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    一种可控温的离子注入机及其控温方法
    11.
    发明授权
    一种可控温的离子注入机及其控温方法 有权 转让

    公开(公告)号：CN110571117B

    公开(公告)日：2022-07-08

    申请号：CN201910895689.1

    申请日：2019-09-21

    申请人： 厦门宇电自动化科技有限公司

    发明人： 孙永武 ,  嵇群群

    IPC分类号： H01J37/317 ,  H01J37/304

    摘要： 本发明公开了一种可控温的离子注入机及其控温方法，通过设置离子源装置生成离子束，通过靶盘的旋转及摆动，使各靶片的正面被离子束全方位注入，辅助处理模块用于对靶片辅助加热或冷却，温度传感器用以测量靶片背面不同位置的温度，处理器，接收各温度传感器的温度信号，截得一个温度最大值，运算同时间剩余的各温度信号得到一个温度均值，运算温度最大值和温度均值相减得到一个温度差值，由于靶片温度来自离子束照射的自加热以及辅助处理模块的加热或冷却，通过运算温度差值和第一预设值比值，温度均值和第二预设值比值，以此可准确控制离子束能量导致的温度偏差以及辅助处理模块带来的温度偏差，实现对离子注入机靶片温度的准确控制。

    用于多射束SEM工具的自参考健康监测系统
    12.
    发明公开
    用于多射束SEM工具的自参考健康监测系统 审中-实审

    公开(公告)号：CN114424316A

    公开(公告)日：2022-04-29

    申请号：CN202080060496.5

    申请日：2020-08-20

    申请人： ASML荷兰有限公司

    发明人： 方伟 ,  浦凌凌

    IPC分类号： H01J37/26 ,  H01J37/28 ,  H01J37/304

    摘要： 公开了用于图像增强的系统和方法。一种用于增强图像的方法，可以包括接收在成像过程中针对多射束系统的射束的性能度量的记录((502),(506))，每个记录与射束相关联。该方法还可以包括基于使用记录的一部分(502)所确定的基准值(504)，来确定射束的异常是否发生。该方法还可以包括响应于异常已经发生的确定来提供异常指示。

    参数获取装置、方法、离子注入方法和半导体工艺设备
    13.
    发明公开
    参数获取装置、方法、离子注入方法和半导体工艺设备 有权

    公开(公告)号：CN114388321A

    公开(公告)日：2022-04-22

    申请号：CN202210291961.7

    申请日：2022-03-24

    申请人： 广州粤芯半导体技术有限公司

    发明人： 陶卓 ,  朱红波

    IPC分类号： H01J37/244 ,  H01J37/304 ,  H01J37/317 ,  H01L21/67

    摘要： 本申请公开一种参数获取装置、方法、离子注入方法和半导体工艺设备。其中参数获取装置包括：挡板、法拉第杯和电流检测装置，所述挡板包括狭缝；所述挡板设于产生离子束流的离子束源和所述法拉第杯之间，被配置为在垂直于所述法拉第杯的高度方向移动，并阻挡所述离子束流，所述狭缝用于通过部分所述离子束流；所述法拉第杯被配置为在接收所述离子束流时产生电流；所述电流检测装置被配置为检测所述法拉第杯的电流大小，所述电流大小用于表征所述法拉第杯对应的电流密度。本申请能够快速准确地获取法拉第杯对应的电流密度，从而获取相关工艺参数。

    使用动态阈值进行电弧检测的系统和方法
    14.
    发明公开
    使用动态阈值进行电弧检测的系统和方法 有权

    公开(公告)号：CN113169018A

    公开(公告)日：2021-07-23

    申请号：CN201980079859.7

    申请日：2019-11-06

    申请人： 艾克塞利斯科技公司

    发明人： 尤瑟夫·努里

    IPC分类号： H01J37/317 ,  H01J37/304 ,  H01J37/08

    摘要： 本发明涉及快速熄灭可以在与离子源相关联的高压电极之间形成的电弧的电路、系统和方法，以缩短电弧的持续时间并减轻非均匀离子注入。在一个示例中，用于检测离子注入系统中的电弧的电弧检测电路包括模数转换器(ADC)和分析电路。ADC配置成将感测电流转换为数字电流信号，其中，感测电流表示供应到离子注入系统中的电极的电流，数字电流信号对该感测电流进行量化。分析电路配置成对数字电流信号进行分析，以确定数字电流信号是否满足阈值参数值，并且响应于数字电流信号满足阈值参数值，向触发控制电路提供电弧检测信号，触发控制电路激活灭弧机构。

