公开(公告)号：CN112994667A

公开(公告)日：2021-06-18

申请号：CN201911272986.7

申请日：2019-12-12

Applicant: 三垦电气株式会社

Inventor： 前川祐也

IPC: H03K17/04

Abstract: 本申请实施例提供一种功率设备的控制装置及方法。所述控制装置包括：输入电路，其根据输入信号产生设置脉冲信号或重置脉冲信号；其中，所述重置脉冲信号根据选择信号能够被设定为具有不同的脉冲宽度；电平转换电路，其根据所述设置脉冲信号产生导通信号，或根据所述重置脉冲信号产生截止信号；驱动电路，其根据所述导通信号或者所述截止信号，驱动所述高压侧功率设备；判别电路，其对重置脉冲信号的脉冲宽度进行判别；以及切换电路，其根据判别出的脉冲宽度对所述高压侧功率设备的至少两个栅极电阻进行选择。由此，不仅能够降低电路面积并抑制成本；而且选择信号的传递不容易被噪声干扰，能够提高控制的稳定性。

公开(公告)号：CN112956004A

公开(公告)日：2021-06-11

申请号：CN201880098998.X

申请日：2018-11-08

Applicant: 三垦电气株式会社

Inventor： 藤田直人

IPC: H01L21/336 ,  H01L29/78

Abstract: 半导体装置具备：第二导电型的埋设区(20)，其被埋入于第一导电型的半导体衬底(10)的上表面的一部分；第二导电型的第一半导体区(30)，其覆盖埋设区(20)而配置于半导体衬底(10)的上方，并且杂质浓度比埋设区(20)低；第一导电型的连接区(40)，其在配置有第一半导体区(30)的区域的剩余区域处被埋入于半导体衬底(10)的上表面的一部分，并且侧面与作为第一半导体区(30)的下部的一部分的延伸区(31)连接；以及第一导电型的第二半导体区(50)，其配置于连接区(40)的上表面，并且侧面与第一半导体区(30)连接。第一半导体区(30)的延伸区(31)在第二半导体区(50)的端部的下方延伸而与连接区(40)的侧面相接。

公开(公告)号：CN112913030A

公开(公告)日：2021-06-04

申请号：CN201880098705.8

申请日：2018-12-14

Applicant: 三垦电气株式会社

Inventor： 小川嘉寿子

IPC: H01L29/06 ,  H01L29/78

Abstract: 半导体装置具备在上表面界定出元件区域(110)和包围元件区域(110)的周围的周边区域(120)的半导体基体(10)，各自具有配置于从半导体基体(10)的上表面向膜厚方向延伸的槽的内壁面的绝缘膜(21)、以及在槽的内部配置于绝缘膜(21)之上的导电体膜(22)的多个沟槽(20)包围元件区域(110)的周围而多重配置于周边区域(120)。周边区域(120)具有靠近元件区域(110)的内侧区域(121)、以及位于内侧区域(121)的周围的外侧区域(122)，被相邻的沟槽(20)夹着的半导体基体(10)的宽度在内侧区域(121)中比外侧区域(122)更宽。

公开(公告)号：CN112889158A

公开(公告)日：2021-06-01

申请号：CN201880098704.3

申请日：2018-12-14

Applicant: 三垦电气株式会社

Inventor： 小川嘉寿子

IPC: H01L29/06 ,  H01L29/78

Abstract: 半导体装置具备在主面界定出元件区域(110)和包围元件区域(110)的周围的周边区域(120)的半导体基体(10)，具有配置于槽的内壁面的绝缘膜(21)、以及在槽的内部配置于绝缘膜(21)之上的导电体膜(22)的外周沟槽(20)包围元件区域(110)的周围而配置于周边区域(120)。外周沟槽(20)的导电体膜(22)被设定为比形成于元件区域(110)的半导体元件的负侧的主电极的电位高的电位。

公开(公告)号：CN112640125A

公开(公告)日：2021-04-09

申请号：CN201880096916.8

申请日：2018-10-10

Applicant: 三垦电气株式会社

Inventor： 押野雄一

IPC: H01L29/739 ,  H01L21/336 ,  H01L29/78

Abstract: 一种沟槽栅型IGBT，具备：第1导电型的第1半导体区(10)；第1导电型的第2半导体区(20)，其配置在第1半导体区(10)的主面，并且杂质浓度比第1半导体区(10)高；第2导电型的第3半导体区(30)，其配置在第2半导体区(20)的上表面，并且以沿着膜厚方向具有多个峰值的杂质浓度分布添加有杂质；以及第1导电型的第4半导体区(40)，其配置在第3半导体区(30)的上表面。

