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公开(公告)号：CN105050941B
公开(公告)日：2018-01-16
申请号：CN201480014120.5
申请日：2014-03-12
Applicant: 罗伯特·博世有限公司
IPC: B81C1/00
CPC classification number: B81C1/00619 , B81C1/00412 , B81C2201/0177 , B81C2201/0188
Abstract: 本发明涉及一种用于微机械元件的加工方法和相应的微机械元件。该加工方法包括步骤：制备一衬底（1），具有在结构部位（3a‑3e）露出的启动层（1c），其中所述结构部位（3a‑3e）具有顶面（O）和侧向的侧面（F），其中在顶面（O）上设有催化层（2），它适合于，促进形成结构的单晶启动层（1c）的外露顶面（O）的硅生长，并且在侧面（F）上没有催化层（2）；并且在单晶启动层（1c）的顶面（O）上利用催化层（2）在反应气体氛围中执行选择性生长工艺，用于构成微机械的功能层（3’）。
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公开(公告)号：CN102190284B
公开(公告)日：2015-07-08
申请号：CN201010261039.0
申请日：2010-08-11
Applicant: 苏州敏芯微电子技术有限公司
CPC classification number: G01L9/0042 , B81B2201/0235 , B81B2201/0264 , B81B2203/0118 , B81B2203/0315 , B81B2203/0376 , B81C1/00182 , B81C2201/0132 , B81C2201/0177 , B81C2203/0118 , G01P15/0802 , G01P15/123 , G01P2015/0828
Abstract: 本发明揭示了一种MEMS传感器及其应用于多种MEMS传感器制造的薄膜、质量块与悬臂梁的制造方法，该方法采用硅片正面刻蚀工艺结合淀积、外延工艺、湿法腐蚀、背面刻蚀等工艺形成感压单晶硅薄膜、悬臂梁、质量块、前腔、后腔及深槽通道，能够有效控制单晶硅薄膜的厚度，可取代传统的只从硅片背面腐蚀形成背腔以及单晶硅薄膜的方法。
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公开(公告)号：CN103650343A
公开(公告)日：2014-03-19
申请号：CN201280023350.9
申请日：2012-05-11
Applicant: 芬兰国家技术研究中心
CPC classification number: B81B3/0072 , B81B2201/0235 , B81B2201/0242 , B81B2201/0271 , B81C2201/0164 , B81C2201/0167 , B81C2201/0177 , G06F17/5045 , H03H9/02448 , H03H9/2447 , H03H2009/2442
Abstract: 本发明涉及一种微机械装置，包括：半导体元件，所述半导体元件能够产生偏转或谐振，并且包括具有不同材料性质的至少两个区域；以及功能性连接到所述半导体元件的驱动或传感机构。根据本发明，所述区域中的至少一个包括一种或多种n型掺杂剂，并且所述区域的相对体积、掺杂浓度、掺杂剂和/或晶体定向构造成使得所述区域的广义刚度的温度敏感度至少在一个温度下符号相反，并且在100℃的温度范围内，所述半导体元件的广义刚度的总体温度漂移为50ppm或更少。所述装置可以为谐振器。还公开了一种设计所述装置的方法。
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公开(公告)号：CN105050941A
公开(公告)日：2015-11-11
申请号：CN201480014120.5
申请日：2014-03-12
Applicant: 罗伯特·博世有限公司
IPC: B81C1/00
CPC classification number: B81C1/00619 , B81C1/00412 , B81C2201/0177 , B81C2201/0188
Abstract: 本发明涉及一种用于微机械元件的加工方法和相应的微机械元件。该加工方法包括步骤：制备一衬底（1），具有在结构部位（3a-3e）露出的启动层（1c），其中所述结构部位（3a-3e）具有顶面（O）和侧向的侧面（F），其中在顶面（O）上设有催化层（2），它适合于，促进形成结构的单晶启动层（1c）的外露顶面（O）的硅生长，并且在侧面（F）上没有催化层（2）；并且在单晶启动层（1c）的顶面（O）上利用催化层（2）在反应气体氛围中执行选择性生长工艺，用于构成微机械的功能层（3’）。
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公开(公告)号：CN1732123A
公开(公告)日：2006-02-08
申请号：CN200380107421.4
申请日：2003-10-23
Applicant: 飞思卡尔半导体公司
Inventor： 比什努·戈戈伊
CPC classification number: B81B3/001 , B81C2201/0109 , B81C2201/0177
Abstract: 提供一种形成半导体结构的方法。根据该方法，其上布置有牺牲层(103)并在牺牲层(103)上布置有薄的单晶半导体层(105)的半导体衬底(101)被提供。然后贯穿半导体层(105)并进入牺牲层(103)的开口(107)被形成。然后半导体层(105)外延生长至合适的器件厚度，从而获得器件层。半导体层被生长，使得所得到的器件层在开口(107)上延伸，并且使得在开口上延伸的器件层部分的表面是单晶硅。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN107032297A
公开(公告)日：2017-08-11
申请号：CN201710032518.7
申请日：2017-01-16
Applicant: 罗伯特·博世有限公司
