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公开(公告)号：CN111081754A
公开(公告)日：2020-04-28
申请号：CN201811224311.0
申请日：2018-10-19
申请人： 宁波比亚迪半导体有限公司
IPC分类号： H01L29/06 , H01L29/872 , H01L21/329
摘要： 本发明提供了沟槽型MOS结构肖特基二极管及其制备方法。所述沟槽型MOS结构肖特基二极管包括N型掺杂衬底、设置在所述N型掺杂衬底上表面上的N型掺杂外延层和从所述N型掺杂外延层的上表面向所述N型掺杂外延层中延伸的多个沟槽，其中，所述N型掺杂外延层中的掺杂浓度由上至下逐渐升高。由此，通过改变肖特基二极管中N型掺杂外延层的杂质掺杂浓度(N型掺杂外延层中的掺杂浓度由上至下逐渐升高)，可以改变N型掺杂外延层电场强度分布，进而降低沟槽底部拐角处的峰值电场，达到改善肖特基二极管的反向阻断特性和器件的正向导通特性，即降低肖特基二极管的反向漏电流，升高反向击穿电压。
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公开(公告)号：CN109786447A
公开(公告)日：2019-05-21
申请号：CN201711112576.7
申请日：2017-11-13
申请人： 比亚迪股份有限公司 , 深圳比亚迪微电子有限公司
摘要： 为克服现有SiC材料P型欧姆接触存在比接触电阻率高以及退火处理导致的质量问题，本发明提供了一种P型SiC欧姆接触材料，包括SiC衬底、P型外延层和NiAl合金层，所述P型外延层形成于所述SiC衬底上，所述NiAl合金层位于所述P型外延层上，所述P型外延层和所述NiAl合金层的接触位置相互掺杂渗透形成有过渡区。同时，本发明还公开了上述P型SiC欧姆接触材料的制备方法。本发明提供的P型SiC欧姆接触材料及其制备方法有利于P-SiC与金属之间形成良好的欧姆接触，是一种改良的欧姆接触形成技术。
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公开(公告)号：CN109427885A
公开(公告)日：2019-03-05
申请号：CN201710743927.8
申请日：2017-08-25
申请人： 宁波比亚迪半导体有限公司
发明人： 郑忠庆
IPC分类号： H01L29/78 , H01L21/336 , H01L29/739 , H01L21/331
CPC分类号： H01L29/7802 , H01L29/66333 , H01L29/66712 , H01L29/7395
摘要： 本发明提供了半导体功率器件及其制备方法。所述半导体功率器件包括：衬底；轻掺杂阱区；浓掺杂阱区；源区；栅氧化层；栅极；第一绝缘介质层；热氧化层；第二绝缘介质层，第二绝缘介质层设置在热氧化层的上方，且覆盖热氧化层的上表面；正面金属。由此，源区宽度小，进而减小源区下寄生电阻，提高抗栓锁能力，性能参数稳定性高，产品良率高。
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公开(公告)号：CN109148605A
公开(公告)日：2019-01-04
申请号：CN201710462474.1
申请日：2017-06-19
申请人： 宁波比亚迪半导体有限公司
IPC分类号： H01L29/868 , H01L29/47 , H01L21/329
CPC分类号： H01L29/868 , H01L29/47 , H01L29/66204
摘要： 本发明提出了快恢复二极管及制备方法、电子设备。该快恢复二极管包括：衬底，所述衬底中形成有欧姆接触区；外延层，所述外延层设置在所述衬底上；离子掺杂区，所述离子掺杂区设置在所述外延层中远离所述衬底的一侧；第一金属区，所述第一金属区设置在所述外延层中，且所述第一金属区与所述离子掺杂区相邻设置，所述第一金属区与所述外延层之间形成肖特基接触；第一电极，所述第一电极设置在所述外延层远离所述衬底一侧的表面上；以及第二电极，所述第二电极设置在所述衬底远离所述外延层的一侧。由此，可以使该快恢复二极管具有较快的反向恢复时间、较小的正向导通压降以及较大的恢复软度。
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公开(公告)号：CN105206680B
公开(公告)日：2018-09-11
申请号：CN201410284802.X
申请日：2014-06-24
申请人： 比亚迪股份有限公司
发明人： 王艳春
IPC分类号： H01L29/861 , H01L29/06 , H01L21/329
摘要： 本发明提出了一种双向瞬态电压抑制二极管及其制造方法，本发明通过在二极管内设置同时形成的且具有相同导电类型、掺杂浓度和形状的第二有源区和第三有源区，将传统的双向瞬态电压抑制二极管的纵向NPN或PNP结构转化为横向NPN或者PNP结构，并通过由导通层、埋层和第一有源区形成的电流通道，使得本发明的双向瞬态电压抑制二极管无论是施加正向电压还是反向电压，都能保证正反向抑制电压对称，而且整体器件结构为纵向结构，保证了其过电流能力，不影响封装。
