扫描。子束阵列的第一部分被聚焦到焦平面(430)上，并且子束阵列的第二部分具有至少一个子束，该至少一个子束相对于焦平面具有离焦水平(490)。该带电粒子束装置还包括检测器，其被配置为检测由子束阵列形成的样品的图像；以及处理器，其被配置为基于检测的图像来估计焦平面与样品之间的分隔水平，并且然后基于估计水平来减小分隔水平。
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