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公开(公告)号：CN110068870B
公开(公告)日：2020-08-28
申请号：CN201910349278.2
申请日：2019-04-28
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: G01V3/10
Abstract: 本发明提供一种超导瞬变电磁信号的测量装置及方法，所述测量装置包括：TEM发射机、电连接于所述TEM发射机的TEM发射线圈、设于所述TEM发射线圈内的TEM接收机、设于所述TEM发射线圈外且与所述TEM接收机之间具有预设间距的三轴超导磁强计、电连接于所述三轴超导磁强计的数据采集组件及与所述TEM接收机和所述数据采集组件进行数据通信的数据处理组件。通过本发明解决了现有二次涡流场的测量过程中存在干扰信号，从而导致二次涡流场的测量不准确的问题。
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公开(公告)号：CN110438567A
公开(公告)日：2019-11-12
申请号：CN201910658855.6
申请日：2019-07-22
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明提供一种半导体硒氧化铋单晶薄膜材料的制备方法，包括以下步骤：S1：采用固相法烧结Bi2O2Se多晶靶材；S2：提供一立方或四方晶形衬底；S3：用有机溶剂对所述衬底进行清洗处理；S4：在脉冲激光沉积系统中对清洗后的衬底进行退火处理；S5：在脉冲激光沉积系统中烧蚀S1步骤中所述靶材，在上述衬底表面外延生长半导体Bi2O2Se单晶薄膜。本发明利用脉冲激光沉积技术，通过高真空设备、准分子激光器硬件、多晶靶材的合成、衬底的选取、衬底的处理、薄膜合成参数的稳定控制，制备得到高质量的Bi2O2Se单晶薄膜材料。本发明的制备方法对加快薄膜生长机理研究、提高薄膜的应用水平有极大价值。
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公开(公告)号：CN107870262B
公开(公告)日：2019-10-15
申请号：CN201711058842.2
申请日：2017-11-01
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: G01R23/10 , G01R33/032 , G04R20/02
Abstract: 本发明涉及一种基于GPS授时的高精度光泵磁力仪计频装置及方法，其中，所述装置包括：依次连接的一用于提供GPS秒脉冲信号的GPS接收机、一FPGA板卡、一频率计算模块和一晶振修正模块，以及一与所述FPGA板卡连接的多路选择器以及一与所述多路选择器和所述晶振修正模块连接的用于提供时钟脉冲信号的恒温晶振。本发明可以在解除因使用GPS授时所带来的测量地点限制的同时，很方便地通过多路协同计数方法提高频率测量的精度。此外，按本方法构建的高精度计频装置实现简单、适应性强、灵活度高、电磁兼容好，非常适合于光泵磁力仪等以频率输出测试结果的传感器。
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公开(公告)号：CN110217784A
公开(公告)日：2019-09-10
申请号：CN201910501877.1
申请日：2019-06-11
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: C01B32/19
Abstract: 本发明涉及一种高质量石墨烯材料的制备方法，包括：将电解质溶液、石墨原料和电极加入到电解容器中，使电极与电解质溶液接触，电极与石墨原料之间形成物理隔离；对电极施加电场，在石墨原料没有和电极接触的情况下发生插层和解理，电解质为硫酸、硝酸、磷酸、硼酸、硫酸盐、硝酸盐、磷酸盐、硼酸盐、碳酸盐、碳酸氢盐、尿素、甲酸、苯甲酸、乙酸和乙酸盐中的一种或其组合；清洗解理产物，除去电解质溶液，干燥得到高质量石墨烯粉体。本发明利用电解质在发生电化学反应时产生的过氧化物对石墨进行插层，过氧化物在插层过程中产生气泡对石墨结构进行解理，在无需接触电极的情况下实现石墨的高效解理和高质量石墨烯的电化学制备。
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公开(公告)号：CN106950516B
公开(公告)日：2019-06-14
申请号：CN201710183694.0
申请日：2017-03-24
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: G01V3/40
Abstract: 本发明提供一种微弱涡流磁场测量装置及方法，用于测量被测对象的涡流磁场，其中，该装置包括一屏蔽室，所述屏蔽室内设有一亥姆霍兹线圈、一被测对象托台和一磁传感器，所述屏蔽室外设有一数据同步源、一信号源、一功率放大器和一数据采集组件；其中，所述被测对象托台位于所述亥姆霍兹线圈的磁场均匀区，所述信号源和所述功率放大器依次串联在所述数据同步源与所述亥姆霍兹线圈之间；所述数据采集组件连接在所述数据同步源与所述磁传感器之间。本发明不仅提高涡流磁场的测量精度、简化涡流磁场的测量步骤，而且能整体对大尺寸系统的涡流磁场进行精确测量。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN109712777A
公开(公告)日：2019-05-03
申请号：CN201910142222.X
申请日：2019-02-26
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 , 中国科学院大学
