用于GaN功率器件的双频宽带功率放大器级间匹配电路

    公开(公告)号:CN107911088A

    公开(公告)日:2018-04-13

    申请号:CN201711029281.3

    申请日:2017-10-26

    申请人: 天津大学

    IPC分类号: H03F1/56 H03F3/21

    CPC分类号: H03F1/56 H03F3/21

    摘要: 一种用于GaN功率器件的双频宽带功率放大器级间匹配电路,包括依次相连的用于在两个频率下对二次谐波阻抗为纯电抗条件进行匹配的二次谐波阻抗匹配模块和在两个频率下完成驱动级输出基波阻抗及功率级输入基波阻抗的匹配的基波阻抗匹配模块,所述二次谐波阻抗匹配模块的输入端连接驱动级GaN晶体管的输出端,所述基波阻抗匹配模块的输出端连接功率级GaN晶体管的输入端。本发明结构简单,易于实现,可同时实现两个频率的阻抗匹配,从而实现同时工作在双频率的要求;可以在双频条件下实现驱动级类半正弦电压信号输出,从而降低功率级无效输出功率,提高功率放大器整体效率;并在两个频率下实现驱动级输出基波阻抗及功率级输入基波阻抗匹配。

    一种2.4GHz频段功率放大器及功率放大方法

    公开(公告)号:CN107888154A

    公开(公告)日:2018-04-06

    申请号:CN201711430594.X

    申请日:2017-12-26

    发明人: 王腾

    IPC分类号: H03F3/21 H03F1/56

    CPC分类号: H03F3/21 H03F1/565

    摘要: 本发明公开了一种2.4GHz频段功率放大器及功率放大方法,该放大器包括:电源电路、负偏置产生电路、上电顺序控制电路、前置放大电路、功率放大电路、环形器、输入接口和输出接口,待放大的射频信号经输入接口接入前置放大电路,被前置放大电路放大后再被功率放大电路放大,然后通过环形器从输出接口输出。该方法包括以下步骤:(1)射频信号经输入接口接入前置放大电路,先被前置放大电路放大后输出至功率放大电路;(2)上电顺序控制电路接收到负偏置电路产生的负5伏电压后接通正28伏电源,然后功率放大电路开始放大接收到的射频信号;(3)功率放大电路输出射频信号到环形器,正向信号直接输出,反向信号被环形器的反向衰减耗尽。

    一种低噪声放大器和利用低噪声放大器的射频放大方法

    公开(公告)号:CN107888153A

    公开(公告)日:2018-04-06

    申请号:CN201710984080.2

    申请日:2017-10-20

    发明人: 刘文永

    IPC分类号: H03F3/193 H03F3/21 H03F3/24

    摘要: 本发明实施例公开了一种低噪声放大器和利用低噪声放大器的射频放大方法。其中,低噪声放大器包括多个增益级电路,数量大于或等于待放大的射频信号的数量,用于在被启用时,对射频信号进行独立放大;多个放大选择开关电路,每个所述放大选择开关电路与一增益级电路连接,用于根据射频信号选择增益级电路,选择启用的增益级电路;多个驱动电路,每个所述驱动电路与一增益级电路连接,用于在增益级电路被启用时,接收至少一个经增益级电路放大后的射频信号,并且将放大后的射频信号输出;至少一个负载电路,驱动电路的连接,用于根据驱动电路输出的放大后的射频信号,输出至少一个射频输出信号。本发明实施例提供的技术方案,同时实现射频开关以及低噪声放大的能力,减少占用面积,降低寄生影响。

    超宽带低噪声放大器
    14.
    发明公开

    公开(公告)号:CN107733375A

    公开(公告)日:2018-02-23

    申请号:CN201711068702.3

    申请日:2017-11-03

    摘要: 本发明公开了一种超宽带低噪声放大器,主要解决现有技术噪声和线性度性能较差的问题。其采用两级级联结构,且两级之间利用电容C3耦合。该第二级放大电路采用并联峰值结构的基本共源极电路;该第一级放大电路的输入-输出之间连接由反馈MOS管M3和反馈耦合电容C2组成串联电路,用以提供宽带的匹配和提高线性度,反馈MOS管M3的源极连接有偏置MOS管M4,用以为反馈MOS管M3提供偏置电流;第一级放大电路输入端与第二级放大电路输出端之间连接有辅助跨导放大器G。本发明可部分或全部消除由第一级放大电路中部分元器件产生的噪声,提高了超宽带低噪声放大器整体的噪声性能,可用于超宽带的无线通信。

