在晶片检验的逻辑中的图案抑制

    公开(公告)号:CN106233448B

    公开(公告)日:2018-04-20

    申请号:CN201580019846.2

    申请日:2015-04-15

    CPC classification number: G01N21/9501 G01N21/956 G01N2201/10

    Abstract: 本发明提供用于检测晶片上的缺陷的方法及系统。一种系统包含照明子系统,其经配置以将光引导到晶片上的至少一个光点。所述系统还包含至少一个元件,其经配置以阻挡从所述至少一个光点散射的光的第一部分到达检测器,同时允许由所述检测器检测从所述至少一个光点散射的所述光的第二部分。从所述晶片上的逻辑区中的一或多个图案化特征散射所述光的所述第一部分。不从所述一或多个图案化特征散射所述光的所述第二部分。所述检测器并非成像检测器。所述系统进一步包含计算机子系统,其经配置以基于所述检测器的输出而检测所述晶片上的缺陷。

    光致发光测量中掺杂浓度和少数载流子寿命分离

    公开(公告)号:CN104020148B

    公开(公告)日:2017-04-12

    申请号:CN201410281804.3

    申请日:2010-07-19

    CPC classification number: G01N21/6489 G01N2201/06113 G01N2201/10 H01L22/12

    Abstract: 本发明涉及光致发光测量中掺杂浓度和少数载流子寿命分离。具体来说,本发明涉及分离由掺杂浓度和少数载流子寿命分别对半导体材料产生的光致发光(PL)的影响的方法。在一个实施方式中本底掺杂浓度以其他技术被测量,使得PL测量结果根据有效少数载流子寿命被分析。在另一个实施方式中有效寿命以其他技术被测量,使得PL测量结果根据本底掺杂浓度被分析。在又一个实施方式中,通过计算两次PL测量结果的强度比本底掺杂浓度的影响被消除,所述PL测量结果是在不同的光谱范围下被获得,或者在不同的激发波长下被产生。

    在晶片检验的逻辑中的图案抑制

    公开(公告)号:CN106233448A

    公开(公告)日:2016-12-14

    申请号:CN201580019846.2

    申请日:2015-04-15

    CPC classification number: G01N21/9501 G01N21/956 G01N2201/10

    Abstract: 本发明提供用于检测晶片上的缺陷的方法及系统。一种系统包含照明子系统,其经配置以将光引导到晶片上的至少一个光点。所述系统还包含至少一个元件,其经配置以阻挡从所述至少一个光点散射的光的第一部分到达检测器,同时允许由所述检测器检测从所述至少一个光点散射的所述光的第二部分。从所述晶片上的逻辑区中的一或多个图案化特征散射所述光的所述第一部分。不从所述一或多个图案化特征散射所述光的所述第二部分。所述检测器并非成像检测器。所述系统进一步包含计算机子系统,其经配置以基于所述检测器的输出而检测所述晶片上的缺陷。

    用于确定物质的单个分子在试样中的地点的方法和设备

    公开(公告)号:CN106030287A

    公开(公告)日:2016-10-12

    申请号:CN201480076127.X

    申请日:2014-12-12

    Inventor: S·W.·黑尔

    Abstract: 为了确定物质的单个分子在试样中的地点(xM),其中,所述物质的所述单个分子处于荧光状态下,在所述荧光状态下,能够用激励光激励所述单个分子发射荧光,其中,所述物质的所述单个分子在试样的目标区域中的间距遵循一最小值d=λ/(2nsinα√(1+I/IS)),用所述激励光激励所述物质的单个分子发射荧光,其中,所述激励光的强度分布具有至少一个零部位。针对所述激励光的强度分布的至少一个零部位在所述试样的目标区域中的不同位置(xN)记录所述物质的被激励的单个分子的荧光。在此,所述激励光的强度分布的至少一个零部位的最邻近的位置(xN)之间的间距不大于所述最小值d的一半,在所述至少一个零部位的最邻近的位置上记录所述物质的被激励的单个分子的荧光。然后,由各分子的荧光强度(I)关于所述激励光的强度分布的所述至少一个零部位在所述试样的目标区域中的位置(xN)的变化曲线推导出所述物质的单个分子的地点(xM)。

    光致发光测量中掺杂浓度和少数载流子寿命分离

    公开(公告)号:CN104020148A

    公开(公告)日:2014-09-03

    申请号:CN201410281804.3

    申请日:2010-07-19

    CPC classification number: G01N21/6489 G01N2201/06113 G01N2201/10 H01L22/12

    Abstract: 本发明涉及光致发光测量中掺杂浓度和少数载流子寿命分离。具体来说,本发明涉及分离由掺杂浓度和少数载流子寿命分别对半导体材料产生的光致发光(PL)的影响的方法。在一个实施方式中本底掺杂浓度以其他技术被测量,使得PL测量结果根据有效少数载流子寿命被分析。在另一个实施方式中有效寿命以其他技术被测量,使得PL测量结果根据本底掺杂浓度被分析。在又一个实施方式中,通过计算两次PL测量结果的强度比本底掺杂浓度的影响被消除,所述PL测量结果是在不同的光谱范围下被获得,或者在不同的激发波长下被产生。

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