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公开(公告)号:CN1049573A
公开(公告)日:1991-02-27
申请号:CN90104926.3
申请日:1990-06-16
申请人: 佳能株式会社
IPC分类号: H01L31/18
CPC分类号: H01L21/2007 , H01L31/1804 , H01L31/1852 , H01L31/1876 , Y02E10/544 , Y02E10/547 , Y02P70/521 , Y10S117/913 , Y10S148/122
摘要: 一种制备选择晶体生长基片的方法,该方法包括使具有一层包含具有较高成核密度的第一种材料和一层包含具有比第一种材料成核密度低并叠加在第一层上的第二种材料的基片在包含第二种材料层的所需区域集中施加电场,从而清除该区域使包含第一种材料层暴露出来。
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公开(公告)号:CN102383193B
公开(公告)日:2014-11-26
申请号:CN201110301148.5
申请日:2002-08-12
申请人: 克利公司
CPC分类号: C30B25/02 , C30B25/18 , C30B29/403 , C30B29/406 , C30B33/00 , H01L21/0242 , H01L21/02439 , H01L21/0254 , H01L21/02664 , H01L33/007 , H01L33/0075 , H01L33/0079 , Y10S117/913 , Y10S117/915
摘要: 本发明提供了自支撑(Al,Ga,In)N制品及其形成方法。形成自支撑(Al,Ga,In)N制品(10)的方法的步骤包括:提供外延相容的牺牲模板(12);在模板(12)上沉积单晶(Al,Ga,In)N材料(16),形成牺牲模板/(Al,Ga,In)N复合制品(10),其中包括牺牲模板(12)与(Al,Ga,In)N材料(16)之间的界面(14);以及对牺牲模板/(Al,Ga,In)N复合制品(10)进行界面改性,使牺牲模板(12)与(Al,Ga,In)N材料(16)分离并得到自支撑(Al,Ga,In)N制品(10),通过这种方法制造的自支撑(Al,Ga,In)N制品(10)具有优异的形态特征,并且适于用作基体,例如,用于制造微电子和/或光电装置以及装置的先驱结构。
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公开(公告)号:CN103370782A
公开(公告)日:2013-10-23
申请号:CN201180052336.7
申请日:2011-10-28
申请人: 犹他大学研究基金会
发明人: 冯·柳 , 杰拉尔德·斯特林费洛 , 俊逸·朱
IPC分类号: H01L21/8252
CPC分类号: H01L21/0262 , H01L21/02538 , H01L21/02543 , H01L21/02579 , H01L21/02581 , Y10S117/913
摘要: 本发明提供了掺杂半导体膜的方法。所述方法包括在促进掺杂有p-型掺杂剂的III-V半导体膜的形成的条件下,在掺杂剂、能够用作电子库的表面活性剂和氢存在的情况下,生长III-V半导体膜外延。在所述方法的一些实施方式中,掺杂的III-V半导体膜的外延生长在第一氢分压下开始,所述第一氢分压在外延生长过程的过程中被升高至第二氢分压。
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公开(公告)号:CN1020025C
公开(公告)日:1993-03-03
申请号:CN90104926.3
申请日:1990-06-16
申请人: 佳能株式会社
CPC分类号: H01L21/2007 , H01L31/1804 , H01L31/1852 , H01L31/1876 , Y02E10/544 , Y02E10/547 , Y02P70/521 , Y10S117/913 , Y10S148/122
摘要: 一种制备选择晶体生长基片的方法,该方法包括使具有一层包含具有较高成核密度的第一种材料和一层包含具有比第一种材料成核密度低并迭加在第一层上的第二种材料的基片在包含第二种材料层的所需区域集中施加电场,从而清除该区域使包含第一种材料层暴露出来。
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公开(公告)号:CN101353813B
公开(公告)日:2012-06-27
