公开(公告)号：CN85108326A

公开(公告)日：1986-12-03

申请号：CN85108326

申请日：1985-11-11

Applicant: 得克萨斯仪器公司

Inventor： 科克·D·胡 ,  罗伯特·W·布卢默 ,  西奥·J·鲍威尔 ,  萨蒂西·M·撒特

IPC: H01L27/00 ,  H01L21/66 ,  G01R31/28

Abstract: 一种自测试超大规模集成电路包括完成超大规模集成电路器件基本功能的功能块。具有内部图形发生器以便在测试控制器的控制下产生预定的图形。测试控制器响应通过接口电路从外部控制总线接收的外部信号执行预定测试程序。功能块的输出被输入到识别电路将其输出与预定的测试标准相比较。测试控制器测出识别电路的输出且如果在被处理的测试图形数据及预定的测试标准之间未能进行有效比较，则在测试程序末尾产生故障信号。

公开(公告)号：CN85103376A

公开(公告)日：1986-11-19

申请号：CN85103376

申请日：1985-05-13

Applicant: 得克萨斯仪器公司

Inventor： 查特基 ,  马利 ,  理查森

IPC: H01L27/04 ,  H01L29/66 ,  H01L21/02 ,  G11C11/40 ,  G11C11/24

CPC classification number: H01L27/10864 ,  H01L27/10841

Abstract: 这里揭示的是动态随机存取贮器(dRAM)单元和单元阵列，连同它们的生产方法，单元包括一个场效应管，一个在衬底的沟内形成的贮能电容器和在衬底上用外延生长法形成的场效应管子沟道。场效应管的源极和漏极同衬底绝缘。管子应该靠近沟或在沟侧壁的上半部分。信号电荷贮存在与衬底绝缘的电容器的板极上。

公开(公告)号：CN85103516A

公开(公告)日：1986-11-05

申请号：CN85103516

申请日：1985-05-02

Applicant: 得克萨斯仪器公司

Inventor： 麦克尔罗伊

IPC: G11C8/02

Abstract: 一半导体动态读/写存储装置，含有一单晶体存储单元的行列阵列，其每列单元有一差动读出放大器，该读出放大器所具有的一对平衡位线，它是以拟折叠位线结构构成，并自其输入端延伸。存储单元并非直接连于位线上，而是藕合至位线段上。行地址选择一单元连至线段上，并选择两线段的一条来与两位线的一条相联。单元的字线是成组地连于两位线上的，而不是一对一的交错。每段线有一组字线，而各组是互相交错的。若与一对一交错方案比较，组合的段线及位线电容对存储电容具有更佳的比率。

公开(公告)号：CN1095485A

公开(公告)日：1994-11-23

申请号：CN93114495.7

申请日：1989-03-16

Applicant: 得克萨斯仪器公司

Inventor： 拉里J·霍恩贝克

IPC: G02F1/00

CPC classification number: G09F9/372 ,  G02B26/0841

Abstract: 本发明提供一种空间光调制器的象素的复位方法。在一种有“软着陆”电极的空间光调制器中，存在着偏转片附着在着陆电极上的可能。本发明提供的方法包括(1)施加一个电压以存储能量于偏转片的铰链里，然后(2)去除电压以释放所存储的能量。

公开(公告)号：CN1050469A

公开(公告)日：1991-04-03

申请号：CN90108153.1

申请日：1988-01-30

Applicant: 得克萨斯仪器公司

Inventor： 拉杰夫·让·沙夏 ,  托安·特兰

IPC: H01L29/50 ,  H01L29/73 ,  H01L27/04 ,  H01L21/82

Abstract: 双极型和CMOS晶体管。掩膜、图形制作和注入被一体化以减少复杂性，形成PMOS和NMOS栅极导体和双极型发射极结构的分层多晶硅。多晶硅被重掺杂以形成MOS晶体管栅极和另一高杂质浓度的区域，该区域嗣后被扩散至双极型基区。对双极型晶体管的集电极、基极、发射极和MOS晶体管的栅极、源极、漏极用横向延伸的接触条带可制作面积小性能高的晶体管。对电极金属化图形对准的要求可降低。

公开(公告)号：CN1007478B

公开(公告)日：1990-04-04

申请号：CN86108046

申请日：1986-10-28

Applicant: 得克萨斯仪器公司

Inventor： 阿什温·H·萨 ,  巴拉布·K·查特尔基

IPC: H01L27/08

Abstract: 本发明实施例中包括一种垂直倒相器(31，32，33)。在一块N型衬底的表面，形成一层P型材料层，再依次形成一层N型层；一层P型层；一层N型和一层P型层(在制备过程中，可以掺各种不同的杂质，这并不超出本发明的范畴)。再沿着以上述方法形成的叠层的一侧蚀刻一条沟槽，在P型和N型层的中间形成一接线端。再形成另一沟槽，其中有一栅极绝缘体和一栅极(A，B)。该栅极作为以上述方法形成的N型沟道和P型沟道晶体管的栅极。

