公开(公告)号：CN118251771A

公开(公告)日：2024-06-25

申请号：CN202180103924.2

申请日：2021-11-01

Applicant: LG电子株式会社 ,  乐金显示有限公司

Inventor： 李洪哲 ,  梁斗焕 ,  金映道

IPC: H01L27/15 ,  H01L27/12 ,  H01L33/52 ,  H01L33/62

Abstract: 显示装置包括：基板；第一组装配线和第二组装配线，位于基板上；第一绝缘层，位于第一组装配线和第二组装配线上；分隔壁，位于第一绝缘层上且具有孔；半导体发光器件，位于孔；以及连接部，将半导体发光器件的侧部与第一组装配线和第二组装配线中的至少一方组装配线电连接。孔的内侧面和半导体发光器件的外侧面之间的间隔可以是半导体发光器件的厚度的50％至200％。

公开(公告)号：CN106997906B

公开(公告)日：2019-08-06

申请号：CN201710024078.0

申请日：2017-01-13

Applicant: LG电子株式会社

Inventor： 李承允 ,  池光善 ,  李洪哲 ,  黄圣贤

IPC: H01L31/0216 ,  H01L31/0224 ,  H01L31/048

Abstract: 公开了一种太阳能电池，所述太阳能电池包括：第一导电类型的晶体半导体基板；前掺杂层，所述前掺杂层在所述半导体基板的前表面上并与所述半导体基板形成异质结；后掺杂层，所述后掺杂层在所述半导体基板的后表面上并与所述半导体基板形成异质结；前透明导电层，所述前透明导电层在所述前掺杂层上；后透明导电层，所述后透明导电层在所述后掺杂层下。所述前掺杂层和所述后掺杂层中的一个具有与所述第一导电类型相反的第二导电类型，以与所述半导体基板形成p‑n结，而所述前掺杂层和所述后掺杂层中的另一个具有所述第一导电类型。所述前透明导电层的平面面积大于所述后透明导电层的平面面积。

公开(公告)号：CN102341919B

公开(公告)日：2014-12-03

申请号：CN201080010764.9

申请日：2010-01-11

Applicant: LG电子株式会社

Inventor： 李洪哲 ,  文世连 ,  安世源 ,  柳东柱

IPC: H01L31/028 ,  H01L31/0368 ,  H01L31/075 ,  H01L31/076

Abstract: 本发明讨论了一种太阳能电池。该太阳能电池包含基板、在基板上的第一电极、第二电极和位于第一电极与第二电极之间的至少一个光电转换单元。所述至少一个光电转换单元包含p-型半导体层、本征(i-型)半导体层、n-型半导体层和位于p-型半导体层与i-型半导体层之间的缓冲层。缓冲层的氢含量高于i-型半导体层的氢含量。

公开(公告)号：CN102593193A

公开(公告)日：2012-07-18

申请号：CN201110208265.7

申请日：2011-07-20

Applicant: LG电子株式会社

Inventor： 金修显 ,  安世源 ,  李洪哲

IPC: H01L31/0224 ,  H01L31/0216 ,  H01L31/18

CPC classification number: H01L31/022466 ,  H01L31/046 ,  H01L31/056 ,  Y02E10/52

Abstract: 本发明提供了一种薄膜太阳能电池及其制造方法。该薄膜太阳能电池包括设置于衬底上的多个电池。该多个电池中的每一个都包括第一电极，其设置于衬底的一个表面上；至少一个光电转换单元，其设置于第一电极上；背反射层，其包括第一反射层，该第一反射层接触至少一个光电转换单元以及第二反射层，其具有暴露第一反射层的一部分的开口；以及第二电极，其设置在背反射层上。第二反射层接触第一反射层。第二电极通过开口电连接至第一反射层。

公开(公告)号：CN112913324A

公开(公告)日：2021-06-04

申请号：CN201980068379.0

申请日：2019-05-17

Applicant: LG电子株式会社

Inventor： 李洪哲 ,  金顺吉 ,  金钟德 ,  李柱喆

IPC: H05B6/14 ,  H05B6/10 ,  H01M50/528

Abstract: 本发明涉及高频感应加热系统。本发明的实施例的高频感应加热系统具备：第1高频感应加热装置，其具备第1高频感应加热线圈和配置在第1高频感应加热线圈的下部的第1垫片；及第2高频感应加热装置，其具备第2高频感应加热线圈和配置在第2高频感应加热线圈的上部的第2垫片。由此，能够缩短金属和膜的熔接时间并减少气泡的产生。