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公开(公告)号：CN104809073B
公开(公告)日：2018-05-29
申请号：CN201410031917.8
申请日：2014-01-23
申请人： 比亚迪股份有限公司
IPC分类号： G06F12/02
摘要： 为解决现有位操作控制受到限制的问题，本发明提供了一种片上系统及其位操作逻辑控制方法。片上系统包括位操作逻辑控制系统，所述位操作逻辑控制系统包括：配置模块，用于对片上系统的配置参数进行配置；配置参数包括片上系统的处理位数、支持位操作的地址段、位操作使能及地址段选择参数；位操作地址输入模块，用于输入访问地址；地址译码模块，用于对访问地址进行判断及译码获得映射地址；位操作控制模块，用于调用所述映射地址，获得所述位操作系统的位操作控制信息，并根据所述位操作控制信息进行位操作。具有可在整个SOC地址空间灵活配置支持位操作的地址段，可实时动态的对位带操作的访问地址空间与映射地址空间进行配置等有益效果。
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公开(公告)号：CN106505841B
公开(公告)日：2018-04-20
申请号：CN201510562897.1
申请日：2015-09-07
申请人： 比亚迪股份有限公司
摘要： 本发明公开了一种开关电源及其初级控制芯片和环路补偿装置，其中，环路补偿装置包括：误差放大器；开关逻辑门，开关逻辑门的输入端与误差放大器的输出端相连；环路补偿电容，环路补偿电容的一端与开关逻辑门的输出端相连，环路补偿电容的另一端接地；延时产生电路，延时产生电路的输出端与开关逻辑门的控制端相连，延时产生电路用于在开关电源的功率开关管关断后的预设时间内输出有效开关控制信号以控制开关逻辑门处于开通状态，以使误差放大器输出的误差放大信号对环路补偿电容进行充放电，以实现开关电源进行环路补偿。该环路补偿装置能够解决开关电源输出纹波偏大的问题，保证环路稳定。
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公开(公告)号：CN106816507A
公开(公告)日：2017-06-09
申请号：CN201510846275.1
申请日：2015-11-27
申请人： 比亚迪股份有限公司
摘要： 为解决现有发光二极管芯片由于晶体缺陷、以及静电击穿作用或其他情况下可能出现漏电，造成LED芯片失效的问题，本发明提供了一种发光二极管芯片及其制备方法。一种发光二极管芯片，包括衬底、外延叠层、透明导电层、N电极和P电极；其中，所述外延叠层的水平中心线处蚀刻有将所述外延叠层平分为两半的中心沟槽；所述中心沟槽内填充有绝缘填料，所述透明导电层不覆盖所述中心沟槽和所述电极槽。本发明提供的发光二极管芯片，有效提高了其使用寿命，增强了使用该发光二极管芯片的LED器件的可靠性。同时此发光二极管芯片结构非常简单，适于产业规模化。
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公开(公告)号：CN104347763B
公开(公告)日：2017-03-15
申请号：CN201310317981.8
申请日：2013-07-25
申请人： 比亚迪股份有限公司
发明人： 陈飞
摘要： 本发明提出一种GaN基LED外延片及其形成方法，其中该GaN基LED外延片包括：衬底；形成在衬底之上的缓冲层；形成在缓冲层之上的N型GaN层；形成在N型GaN层之上的量子阱层；形成在量子阱层之上的第一超晶格结构层；形成在第一超晶格结构层之上的低温P型GaN层；形成在低温P型GaN层之上的电子阻挡层；以及形成在电子阻挡层之上的P型GaN层。本发明的GaN基LED外延片及其形成方法具有驱动电压低，内量子效率高的优点。
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公开(公告)号：CN103904373B
公开(公告)日：2017-02-08
申请号：CN201210590605.1
申请日：2012-12-30
申请人： 比亚迪股份有限公司
IPC分类号： H01M10/42
摘要： 本发明公开了一种电池电流管理装置，该装置包括电流采样模块，用于采集电池的电流；处理模块，处理模块与电流采样模块相连，处理模块用于根据采集的电流分别生成采样信号、唤醒信号和过流保护信号；以及控制器，控制器与处理模块相连，控制器根据采样信号、唤醒信号和过流保护信号中的一个或多个对控制器是否唤醒或过流保护进行控制。本发明的电池电流管理装置采用一个电路模块实现电池电流管理功能，即采用功能复用的方式实现对电流的控制，简化了电路结构的复杂性，控制简单，具有低成本及低功耗的优点。
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