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公开(公告)号：CN114966557B
公开(公告)日：2023-04-28
申请号：CN202210516929.4
申请日：2022-05-12
申请人： 浙江铖昌科技股份有限公司
IPC分类号： G01S7/28
摘要： 本发明公开了一种用于相控阵雷达多通道T/R多功能的快速波控系统，其特征在于，包括时序逻辑部和组合逻辑部；其中时序逻辑部包括SPI接口和内部寄存器以及存储器，SPI接口将外部串行码值转换为内部寄存器需要的并行码值；组合逻辑部通过SPI接口得到的数据做逻辑运算，输出控制信号等；其中，内部寄存器还包括中间级和输出级，中间级和输出级分别由两个不同的时钟控制，且SPI接口与中间级共用一个时钟；读状态下能够自动快速读取指定地址的数据并输出；本发明提供快速切换移相衰减状态的一种用于相控阵雷达多通道T/R多功能的快速波控系统。
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公开(公告)号：CN111696871B
公开(公告)日：2022-11-08
申请号：CN202010458695.3
申请日：2020-05-27
申请人： 浙江铖昌科技股份有限公司
发明人： 王立平
摘要： 本发明实施例公开了一种芯片贴装方法，包括以下步骤：A，把晶圆放置在加热板上，加热板中间加热装置对晶圆进行局部加热，加热板在加热区域外设置冷凝管，所述冷凝管包括方形或者圆形，所述边长或者直径在1um到10000um之间，里面用低温液体做循环；B，把芯片贴在晶圆加热位置，使芯片焊接在晶圆上，移动晶圆，加热第二个焊接位置；C，对第一个焊接位置做液冷散热冷却，使芯片达到多温度梯度回流焊接。
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公开(公告)号：CN112564823B
公开(公告)日：2022-11-01
申请号：CN202011410597.9
申请日：2020-12-03
申请人： 浙江铖昌科技股份有限公司
摘要： 本发明提供一种基于自校准算法的多端口射频微波校准方法，包括设置矢量网络分析仪的初始参数；设置校准标准件的前置参数；依次连接反射开路、反射短路、匹配负载和双端口校准标准件直通，采集平行向测试S参数、直角向或差分端口测试S参数；基于前置参数和平行向测试S参数获取平行向修正参数，并计算反射系数；基于反射系数和直角向或差分端口测试S参数获取直角向或差分端口修正参数；基于平行向修正参数和直角向或差分端口修正参数生成误差修正矩阵；基于误差修正矩阵和矢量网络分析仪完成对待测多端口射频微波器件的校准。本发明的基于自校准算法的多端口射频微波校准方法有效解决了多端口射频微波校准精度不足的问题，操作便捷，适用性强。
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公开(公告)号：CN110988768B
公开(公告)日：2022-04-22
申请号：CN201911020209.3
申请日：2019-10-25
申请人： 浙江铖昌科技股份有限公司
IPC分类号： G01R35/00
摘要： 本发明公开了一种基于隔膜与异质集成工艺的在片校准件及其制作方法，包括玻璃载板、金属导体层、隔膜层、衬底；金属导体层设置在隔膜层上，隔膜层设置在衬底上，其中衬底与金属导体层相对应的位置处设置衬底空腔；衬底设置在玻璃载板之上；金属导体层引出金属至下方衬底未设置衬底空腔的位置；本发明提出具有超宽工作频带、低损耗特性，具有高精密性、高准确性、高重复性特点，满足当下毫米波以及更高频段的应用需求的一种基于隔膜与异质集成工艺的在片校准件及其制作方法。
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公开(公告)号：CN110470973B
公开(公告)日：2021-09-14
申请号：CN201910715479.X
申请日：2019-08-05
申请人： 浙江铖昌科技股份有限公司
IPC分类号： G01R31/28
摘要： 本发明公开了一种低噪放芯片噪声系数自动化在片测试系统，包括频谱分析仪、噪声源、射频同轴线、转接器、射频探针、在片插入损耗补偿系统、自动化测试系统组成,在片插入损耗补偿系统包括信号源、双定向耦合器、接收机、射频同轴线、转接器、射频探针、同轴校准件和在片校准件；本发明提供一种低噪放芯片噪声系数自动化在片测试系统，实现噪声系数测试时精确补偿放大器输入端引入的损耗，提高了测试精度。
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公开(公告)号：CN113076713A
公开(公告)日：2021-07-06
申请号：CN202110628906.8
申请日：2021-06-07
申请人： 浙江铖昌科技股份有限公司
