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公开(公告)号：CN1175498C
公开(公告)日：2004-11-10
申请号：CN99103155.5
申请日：1999-02-15
Applicant: 佳能株式会社
CPC classification number: H01L21/76254 , H01L21/76251 , H01L21/76259
Abstract: 为了分离第一和第二基底衬底而不会对其造成损坏，和使残损的基底衬底再次用作半导体衬底来提高生产率，公开了半导体衬底的制造方法，包括在形成于与键合面不同位置的分离区，将通过绝缘层相互键合第一基底衬底和第二基底衬底所形成的复合部件分离成多个部件，以将一个基底衬底的一部分转移于另一基底上。分离区的机械强度沿复合部件的键合面是非均匀的。
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公开(公告)号：CN1444252A
公开(公告)日：2003-09-24
申请号：CN03107555.X
申请日：1998-03-27
Applicant: 佳能株式会社
IPC: H01L21/00
CPC classification number: H01L21/67092 , H01L21/6838 , Y10T29/49821 , Y10T83/364 , Y10T156/1137 , Y10T156/1374 , Y10T156/1922 , Y10T156/1933 , Y10T156/1939
Abstract: 为分离由多个键合元件组成的组合元件而不将其破坏或损坏，从喷嘴对着组合元件喷射流体，以便在与键合位置不同的位置将组合元件分离成多个元件。
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公开(公告)号：CN1228607A
公开(公告)日：1999-09-15
申请号：CN99103155.5
申请日：1999-02-15
Applicant: 佳能株式会社
IPC: H01L21/00
CPC classification number: H01L21/76254 , H01L21/76251 , H01L21/76259
Abstract: 为了分离第一和第二基底衬底而不会对其造成损坏,和使残损的基底衬底再次用作半导体衬底来提高生产率,公开了半导体衬底的制造方法,包括在形成于与键合面不同位置的分离区,将通过绝缘层相互键合第一基底衬底和第二基底衬底所形成的复合部件分离成多个部件,以将一个基底衬底的一部分转移于另一基底上。分离区的机械强度沿复合部件的键合面是非均匀的。
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公开(公告)号：CN1258091A
公开(公告)日：2000-06-28
申请号：CN99123433.2
申请日：1999-11-05
Applicant: 佳能株式会社
CPC classification number: H01L21/67167 , H01L21/67092
Abstract: 本发明提供一种适用于制造SOI衬底的加工系统。加工系统包括:无向自动控制装置,用以传送由自动操作手保持的键合衬底叠片;以及配置在与无向自动控制装置的驱动轴大致等距离的位置的定中心设备、分离设备、翻转设备、和清洗/干燥设备。当自动操作手在水平面的绕驱动轴转动并移动靠近或离开该驱动轴时,就在各加工设备之间传递键合衬底叠片或分离后的衬底。
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公开(公告)号：CN1243327A
公开(公告)日：2000-02-02
申请号：CN99110696.2
申请日：1999-07-27
Applicant: 佳能株式会社
IPC: H01H21/00
Abstract: 本发明防止了具有分离层的键合衬底叠层被分离时产生的缺陷。在第一工序中,在旋转键合衬底叠层(101)的情况下,将射流喷射到多孔层(101b),以便局部分离键合衬底叠层(101),同时留下多孔层(101b)的中心部分作为未分离区。在第二工序中,在停止键合衬底叠层(101)旋转的情况下,将射流喷射到多孔层(101b)。从预定方向将力施加到未分离区,以便完全分离键合衬底叠层(101)。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1221973A
公开(公告)日：1999-07-07
申请号：CN98126335.6
申请日：1998-12-25
Applicant: 佳能株式会社
CPC classification number: H01L21/6835 , B26F3/004 , H01L21/67092 , H01L2924/30105 , Y10S156/941 , Y10T29/49821 , Y10T83/364 , Y10T156/11 , Y10T156/1126 , Y10T156/1374 , Y10T156/19
Abstract: 提供了一种在多孔层处分离带有多孔层的衬底的装置。带有多孔层(101b)的键合衬底叠层(101)在旋转的情况下由衬底固定部分(108,109)支持。高速高压的水(射流)从喷嘴(112)射出并注入到键合衬底叠层(101),从而物理上将键合衬底叠层(101)分离成二个衬底。射流压力根据分离工艺的进展而恰当地改变。
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公开(公告)号：CN1194452A
公开(公告)日：1998-09-30
申请号：CN98105896.5
申请日：1998-03-26
Applicant: 佳能株式会社
CPC classification number: Y02P70/521
Abstract: 制造SOI衬底的工艺,可节约资源和降低成本。制造光电转换器的工艺,通过多孔硅层分离衬底,不需要衬底和夹具间的强粘接力,能节约资源和降低成本。在非多孔层上具有多孔层并在多孔层上具有孔隙率低的层的衬底,通过该多孔层将该非多孔层与该孔隙率低的层分离以形成薄膜。将金属线缠绕在该衬底的侧表面,使电流流入该线以产生热量并传给多孔层来进行分离。将该被分离的衬底用于制造SOI衬底,将该被分离的非多孔层重新用于制造SOI衬底的工艺中。
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公开(公告)号：CN1808282A
公开(公告)日：2006-07-26
申请号：CN200610006404.7
申请日：2006-01-20
Applicant: 佳能株式会社
IPC: G03F7/20 , H01L21/027
CPC classification number: G03F7/70275
Abstract: 本发明公开了在物体上形成图案的曝光设备，其包括其中排列了每个至少包括一个光源的多个基本曝光单元和在物体上形成光源图像的光学元件的曝光头结构、检测物体表面位置的传感器，以及基于传感器的检测结果通过曝光头结构控制曝光的控制器。当选择性地操作满足预定条件的多个基本曝光单元之一时，所述控制器在物体上形成图案。
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公开(公告)号：CN1160760C
公开(公告)日：2004-08-04
申请号：CN99123686.6
申请日：1999-11-05
Applicant: 佳能株式会社
IPC: H01L21/00
CPC classification number: H01L21/67092 , Y10T29/49821 , Y10T83/364 , Y10T156/1137 , Y10T156/1939
Abstract: 本发明提供了以高产率分离具有多孔层的粘合的基片叠的技术。涉及的分离设备有一对基片保持部从上下侧夹住粘合的基片叠且水平地保持其转动。由喷嘴喷出射流到基片叠的多孔层中，而于此多孔层将基片叠分离。另一分离设备则具有：一对基片保持部、将流体注入基片叠的多孔层的喷嘴、以及用来防止下基片保持部突发向下运动但在分离此粘合的基片叠时允许其适度运动的意外操作防止机构。
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公开(公告)号：CN1153264C
公开(公告)日：2004-06-09
申请号：CN98126335.6
申请日：1998-12-25
Applicant: 佳能株式会社
CPC classification number: H01L21/6835 , B26F3/004 , H01L21/67092 , H01L2924/30105 , Y10S156/941 , Y10T29/49821 , Y10T83/364 , Y10T156/11 , Y10T156/1126 , Y10T156/1374 , Y10T156/19
Abstract: 一种物体分离装置和方法以及半导体衬底制造方法。提供了一种在多孔层处分离带有多孔层的衬底的装置。带有多孔层(101b)的键合衬底叠层(101)在旋转的情况下由衬底固定部分(108，109)支持。高速高压的水(射流)从喷嘴(112)射出并注入到键合衬底叠层(101)，从而物理上将键合衬底叠层(101)分离成二个衬底。射流压力根据分离工艺的进展而恰当地改变。
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