CPC classification number: B81B7/0038 , B81B7/02 , B81B2201/0235 , B81B2201/0242 , B81B2203/0315 , B81C1/00285 , B81C1/00293 , B81C2201/0177 , B81C2203/0145 , B81C1/00 , B81C1/00341 , B81C1/0038 , G01P15/08
Abstract: 本发明提出用于制造微机械构件的方法，具有衬底和与衬底连接且与衬底包围第一空穴的罩，在第一空穴中存在第一压力且包含具有第一化学组分的第一气体混合物，第一方法步骤中，在衬底或罩中构造连接第一空穴与微机械构件周围环境的进入开口，第二方法步骤中，调节第一空穴中的第一压力和/或第一化学组分，第三方法步骤中，通过借助激光将能量或热量引入衬底或罩的吸收部分来封闭进入开口，其特征在于，第四方法步骤中，第一晶体层或第一无定型层或第一纳米晶体层或第一多晶体层在衬底或罩表面上沉积或生长，其中，在第五方法步骤中，将空隙引入到衬底或罩中，用于接收第一晶体层或第一无定型层或第一纳米晶体层或第一多晶体层。
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公开(公告)号：CN103650343B
公开(公告)日：2016-06-22
申请号：CN201280023350.9
申请日：2012-05-11
Applicant: 芬兰国家技术研究中心
CPC classification number: B81B3/0072 , B81B2201/0235 , B81B2201/0242 , B81B2201/0271 , B81C2201/0164 , B81C2201/0167 , B81C2201/0177 , G06F17/5045 , H03H9/02448 , H03H9/2447 , H03H2009/2442
Abstract: 本发明涉及一种微机械装置，包括：半导体元件，所述半导体元件能够产生偏转或谐振，并且包括具有不同材料性质的至少两个区域；以及功能性连接到所述半导体元件的驱动或传感机构。根据本发明，所述区域中的至少一个包括一种或多种n型掺杂剂，并且所述区域的相对体积、掺杂浓度、掺杂剂和/或晶体定向构造成使得所述区域的广义刚度的温度敏感度至少在一个温度下符号相反，并且在100℃的温度范围内，所述半导体元件的广义刚度的总体温度漂移为50ppm或更少。所述装置可以为谐振器。还公开了一种设计所述装置的方法。
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公开(公告)号：CN102194614A
公开(公告)日：2011-09-21
申请号：CN201110038064.7
申请日：2011-02-15
Applicant: 欧姆龙株式会社
CPC classification number: H01H1/06 , B81B2201/014 , B81C1/00166 , B81C2201/0177 , B81C2201/0181 , B81C2201/0184 , H01H1/0036 , H01H2001/0052 , Y10T29/49105
Abstract: 本发明提供触点的接触面平滑的开关及其制造方法以及继电器。固定触点部(33)的侧面与可动触点部(34)的侧面相对。固定触点部(33)在固定触点基板(41)之上层叠有绝缘层(43)和基底层(44)，在其之上通过电解镀敷等而形成有导电层(45)。将导电层(45)的与可动触点部(34)相对的侧面作为固定触点(46)(接触面)。可动触点部(34)在可动触点基板(51)之上层叠有绝缘层(53)和基底层(54)，在其之上通过电解镀敷等形成有可动触点(56)。将导电层(55)的与固定触点部(33)相对的侧面作为可动触点(56)(接触面)。该固定触点(46)及可动触点(56)为在通过电解镀敷使导电层(45)及导电层(55)成长的工序中与模制部的侧面相接的面。
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公开(公告)号：CN102190284A
公开(公告)日：2011-09-21
申请号：CN201010261039.0
申请日：2010-08-11
Applicant: 苏州敏芯微电子技术有限公司
CPC classification number: G01L9/0042 , B81B2201/0235 , B81B2201/0264 , B81B2203/0118 , B81B2203/0315 , B81B2203/0376 , B81C1/00182 , B81C2201/0132 , B81C2201/0177 , B81C2203/0118 , G01P15/0802 , G01P15/123 , G01P2015/0828
Abstract: 本发明揭示了一种MEMS传感器及其应用于多种MEMS传感器制造的薄膜、质量块与悬臂梁的制造方法，该方法采用硅片正面刻蚀工艺结合淀积、外延工艺、湿法腐蚀、背面刻蚀等工艺形成感压单晶硅薄膜、悬臂梁、质量块、前腔、后腔及深槽通道，能够有效控制单晶硅薄膜的厚度，可取代传统的只从硅片背面腐蚀形成背腔以及单晶硅薄膜的方法。
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公开(公告)号：CN100440420C
公开(公告)日：2008-12-03
申请号：CN200380107421.4
申请日：2003-10-23
Applicant: 飞思卡尔半导体公司
Inventor： 比什努·戈戈伊
CPC classification number: B81B3/001 , B81C2201/0109 , B81C2201/0177
Abstract: 提供一种形成半导体结构的方法。根据该方法，其上布置有牺牲层(103)并在牺牲层(103)上布置有薄的单晶半导体层(105)的半导体衬底(101)被提供。然后贯穿半导体层(105)并进入牺牲层(103)的开口(107)被形成。然后半导体层(105)外延生长至合适的器件厚度，从而获得器件层。半导体层被生长，使得所得到的器件层在开口(107)上延伸，并且使得在开口上延伸的器件层部分的表面是单晶硅。
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