    离子注入的监控方法、装置及设备
    16.
    发明公开
    离子注入的监控方法、装置及设备 有权

    公开(公告)号：CN111933506A

    公开(公告)日：2020-11-13

    申请号：CN202010817062.7

    申请日：2020-08-14

    申请人： 华虹半导体(无锡)有限公司

    发明人： 马富林 ,  郑刚 ,  曹志伟

    IPC分类号： H01J37/244 ,  H01J37/317 ,  H01J37/304

    摘要： 本申请公开了一种离子注入的监控方法、装置及设备，该方法包括：使电流测试模块的窗口偏转，电流测试模块设置于离子注入机的质荷筛选器中，窗口用于使述质荷筛选器筛选后的离子束偏转通过；获取监控信息，监控信息包括窗口的偏转角度以及偏转角度对应的电流值，电流值是离子束中的离子通过窗口产生的电流的电流值；根据监控信息计算得到离子束中目标离子的纯度。本申请通过在离子注入设备的质荷筛选器中设置包含窗口的电流测试模块，使窗口偏转且记录偏转角度和偏转角度对应的电流值，基于偏转角度和偏转角度对应的电流值计算得到离子束中目标离子的纯度，从而实现了对离子注入的纯度的实时监控，提高了半导体器件的制造效率。

    双极性晶片电荷监测器系统及包含其的离子注入系统
    17.
    发明授权
    双极性晶片电荷监测器系统及包含其的离子注入系统 有权

    公开(公告)号：CN107430974B

    公开(公告)日：2020-02-21

    申请号：CN201680010096.7

    申请日：2016-02-24

    申请人： 艾克塞利斯科技公司

    发明人： 马文·法利 ,  坂瀬高尾 ,  约瑟夫·福利

    IPC分类号： H01J37/304 ,  H01J37/317 ,  H01J37/32 ,  H01L21/66

    摘要： 本发明提供用于在离子注入期间确定工件经历的累积电荷的设备及方法。在一方面，提供具有朗缪耳探针(126)的电荷监测器，其中正电荷整流器(136)和负电荷整流器(138)可操作地耦合至所述探针并且各自被配置成仅传输正电荷和负电荷；正电流积分器(140)可操作地耦合至所述正电荷整流器(136)，其中所述正电流积分器经由正临界电压(142)而偏压，并且其中所述正电流积分器被配置成至少部分基于所述正临界电压输出正剂量(144)；负电流积分器(150)可操作地耦合至所述负电荷整流器(138)，其中所述负电流积分器经由负临界电压(152)而偏压，并且其中所述负电流积分器被配置成至少部分基于所述负临界电压输出负剂量(154)；正电荷计数器(146)和负电荷计数器(156)被配置成各自接收来自所述正电流积分器和负电流积分器的输出，以便提供与各自正电荷和负电荷相关联的各自累积正电荷值(148)和累积负电荷值(158)。

    聚焦离子束装置的控制方法以及记录介质
    18.
    发明授权
    聚焦离子束装置的控制方法以及记录介质 有权

    公开(公告)号：CN108573844B

    公开(公告)日：2019-12-24

    申请号：CN201810125436.1

    申请日：2018-02-07

    申请人： 株式会社日立制作所

    发明人： 渡边敬司 ,  峰利之 ,  志知广康 ,  森下真年

    IPC分类号： H01J37/304 ,  H01J37/305

    摘要： 本发明提供一种对基于FIB的加工时的加工位置偏差以及加工尺寸偏差进行补正的技术。聚焦离子束装置的控制方法具有：在第1加工视野中通过聚焦离子束的照射在试样表面形成第1加工图形的工序(S102)；基于第1加工图形的外形尺寸，决定接下来的第2加工视野的位置的工序(S103)；以及使台座移动到所决定的第2加工视野的位置的工序(S106、S107)。还具有：在第2加工视野中通过聚焦离子束的照射形成第2加工图形的工序(S108)。