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公开(公告)号:CN1259758A
公开(公告)日:2000-07-12
申请号:CN99127826.7
申请日:1999-12-03
申请人: 佳能株式会社
CPC分类号: H01L21/76251 , H01L21/76259 , Y10S117/913
摘要: 一种具有优越的大规模生产性和再现性的半导体晶片的制造工艺。工艺包括以下步骤:制备在半导体衬底上有单晶半导体层的第一部件,分离层设置其间,半导体晶片作为原材料;穿过分离层分离单晶半导体层之后,将单晶半导体层转移到包括半导体晶片的第二部件上;转移步骤之后,平滑半导体衬底的表面,由此将半导体衬底用做除形成所述第一和第二部件用途之外的半导体晶片。