Abstract: 本发明提供一种滤波器、测试系统及滤波器的制备方法，滤波器包括：螺旋线圈，包括若干条双绞线，半数双绞线的绕线方向为顺时针方向，其余双绞线的绕线方向为逆时针方向；屏蔽盒，屏蔽盒包括盒体及盖体；盒体内形成有容纳槽，盒体的侧壁上形成有与容纳槽相连通的通孔；螺旋线圈位于容纳槽内；盖体封盖于盒体上；转接头，包括第一转接头及第二转接头；第一转接头位于盒体外侧，且经由通孔与螺旋线圈的一端电连接；第二转接头位于盒体外侧，且经由通孔与螺旋线圈的另一端电连接；屏蔽粉，屏蔽粉覆盖螺旋线圈并填满容纳槽。本发明滤波器可以过滤去除测试系统中的高频信号；屏蔽盒可以屏蔽外界磁信号对螺旋线圈的磁干扰，从而避免对测试信号造成影响。
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公开(公告)号：CN109633541A
公开(公告)日：2019-04-16
申请号：CN201910061772.9
申请日：2019-01-23
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
CPC classification number: G01S5/06 , G01S5/0257 , G01S5/14 , G01S5/145
Abstract: 本发明提供一种磁源定位装置及磁源定位方法，所述磁源定位装置包括：安装支架，用于提供安装平台；全张量磁梯度测量组件，设于安装支架上，用于测量待定位磁源在全张量磁梯度测量组件处产生的磁场梯度值；位置定位器，刚性连接于全张量磁梯度测量组件，用于测量全张量磁梯度测量组件在地理坐标系下的位置信息；测控组件，电连接于全张量磁梯度测量组件及位置定位器，用于采集磁场梯度值及位置信息，并根据采集的数据对待定位磁源进行定位；运动载体，设于安装支架下方，用于载运安装支架进行位置移动，以实现全张量磁梯度测量组件的位置移动。通过本发明解决了现有定位方法中存在虚解或受基线长度限制而无法实现长距离高精度定位的问题。
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公开(公告)号：CN109633540A
公开(公告)日：2019-04-16
申请号：CN201910061731.X
申请日：2019-01-23
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
CPC classification number: G01S5/06 , G01S5/0257 , G01S5/14 , G01S5/145
Abstract: 本发明提供一种磁源的实时定位系统及实时定位方法，所述定位系统包括：设于不同测点的至少两组磁源定位装置；其中，磁源定位装置包括：安装支架，用于提供安装平台；全张量磁梯度测量组件，设于所述安装支架上，用于同步测量待定位磁源在所述全张量磁梯度测量组件处产生的磁场梯度值；位置定位器，刚性连接于所述全张量磁梯度测量组件，用于测量所述全张量磁梯度测量组件在地理坐标系下的位置信息；测控组件，电连接于所述全张量磁梯度测量组件及所述位置定位器，用于采集所述磁场梯度值及所述位置信息并根据采集的数据对所述待定位磁源进行实时定位。通过本发明解决了现有定位方法中存在虚解或受基线长度限制而无法实现长距离高精度定位的问题。
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公开(公告)号：CN109633539A
公开(公告)日：2019-04-16
申请号：CN201910061723.5
申请日：2019-01-23
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
CPC classification number: G01S5/06 , G01S5/0257 , G01S5/14 , G01S5/145
Abstract: 本发明提供一种磁源的静态定位装置及静态定位方法，所述静态定位装置包括：安装支架，用于提供安装平台；全张量磁梯度测量组件，设于所述安装支架上，用于测量待定位磁源在所述全张量磁梯度测量组件处产生的磁场梯度值；位置定位器，刚性连接于所述全张量磁梯度测量组件，用于测量所述全张量磁梯度测量组件在地理坐标系下的位置坐标；测控组件，电连接于所述全张量磁梯度测量组件及所述位置定位器，用于采集所述磁场梯度值及所述位置坐标，并根据采集的数据对运动状态下的所述待定位磁源进行实时定位。通过本发明解决了现有技术中无法对运动磁源进行高效定位的问题。
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公开(公告)号：CN108754608A
公开(公告)日：2018-11-06
申请号：CN201810669531.8
申请日：2018-06-22
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明涉及一种镍铜（111）合金单晶薄膜的制备方法，包括以下步骤：S1，提供蓝宝石基片；S2，在蓝宝石基片的晶面Al2O3(0001)上沉积50‑5000nm厚的金属薄膜，得到沉积有镍铜合金的蓝宝石衬底，其中，该金属薄膜为镍原子占原子总数的1‑40％的由镍原子和铜原子组成的合金薄膜；S3，将蓝宝石衬底放入化学气相沉积炉中，在氩气和氢气的气体氛围中进行退火处理，得到(111)晶向的单晶薄膜。本发明还涉及一种根据上述的制备方法得到的镍铜(111)合金单晶薄膜。根据本发明的制备方法获得的镍铜(111)合金单晶薄膜，极大地提高石墨烯的性能，为下一步石墨烯在微电子领域中的应用奠定基础。
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