公开(公告)号：CN108110047B

公开(公告)日：2021-01-01

申请号：CN201810001824.9

申请日：2014-08-29

Applicant: 三垦电气株式会社

Inventor： 川尻智司 ,  小川嘉寿子

IPC: H01L29/06 ,  H01L29/40 ,  H01L29/417 ,  H01L29/423 ,  H01L29/739 ,  H01L29/78 ,  H01L21/28 ,  H01L29/10

Abstract: 提供半导体装置。本发明具有：第1导电型的第1半导体区域；第2导电型的第2半导体区域，其配置于第1半导体区域的上方；第1导电型的第3半导体区域，其配置于第2半导体区域的上方；第2导电型的第4半导体区域，其配置于第3半导体区域的上方；绝缘膜，其配置于槽的内壁上，该槽从第4半导体区域的上表面起延伸并贯通第4半导体区域和第3半导体区域而到达第2半导体区域；控制电极，其配置在槽的侧面的绝缘膜上，并与第3半导体区域相对；第1主电极，其与第1半导体区域电连接；第2主电极，其与第4半导体区域电连接；以及底面电极，其配置在槽的底面的绝缘膜的上方，并且该底面电极被配置为与控制电极分离，在俯视时，槽在延伸方向上的长度比槽的宽度大，并且，槽的宽度比彼此相邻的所述槽的间隔宽。

公开(公告)号：CN106549044B

公开(公告)日：2020-08-07

申请号：CN201510761415.5

申请日：2015-11-10

Applicant: 三垦电气株式会社

Inventor： 鸟居克行

IPC: H01L29/739 ,  H01L29/06

Abstract: 一种半导体装置。其为了解决如下问题：容性FP的电位分割效果较强，耗尽层容易到达n‑区域的端。特征在于，边缘区具有：半导体基体；作为与第1导电型相反的导电型的第2导电型的半导体区域，其以pn结合的方式配置在半导体基体内；以及导体层，在半导体区域上方和半导体区域外侧的区域上方并列配置有多个所述导体层，所述导体层与半导体区域以及半导体区域外侧的区域绝缘，半导体区域外侧的区域上方的所述导体层与半导体区域外侧的区域上表面之间的距离大于半导体区域上方的所述导体层与导体区域上表面之间的距离。半导体基体上方的导体层与半导体基体上表面之间的距离大于半导体区域上方的导体层与半导体区域上表面之间的距离。

公开(公告)号：CN111082724A

公开(公告)日：2020-04-28

申请号：CN201811229653.1

申请日：2018-10-22

Applicant: 三垦电气株式会社

Inventor： 黄孝亮 ,  中岛洋一郎 ,  新井春树

IPC: H02P21/18 ,  H02P21/32

Abstract: 本申请实施例提供一种电机的转子位置的推定装置和推定方法，该装置包括：高频电压发生器，向旋转状态下未启动的电机注入高频电压；高频电流提取单元，从电机的定子的电流中提取与高频电压具有相同频率的高频分量；第一旋转位置计算单元，根据电流的高频分量中的q轴电流的高频分量，计算电机的转子的第一旋转位置；注入能量计算单元，分别计算在高频电压注入的时间内，电流的高频分量中的d轴电流的正分量和负分量在定子的电阻上消耗的能量；补偿量计算单元，根据上述消耗的能量，确定转子的旋转位置的补偿量；第二旋转位置计算单元，其用于将第一旋转位置与补偿量相加，作为电机的转子的第二旋转位置。本申请能够快速推定转子的位置。

公开(公告)号：CN107482965B

公开(公告)日：2020-04-10

申请号：CN201710407097.1

申请日：2017-06-02

Applicant: 三垦电气株式会社

Inventor： 中岛洋一郎

IPC: H02P6/20 ,  H02P6/18

Abstract: 同步电动机的控制装置。提供能够确定转子的初始相位而以无传感器的方式可靠地起动的同步电动机的控制装置。具有：反馈电流检测部(U相电流传感器(3u)、W相电流传感器(3w)、V相电流运算部(19)、反馈电流选择部(24))，其检测由相选择信号(s)选择出的在PM电机(1)中流过的任意一相的电流作为反馈电流(Ifb)；相电压指令运算部(相电流偏差运算部(25)、相电流PI运算部(26))，其根据相电流指令值(I＊)和反馈电流(Ifb)运算相电压指令值(V＊)；三相电压指令值运算部，其运算将由相选择信号(s)选择的相设为相电压指令值(V＊)的三相电压指令值；以及初始相位选择部(27)，其根据所述相选择信号输出设定的初始相位(θ0)。

公开(公告)号：CN110890857A

公开(公告)日：2020-03-17

申请号：CN201811045631.X

申请日：2018-09-07

Applicant: 三垦电气株式会社

Inventor： 中岛洋一郎

IPC: H02P21/14

Abstract: 本申请实施例提供一种电机的参数计算装置、方法和电机装置，该参数计算装置包括：q轴电感计算单元，其根据电机的转子在第一固定位置的情况下电机的三相绕组端子中全部的绕组端子之间被施加第一单相交流电压时流过三相绕组的电流，以及第一单相交流电压，计算电机的q轴阻抗，并根据q轴阻抗计算电机的q轴电感；d轴电感计算单元，其根据电机的转子在第二固定位置的情况下电机的三相绕组端子中的两相绕组端子之间被施加第二单相交流电压时流过两相绕组的电流，以及第二单相交流电压，计算电机的d轴阻抗，并根据d轴阻抗计算电机的d轴电感。本实施例能够以高精度计算电机的d轴电感和q轴电感。