申请号:CN200810130158.5
申请日:2002-08-12
申请人: 克利公司
CPC分类号: C30B25/02 , C30B25/18 , C30B29/403 , C30B29/406 , C30B33/00 , H01L21/0242 , H01L21/02439 , H01L21/0254 , H01L21/02664 , H01L33/007 , H01L33/0075 , H01L33/0079 , Y10S117/913 , Y10S117/915
摘要: 一种形成自支撑(Al,Ga,In)N制品(10)的方法,其步骤包括:提供外延相容的牺牲模板(12);在模板(12)上沉积单晶(Al,Ga,In)N材料(16),形成牺牲模板/(Al,Ga,In)N复合制品(10),其中包括牺牲模板(12)与(Al,Ga,In)N材料(16)之间的界面(14);以及对牺牲模板/(Al,Ga,In)N复合制品(10)进行界面改性,使牺牲模板(12)与(Al,Ga,In)N材料(16)分离并得到自支撑(Al,Ga,In)N制品(10),通过这种方法制造的自支撑(Al,Ga,In)N制品(10)具有优异的形态特征,并且适于用作基体,例如,用于制造微电子和/或光电装置以及装置的先驱结构。
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公开(公告)号:CN102383193A
公开(公告)日:2012-03-21
申请号:CN201110301148.5
申请日:2002-08-12
申请人: 克利公司
CPC分类号: C30B25/02 , C30B25/18 , C30B29/403 , C30B29/406 , C30B33/00 , H01L21/0242 , H01L21/02439 , H01L21/0254 , H01L21/02664 , H01L33/007 , H01L33/0075 , H01L33/0079 , Y10S117/913 , Y10S117/915
摘要: 本发明提供了自支撑(Al,Ga,In)N制品及其形成方法。形成自支撑(Al,Ga,In)N制品(10)的方法的步骤包括:提供外延相容的牺牲模板(12);在模板(12)上沉积单晶(Al,Ga,In)N材料(16),形成牺牲模板/(Al,Ga,In)N复合制品(10),其中包括牺牲模板(12)与(Al,Ga,In)N材料(16)之间的界面(14);以及对牺牲模板/(Al,Ga,In)N复合制品(10)进行界面改性,使牺牲模板(12)与(Al,Ga,In)N材料(16)分离并得到自支撑(Al,Ga,In)N制品(10),通过这种方法制造的自支撑(Al,Ga,In)N制品(10)具有优异的形态特征,并且适于用作基体,例如,用于制造微电子和/或光电装置以及装置的先驱结构。
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公开(公告)号:CN1237272A
公开(公告)日:1999-12-01
申请号:CN98801243.X
申请日:1998-08-27
申请人: 松下电器产业株式会社
IPC分类号: H01L21/205 , H01L21/203 , H01L21/20 , H01L29/80
CPC分类号: H01L29/1608 , C30B23/02 , C30B29/36 , H01L29/045 , H01L29/1075 , H01L29/66068 , Y10S117/913 , Y10T428/12576 , Y10T428/12674
摘要: 在衬底1的碳化硅晶体生长表面1a中,一边保持硅原子2相对于碳原子处于过剩状态,一边利用MBE法等使碳化硅薄膜进行外延生长。由此,可在低温下以良好的再现性形成结晶性良好的碳化硅衬底。即使在1300℃以下的低温下也能进行该生长,可形成高浓度掺杂膜·选择生长膜·在六方晶体上的立方晶体碳化硅的生长膜。此外,在六方晶体上使立方晶体碳化硅实现结晶化时,进而使用向(数1)方向倾斜的偏移切割衬底对于防止孪晶的发生是有效的。
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公开(公告)号:CN101353813A
公开(公告)日:2009-01-28
申请号:CN200810130158.5
申请日:2002-08-12
申请人: 克利公司
CPC分类号: C30B25/02 , C30B25/18 , C30B29/403 , C30B29/406 , C30B33/00 , H01L21/0242 , H01L21/02439 , H01L21/0254 , H01L21/02664 , H01L33/007 , H01L33/0075 , H01L33/0079 , Y10S117/913 , Y10S117/915
