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公开(公告)号：CN1087769C
公开(公告)日：2002-07-17
申请号：CN96196683.1
申请日：1996-09-06
申请人： 财团法人电力中央研究所
发明人： 小野哲夫
IPC分类号： C10L1/32
CPC分类号： C10L1/326
摘要： 本发明涉及一种高浓度煤·水混合燃料及其制造方法。本发明在将粉碎至所定粒径分布的粉煤和水、分散剂混合制成CWM等高浓度煤·水混合燃料时，或较好的是在添加分散剂之前，对所述粉煤添加、混合对粉煤具保护效果的亲水胶体，得到含有亲水胶体、且表面活性剂的使用量较少的高浓度煤·水混合燃料。亲水胶体的添加量不到整个CWM中水份的1%(重量)，但多于与粉煤发生互相凝集的量；更好的是，其添加量在ppm～ppt级。在从粉煤制造混合燃料时，球状化处理，同时，生成粉煤的超细微粒，形成适用于CWM的粒径分布。
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公开(公告)号：CN1195368A
公开(公告)日：1998-10-07
申请号：CN96196683.1
申请日：1996-09-06
申请人： 财团法人电力中央研究所
发明人： 小野哲夫
IPC分类号： C10L1/32
CPC分类号： C10L1/326
摘要： 本发明涉及一种高浓度煤·水混合燃料及其制造方法。本发明在将粉碎至所定粒径分布的粉煤和水、分散剂混合制成CWM等高浓度煤·水混合燃料时,或较好的是在添加分散剂之前,对所述粉煤添加、混合对粉煤具保护效果的亲水胶体,得到含有亲水胶体、且表面活性剂的使用量较少的高浓度煤·水混合燃料。亲水胶体的添加量不到整个CWM中水份的1%(重量),但多于与粉煤发生互相凝集的量;更好的是,其添加量在ppm～ppt级。在从粉煤制造混合燃料时,球状化处理,同时,生成粉煤的超细微粒,形成适用于CWM的粒径分布。
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公开(公告)号：CN117822118A
公开(公告)日：2024-04-05
申请号：CN202311279562.X
申请日：2023-09-28
申请人： 一般财团法人电力中央研究所 , 未来瞻科技株式会社 , 株式会社电装 , 丰田自动车株式会社
摘要： [课题]本发明提供能够抑制贯通刃型位错被转变成棱柱面位错以及棱柱面位错被转变成基底面位错的碳化硅单晶的制造方法、以及碳化硅单晶锭和碳化硅晶片。[解决手段]利用气体法使碳化硅单晶在种基板的表面生长时，以种基板的矢径方向上的温度梯度成为规定温度以下的方式，使碳化硅单晶生长。基底面之中的超过临界分切应力的区域R1‑R3与棱柱面之中的超过临界分切应力的区域S1‑S4发生重叠的区域T1‑T4的面积小于晶体生长面的面积的一半。进而，区域T1‑T4的面积小于基底面之中的不超过临界分切应力的区域R4与区域S1‑S4发生重叠的区域V1‑V4。
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公开(公告)号：CN112334607B
公开(公告)日：2022-09-16
申请号：CN201980040774.8
申请日：2019-06-17
申请人： 株式会社电装 , 一般财团法人电力中央研究所
摘要： 在SiC单晶(6)的生长中添加重金属元素，将其添加密度设定为1×1015cm‑3以上。这样的构成的SiC单晶(6)是不易因生长中产生的热应力而产生位错的SiC单晶。因此，在将SiC单晶(6)切片而制成晶片并在其上使SiC层外延生长的情况下，也变得不易产生位错。通过设定为这样的构成，能够制成可抑制位错的产生或增殖的SiC单晶。
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公开(公告)号：CN112334607A
公开(公告)日：2021-02-05
申请号：CN201980040774.8
申请日：2019-06-17
申请人： 株式会社电装 , 一般财团法人电力中央研究所
摘要： 在SiC单晶(6)的生长中添加重金属元素，将其添加密度设定为1×1015cm‑3以上。这样的构成的SiC单晶(6)是不易因生长中产生的热应力而产生位错的SiC单晶。因此，在将SiC单晶(6)切片而制成晶片并在其上使SiC层外延生长的情况下，也变得不易产生位错。通过设定为这样的构成，能够制成可抑制位错的产生或增殖的SiC单晶。
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公开(公告)号：CN110637109A
公开(公告)日：2019-12-31
申请号：CN201880032744.8
申请日：2018-04-19
申请人： 昭和电工株式会社 , 一般财团法人电力中央研究所 , 株式会社电装
IPC分类号： C30B29/36 , C30B25/20 , H01L21/20 , H01L21/205 , C23C16/42