IPC分类号： G06F30/367 , G01R31/00 , G01R35/02
摘要： 本发明提供一种射频微波探针的S参数提取方法及系统、存储介质及终端，包括以下步骤：获取三维电磁场仿真得到的所述在片校准件的开路、短路、负载匹配的反射系数和直通的传输系数的仿真值；获取双端口S参数校准得到的所述在片校准件的开路、短路、负载匹配的反射系数和直通的传输系数的实测值；计算仿真值与实测值的误差值；若误差值大于预设阈值，获取仿真参数重置后获取的仿真值，直至误差值不大于预设阈值；对仿真值进行拟合，以获取在片校准件的电路模型参数；基于电路模型参数和OSL算法获取射频微波探针的S参数。本发明的射频微波探针的S参数提取方法及系统、存储介质及终端能够实现S参数的精准提取，有效提高了射频微波的在片测试精度。
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公开(公告)号：CN112564823A
公开(公告)日：2021-03-26
申请号：CN202011410597.9
申请日：2020-12-03
申请人： 浙江铖昌科技股份有限公司
摘要： 本发明提供一种基于自校准算法的多端口射频微波校准方法，包括设置矢量网络分析仪的初始参数；设置校准标准件的前置参数；依次连接反射开路、反射短路、匹配负载和双端口校准标准件直通，采集平行向测试S参数、直角向或差分端口测试S参数；基于前置参数和平行向测试S参数获取平行向修正参数，并计算反射系数；基于反射系数和直角向或差分端口测试S参数获取直角向或差分端口修正参数；基于平行向修正参数和直角向或差分端口修正参数生成误差修正矩阵；基于误差修正矩阵和矢量网络分析仪完成对待测多端口射频微波器件的校准。本发明的基于自校准算法的多端口射频微波校准方法有效解决了多端口射频微波校准精度不足的问题，操作便捷，适用性强。
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公开(公告)号：CN110470973A
公开(公告)日：2019-11-19
申请号：CN201910715479.X
申请日：2019-08-05
申请人： 浙江铖昌科技有限公司
IPC分类号： G01R31/28
摘要： 本发明公开了一种低噪放芯片噪声系数自动化在片测试系统，包括频谱分析仪、噪声源、射频同轴线、转接器、射频探针、在片插入损耗补偿系统、自动化测试系统组成,在片插入损耗补偿系统包括信号源、双定向耦合器、接收机、射频同轴线、转接器、射频探针、同轴校准件和在片校准件；本发明提供一种低噪放芯片噪声系数自动化在片测试系统，实现噪声系数测试时精确补偿放大器输入端引入的损耗，提高了测试精度。
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公开(公告)号：CN109946651A
公开(公告)日：2019-06-28
申请号：CN201910056213.9
申请日：2019-01-22
申请人： 浙江铖昌科技有限公司
IPC分类号： G01S7/02
摘要： 本发明公开了一种基于三维封装结构的多功能相控阵TR芯片，芯片射频部分采用高性能砷化镓芯片，包括四个一样的单通道，分别为第一通道CH1、第二通道CH2、第三通道CH3和第四通道CH4，四个单通道分别与一分四功分器四个端口相连，每个通道包括6位数控衰减器ATT、6为数控移相器PHS、低噪声放大器LNA、驱动放大器DRV1、驱动放大器DRV2、功率放大器PA、单刀三掷开关SP3T、限幅器Limiter；芯片逻辑控制用CMOS芯片做成多功能芯片的控制电路，将CMOS芯片与砷化镓多功能芯片倒装，形成一体化三维封装结构。通过本发明实施例实现的基于三维封装结构的多功能相控阵TR芯片，具有体积小，成本低，一致性好，可靠性高和调试简单的优点。
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公开(公告)号：CN118837639A
公开(公告)日：2024-10-25
申请号：CN202410839629.9
申请日：2024-06-26
申请人： 浙江铖昌科技股份有限公司
摘要： 本发明公开了一种噪声去嵌方法及装置，属于芯片测量领域。方法包括：获取被测器件的S参数测量值和噪声参数测量值，并获取预设去嵌结构的S参数测量值；获取的测量值均是在S参数校准和噪声校准后测量得到的；根据S参数测量值以及电阻‑电感‑电容负载模型中的已知电阻值，计算负载模型中的等效电容值和等效电感值；负载模型的电路连接方式为：电容与电阻形成并联电路，该并联电路与电感串联；根据负载模型计算负载真实反射系数，并将负载真实反射系数代入去嵌算法中计算得到待去嵌结构的S参数；根据待去嵌结构的S参数以及被测器件的S参数测量值和噪声参数测量值，计算去嵌后被测器件的真实噪声参数。本发明得到的噪声去嵌结果精度更高。
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