公开(公告)号：CN1007476B

公开(公告)日：1990-04-04

申请号：CN85108372

申请日：1985-11-01

Applicant: 得克萨斯仪器公司

Inventor： 罗伯特R·道尔林 ,  迈克尔P·德奈 ,  格雷戈里J·阿姆斯特朗

IPC: H01L21/78 ,  H01L21/265 ,  H01L21/82 ,  H01L27/04

CPC classification number: H01L21/823892 ,  H01L27/0928 ,  Y10S148/082 ,  Y10S148/14

Abstract: 一种利用最少数量光掩膜板的双阱互补型金属氧化物半导体工艺来制造诸如动态读写存贮器等的半导体器件。在氮化物构成的凹口里形成场氧化物隔离区，因而提供一个比较平坦的表面，并且使产生的侵蚀最少。用硅化、离子注入、源极/漏极区、对栅的自对准、在侧壁氧化层安置好后使用一种注入物、提供轻掺杂的漏极来构成P沟和N沟晶体管。P沟和N沟晶体管的阈值电压是通过区槽注入，而不是通过对于阈值电压调整的分离离子注入步骤来建立的。

公开(公告)号：CN1005803B

公开(公告)日：1989-11-15

申请号：CN86105419

申请日：1986-08-27

Applicant: FSI公司 ,  得克萨斯仪器公司

Inventor： 罗伯特·S·布莱克伍德 ,  雷克斯·L·比格斯塔夫 ,  L·戴维斯·克莱门茨 ,  C·林·克利夫林

IPC: H01L21/302

CPC classification number: H01L21/31116

Abstract: 从衬底上去除至少部分薄膜的方法，保持环绕衬底的大气在接近室温和通常大气压力下，在衬底上通入干燥惰性稀释气体，通过通入水蒸汽覆盖衬底和薄膜来预处理薄膜，在衬底上通入来自与水蒸汽发生源分开的发生源的水蒸汽和无水氟化氢气体，继续通入反应气体流，典型为5至30秒，直至去除控制量的薄膜，终止反应气体流并继续通入干燥惰性稀释气体终止薄膜去除。

公开(公告)号：CN1004594B

公开(公告)日：1989-06-21

申请号：CN85108008

申请日：1985-10-30

Applicant: 得克萨斯仪器公司

Inventor： 戴维·B·斯伯特 ,  詹姆斯·D·琼拉瑞 ,  爱尔顿·J·赞雷斯基

IPC: H01L29/72 ,  H01L29/76 ,  H01L29/68 ,  H01L21/04 ,  H01L21/20

CPC classification number: H01L29/66265 ,  H01L21/76264 ,  H01L21/76281 ,  H01L21/84 ,  H01L29/735

Abstract: 在被诸如氧化物之类的绝缘体[22]完全包围的一个薄的外延岛[24，70]中制成水平结构晶体管[20，68]。该晶体管[20，68]具有从同一掩模扩散到岛[24，70]中的基极区[34，80]和发射极区[26，84]，从而使基极[34，80]的宽度是可控的并且相对于发射极[26，84]来说保持不变。多晶硅基极接触[36，96]位于岛[24，70]的顶部之上并通过氧化层[90]与发射极区[26，84]和集电极区[28，86]相隔离。此水平结构晶体管很容易把互补的双极型晶体管[20，68]和互补的IGFET器件制作在同一衬底上。

公开(公告)号：CN1004042B

公开(公告)日：1989-04-26

申请号：CN85109185

申请日：1985-12-18

Applicant: 得克萨斯仪器公司

Inventor： 凯文·M·欧文

IPC: H03K19/01

CPC classification number: H03K19/088 ,  H03K19/0136

Abstract: 本跃变加速电路包括：一输入晶体管接受可变输入电压，一输出晶体管接在输入晶体管上接受接通电流，第一二极管在负极与输入晶体管集电极相连，电阻接在二极管正极和输出端间，加速晶体管发射极与输入晶体管集电极相连以使经输入晶体管向输出晶体管提供加速电流，第二二极管接在加速晶体管基极和第一二极管与电阻的连接点之间。输出端电压降到由电阻值决定的电压电平时，加速电流终止。