摘要： 本实施方式的SiC外延晶片的制造方法具有外延生长工序，所述外延生长工序中，向所述SiC单晶基板的表面供给Si系原料气体、C系原料气体和具有Cl元素的气体，在所述SiC单晶基板上生长所述外延层，所述外延生长工序的生长条件中，成膜压力为30托以下，Cl/Si比为8～12，C/Si比为0.8～1.2，生长速度从生长初期起为50μm/小时以上。
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公开(公告)号：CN101802273B
公开(公告)日：2013-04-17
申请号：CN200880106397.5
申请日：2008-09-12
申请人： 昭和电工株式会社 , 独立行政法人产业技术综合研究所 , 财团法人电力中央研究所
IPC分类号： H01L21/205 , C30B29/36 , C23C16/42 , C30B25/20
CPC分类号： C23C16/46 , C23C16/325 , C30B25/02 , C30B29/36 , H01L21/02378 , H01L21/02433 , H01L21/02529 , H01L21/02576 , H01L21/0262
摘要： 一种外延SiC单晶衬底，其特征在于，包括将c面或以大于0度小于10度的倾斜角度使c面倾斜得到的面作为主面的SiC单晶晶片、和在所述SiC单晶晶片的所述主面上形成的SiC外延膜，形成于所述SiC外延膜的贯通刃状位错列的位错列密度为10列/cm2以下。
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公开(公告)号：CN101594920B
公开(公告)日：2013-01-23
申请号：CN200880003265.X
申请日：2008-01-30
申请人： 财团法人电力中央研究所 , 月岛机械株式会社
CPC分类号： C02F11/14 , C02F1/04 , C02F11/002 , C02F11/121
摘要： 本发明的目的在于提供可高效地处理含水物质并在处理后能作为资源实现再利用的手段。即，本发明提供含水物质的处理方法以及含水物质的处理装置，所述方法的特征在于，包括下述工序：(A)使常温常压的条件下呈气体的物质作为液体与含水物质接触的接触工序；(B)获得液体层的对所述(A)工序后的处理物进行固液分离的固液分离工序；(C)从通过所述(B)工序得到的液体层，作为气体提取所述常温常压的条件下呈气体的物质的至少一部分的气化提取工序；(D)对所述(C)工序后的液体层进行液液分离，采取下层的液液分离工序。
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公开(公告)号：CN102810815A
公开(公告)日：2012-12-05
申请号：CN201210059253.7
申请日：2002-09-13
申请人： 财团法人电力中央研究所 , 关西电力株式会社 , 东京电力株式会社 , 日本可锻株式会社
摘要： 本发明提供一种具有例如在短路式事故时的续电流阻断性能的、有高性能续电流阻断特性的角形避雷装置，另外，还提供可重复维持优越的续电流阻断性能的角形避雷装置。该角形避雷装置，设置有围绕角形避雷器(11)(12)的前端侧的绝缘性筒体(21)。在该绝缘性筒体(21)上，形成从角形避雷器(11)(12)前端部通过绝缘性筒体(21)前端面的通孔(21a)，在随雷击而引起的闪络时，从通孔(21a)喷出电弧喷气。所述绝缘性筒体(21)由聚酰胺树脂形成。还设有覆盖着抑制向通孔21a中进入雨水的绝缘性筒体(21)的前端侧的盖体(30)。
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公开(公告)号：CN102171514A
公开(公告)日：2011-08-31
申请号：CN200980138677.9
申请日：2009-10-05
申请人： 三菱重工业株式会社 , 洁净煤电力研究与开发有限公司 , 北海道电力株式会社 , 东北电力株式会社 , 东京电力株式会社 , 中部电力株式会社 , 北陆电力株式会社 , 关西电力株式会社 , 中国电力株式会社 , 四国电力株式会社 , 九州电力株式会社 , 电源开发株式会社 , 财团法人电力中央研究所
CPC分类号： F23D14/78 , F23D14/22 , F23D14/32 , F27D99/0033 , Y02E20/344
摘要： 能够防止外筒的内周面被蒸气膜覆盖、热传导率降低而外筒的管壁温度急剧上升的现象，防止外筒因热而损伤。防止在燃烧器前端部的冷却效率不均匀导致的冷却不够引起的燃烧器的烧损。构成为，位于二级喷流床煤气化炉内的前端部是具有外筒和内筒的双重管结构，且对前端部冷却的冷却水通过内筒的内侧被供给，在对前端部冷却后，通过形成于外筒和内筒之间的空间内返回基端侧，并且，形成于外筒和内筒之间的流路面积小于形成于内筒内侧的流路面积，使通过形成于外筒和内筒之间的空间返回基端侧的冷却水形成沿着形成于内筒的外周面的引导件的回旋流、和沿着外筒及内筒的长度方向的大致直线流。
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