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公开(公告)号：CN103426461A
公开(公告)日：2013-12-04
申请号：CN201310185288.X
申请日：2013-05-17
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G11C11/16
CPC classification number: G11C11/165 , G06F12/0246 , G11C11/161 , G11C11/1653 , G11C11/1659 , G11C11/1673 , G11C11/1675 , G11C11/1693
Abstract: 公开了一种磁性随机存取存储器（MRAM）、包括其的存储模块和存储系统、以及MRAM的控制方法。MRAM包括被配置为根据磁化方向在至少两个状态之间变化的磁性存储单元，以及支持多个工作模式的模式寄存器。
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公开(公告)号：CN103179337A
公开(公告)日：2013-06-26
申请号：CN201210472944.X
申请日：2012-11-20
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H04N5/232
CPC classification number: H04N5/23293 , H04N5/2621
Abstract: 提供了一种数字拍摄设备及其控制方法。所述方法包括：设置被配置为划分显示屏幕的划分帧；在设置的划分帧的第一区域显示第一输入图像；在第一区域显示根据第一拍摄信号捕获的第一输入图像；在设置的划分帧的第二区域显示第二输入图像；在第二区域显示根据第二拍摄信号捕获的第二输入图像。
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公开(公告)号：CN101246734B
公开(公告)日：2012-07-04
申请号：CN200710303563.8
申请日：2007-12-28
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: G11C13/004 , G11C5/147 , G11C11/56 , G11C11/5678 , G11C13/0004 , G11C13/0038 , G11C16/30 , G11C2013/0054 , G11C2213/72
Abstract: 本发明提供偏压发生器、具有该偏压发生器的半导体存储器件以及产生偏压的方法。该偏压发生器产生偏压以控制用于读出数据的、提供给存储单元的读出电流，其特征在于响应于正在被施加的输入电压输出偏压，以便该偏压相对于该输入电压的斜率在对应于该输入电压的电平而划分开的至少两个部分中是不同的。
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公开(公告)号：CN102006410A
公开(公告)日：2011-04-06
申请号：CN201010253544.0
申请日：2010-08-12
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: H04N5/772 , H04N5/23219 , H04N21/4334 , H04N21/44008 , H04N21/440272 , H04N21/4424 , H04N21/8153
Abstract: 一种根据场景识别设置图像宽高比的方法及其数字拍摄设备，所述方法包括：产生输入图像；从输入图像识别场景；以及基于识别的场景设置输入图像的比率。
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公开(公告)号：CN101998038A
公开(公告)日：2011-03-30
申请号：CN201010250137.4
申请日：2010-08-09
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: H04N5/23293 , G03B17/20 , H04N5/232 , H04N5/23219 , H04N5/23222 , H04N2101/00
Abstract: 提供了一种数字拍摄设备及其控制方法。所述数字拍摄设备包括：拍摄单元，被配置用于产生对象的实况图像；主显示单元，被配置用于显示产生的图像；辅助显示单元，安装在数字拍摄设备的前部并被配置用于显示产生的图像；确定单元，被配置用于确定辅助显示单元是被打开还是被关闭；自拍设置单元，被配置用于当辅助显示单元从“关闭”状态切换到“打开”状态时设置自拍模式。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101246734A
公开(公告)日：2008-08-20
申请号：CN200710303563.8
申请日：2007-12-28
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: G11C13/004 , G11C5/147 , G11C11/56 , G11C11/5678 , G11C13/0004 , G11C13/0038 , G11C16/30 , G11C2013/0054 , G11C2213/72
Abstract: 本发明提供偏压发生器、具有该偏压发生器的半导体存储器件以及产生偏压的方法。该偏压发生器产生偏压以控制用于读出数据的、提供给存储单元的读出电流，其特征在于响应于正在被施加的输入电压输出偏压，以便该偏压相对于该输入电压的斜率在对应于该输入电压的电平而划分开的至少两个部分中是不同的。
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公开(公告)号：CN113099034B
公开(公告)日：2023-02-17
申请号：CN202110401137.8
申请日：2017-09-20
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H04M1/72448 , H04M1/72469 , H04M1/02 , G09G5/00 , G06F3/14 , G06F3/0487 , G06F3/04817 , G06F1/16
Abstract: 提供了一种电子装置及其操作方法。提供了一种用于在电子装置中提供用户界面(UI)的方法和装置。所述电子装置包括：显示器，显示与显示器的操作状态相应的UI；处理器，与显示器电连接，其中，处理器被配置为：确定显示器的操作状态，当操作状态是第一状态时，根据基本布置显示基于第一对象的第一UI，当操作状态是第二状态时，根据扩展布置显示基于第一对象和与第一对象相关联的第二对象的第二UI，并且与扩展布置相应地将第二对象显示在与第一对象邻近的区域中。
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公开(公告)号：CN107846501A
公开(公告)日：2018-03-27
申请号：CN201710851058.0
申请日：2017-09-20
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H04M1/725 , G06F3/14 , G06F3/0487
CPC classification number: G06F1/1641 , G06F1/1618 , G06F1/1647 , G06F1/1652 , G06F1/1677 , G06F3/04817 , G09G5/005 , G09G2370/02 , G09G2370/16 , H04M1/0268 , H04M1/72583 , G06F3/0487 , G06F3/1446 , H04M1/72563
Abstract: 提供了一种电子装置及其操作方法。提供了一种用于在电子装置中提供用户界面(UI)的方法和装置。所述电子装置包括：显示器，显示与显示器的操作状态相应的UI；处理器，与显示器电连接，其中，处理器被配置为：确定显示器的操作状态，当操作状态是第一状态时，根据基本布置显示基于第一对象的第一UI，当操作状态是第二状态时，根据扩展布置显示基于第一对象和与第一对象相关联的第二对象的第二UI，并且与扩展布置相应地将第二对象显示在与第一对象邻近的区域中。
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公开(公告)号：CN103489474B
公开(公告)日：2017-07-18
申请号：CN201310218479.1
申请日：2013-06-04
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G11C11/16
CPC classification number: G11C11/1675 , G11C5/147 , G11C11/161 , G11C11/1653 , G11C11/1659 , G11C11/1673 , G11C11/1697
Abstract: 一种磁随机存取存储器MRAM包括自旋转移扭矩磁随机存取存储器（STT‑MRAM）单元的存储单元阵列、以及公共连接到多个STT‑MRAM单元的源极线。源极线电压产生器响应于外部电源电压产生源极线驱动电压，并且将源极线驱动电压提供给源极线。
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公开(公告)号：CN103489474A
公开(公告)日：2014-01-01
申请号：CN201310218479.1
申请日：2013-06-04
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G11C11/16
CPC classification number: G11C11/1675 , G11C5/147 , G11C11/161 , G11C11/1653 , G11C11/1659 , G11C11/1673 , G11C11/1697
Abstract: 一种磁随机存取存储器MRAM包括自旋转移扭矩磁随机存取存储器（STT-MRAM）单元的存储单元阵列、以及公共连接到多个STT-MRAM单元的源极线。源极线电压产生器响应于外部电源电压产生源极线驱动电压，并且将源极线驱动电压提供给源极线。
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