公开(公告)号：CN201737690U

公开(公告)日：2011-02-09

申请号：CN201020297206.2

申请日：2010-08-11

Applicant: 苏州敏芯微电子技术有限公司

Inventor： 李刚 ,  胡维

IPC: B81B3/00 ,  G01P15/08 ,  G01L9/00

CPC classification number: G01L9/0042 ,  B81B2201/0235 ,  B81B2201/0264 ,  B81B2203/0118 ,  B81B2203/0315 ,  B81B2203/0376 ,  B81C1/00182 ,  B81C2201/0132 ,  B81C2201/0177 ,  B81C2203/0118 ,  G01P15/0802 ,  G01P15/123 ,  G01P2015/0828

Abstract: 本实用新型揭示了一种MEMS传感器，包括单晶硅片、覆盖在单晶硅片上的单晶硅薄膜及形成在单晶硅薄膜上的压阻，所述单晶硅片包括正面、背面、自正面向下延伸的网状硅膜、位于网状硅膜下方且与网状硅膜连通的腔体、自背面凹设的背腔及连通腔体与背腔的深槽，所述单晶硅薄膜覆盖在单晶硅片的正面且与网状硅膜相接触，该单晶硅薄膜不会在后续的刻蚀或腐蚀工艺中受到影响，进而使该单晶硅薄膜厚度的一致性与均匀性容易控制。