摘要: 一种形成自支撑(Al,Ga,In)N制品(10)的方法,其步骤包括:提供外延相容的牺牲模板(12);在模板(12)上沉积单晶(Al,Ga,In)N材料(16),形成牺牲模板/(Al,Ga,In)N复合制品(10),其中包括牺牲模板(12)与(Al,Ga,In)N材料(16)之间的界面(14);以及对牺牲模板/(Al,Ga,In)N复合制品(10)进行界面改性,使牺牲模板(12)与(Al,Ga,In)N材料(16)分离并得到自支撑(Al,Ga,In)N制品(10),通过这种方法制造的自支撑(Al,Ga,In)N制品(10)具有优异的形态特征,并且适于用作基体,例如,用于制造微电子和/或光电装置以及装置的先驱结构。
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公开(公告)号:CN100420569C
公开(公告)日:2008-09-24
申请号:CN02817479.8
申请日:2002-08-12
申请人: 克利公司
IPC分类号: B29D22/00 , B29D23/00 , B32B1/08 , B32B3/02 , B32B3/00 , C30B23/00 , C30B25/00 , C30B28/12 , C30B28/14 , C30B29/10 , C30B29/38
CPC分类号: C30B25/02 , C30B25/18 , C30B29/403 , C30B29/406 , C30B33/00 , H01L21/0242 , H01L21/02439 , H01L21/0254 , H01L21/02664 , H01L33/007 , H01L33/0075 , H01L33/0079 , Y10S117/913 , Y10S117/915
摘要: 一种形成自支撑(Al,Ga,In)N制品(10)的方法,其步骤包括:提供外延相容的牺牲模板(12);在模板(12)上沉积单晶(Al,Ga,In)N材料(16),形成牺牲模板/(Al,Ga,In)N复合制品(10),其中包括牺牲模板(12)与(Al,Ga,In)N材料(16)之间的界面(14);以及对牺牲模板/(Al,Ga,In)N复合制品(10)进行界面改性,使牺牲模板(12)与(Al,Ga,In)N材料(16)分离并得到自支撑(Al,Ga,In)N制品(10),通过这种方法制造的自支撑(Al,Ga,In)N制品(10)具有优异的形态特征,并且适于用作基体,例如,用于制造微电子和/或光电装置以及装置的先驱结构。
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公开(公告)号:CN1551824A
公开(公告)日:2004-12-01
申请号:CN02817479.8
申请日:2002-08-12
申请人: 克利公司
IPC分类号: B29D22/00 , B29D23/00 , B32B1/08 , B32B3/02 , B32B3/00 , C30B23/00 , C30B25/00 , C30B28/12 , C30B28/14 , C30B29/10 , C30B29/38
CPC分类号: C30B25/02 , C30B25/18 , C30B29/403 , C30B29/406 , C30B33/00 , H01L21/0242 , H01L21/02439 , H01L21/0254 , H01L21/02664 , H01L33/007 , H01L33/0075 , H01L33/0079 , Y10S117/913 , Y10S117/915
摘要: 一种形成自支撑(Al,Ga,In)N制品(10)的方法,其步骤包括:提供外延相容的牺牲模板(12);在模板(12)上沉积单晶(Al,Ga,In)N材料(16),形成牺牲模板/(Al,Ga,In)N复合制品(10),其中包括牺牲模板(12)与(Al,Ga,In)N材料(16)之间的界面(14);以及对牺牲模板/(Al,Ga,In)N复合制品(10)进行界面改性,使牺牲模板(12)与(Al,Ga,In)N材料(16)分离并得到自支撑(Al,Ga,In)N制品(10),通过这种方法制造的自支撑(Al,Ga,In)N制品(10)具有优异的形态特征,并且适于用作基体,例如,用于制造微电子和/或光电装置以及装置的先驱结构。
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