    一种用于GaN功率器件的双频宽带功率放大器匹配电路

    公开(公告)号:CN107659277A

    公开(公告)日:2018-02-02

    申请号:CN201710893310.4

    申请日:2017-09-28

    申请人: 天津大学

    摘要: 一种用于GaN功率器件的双频宽带功率放大器匹配电路,包括:相串联的匹配变换模块和基波匹配模块,以及输出端连接在所述匹配变换模块的输出端和基波匹配模块的输入端的用于将二次谐波的短路状态转化为短路状态的二次谐波电抗匹配网络,其中,所述匹配变换模块的输入端连接晶体管封装输出端,所述基波匹配模块的输出端连接负载。本发明的一种用于GaN功率器件的双频宽带功率放大器匹配电路,通过合理的设计各个模块的结构,可同时实现两个频带的阻抗匹配,从而实现同时工作在双频带的要求;本发明通过合理的设计基波匹配网络,使放大器的两个频带具有较宽的工作带宽;该匹配电路结构简单,易于实现,具有良好的应用前景。

    电压供应电路、音频输出装置与电压供应方法

    公开(公告)号:CN103686529B

    公开(公告)日:2018-01-19

    申请号:CN201210370193.0

    申请日:2012-09-28

    发明人: 吴玮伦

    IPC分类号: H04R3/00 G05F1/46

    摘要: 本发明公开了一种电压供应电路、音频输出装置与电压供应方法,所述的电压供应电路包括电压放大器以及电源选择电路。电压放大器具有电源端来接收操作电源并输出增益电压以驱动输出装置。电源选择电路接收多个电源电压,并根据音源信号的音量层级来选择多个电源电压之一以提供至电压放大器的电源端并作为操作电源。本发明还提出一种音频输出装置以及一种用于输出装置的电压供应方法。音频输出装置包括前述电压供应电路以及扬声器。

    Doherty功放电路
    17.
    发明公开

    公开(公告)号:CN107493074A

    公开(公告)日:2017-12-19

    申请号:CN201610414893.3

    申请日:2016-06-12

    发明人: 陈平

    IPC分类号: H03F1/02 H03F3/21

    CPC分类号: H03F1/0288 H03F3/21

    摘要: 本发明提供的一种Doherty功放电路。电路包括:功率分配电路、功率放大电路以及合路输出电路。功率放大电路连接于功率分配电路的输出端。合路输出电路连接于功率放大电路的输出端。合路输出电路为缺陷地滤波变阻器。从而,本发明的Doherty功放电路合路输出在达到阻抗匹配的同时,可以有效的抑制带外谐波的干扰,通过设置缺陷地滤波变阻器具有面积小、插损低、功放效率提高、频带内离散度降低等优点。

    第三代半导体偏置电路一体化设计

    公开(公告)号:CN107395143A

    公开(公告)日:2017-11-24

    申请号:CN201710563693.9

    申请日:2017-07-11

    发明人: 刘建波

    IPC分类号: H03F3/213 H03F3/21

    摘要: 本发明公开了第三代半导体偏置电路一体化设计,涉及微波射频领域,采用单电源供电,只加漏压,将输入端的射频信号耦合出来,将其快速检波成相应的波形形式,来控制其功率管的漏极电压。本发明包括:定向耦合器、功率放大器、稳压块、检波器、电位器、调制器;外电源供电至稳压块和调制器,稳压块分别检波器和调制器连接,并且分出栅极电压连接至功率放大器的输入端;检波器连接稳压块、调制器、电位器和负载;调制器分出漏极电压连接至功率放大器的输出端;射频输入至定向耦合器的输入端,功率放大器的输入端分别连接定向耦合器的输出端和栅极电压。此方法即可实现不同应用场合的需求(包括连续波或脉冲情况),又可保证功率管的可靠性。

    一种偏置电路及功率放大电路
    20.
    发明公开

    公开(公告)号:CN107332520A

    公开(公告)日:2017-11-07

    申请号:CN201710606552.0

    申请日:2017-07-24

    摘要: 本发明公开了一种偏置电路,包括第一支路、第二支路、电流放大器及切换开关;其中,所述第一支路,用于将输入的第一电流分流,并将所述第一电流的第一分支电流输入电源地;所述第二支路,用于将输入的第一电流分流,并将所述第一电流的第二分支电流输入所述电流放大器;所述电流放大器,用于接收所述第一电流的第二分支电流,并将所述第一电流的第二分支电流放大后作为与所述偏置电路连接的功率放大器的偏置电流输出;所述切换开关,用于为所述第一支路中的电阻切换不同的阻值,和/或,为所述第二支路中的电阻切换不同的阻值。本发明还公开了一种功率放大电路。