公开(公告)号：CN102173795B

公开(公告)日：2014-12-10

申请号：CN201110025514.9

申请日：2009-05-28

Applicant: 三菱综合材料株式会社 ,  意法半导体(图尔)有限公司

Inventor： 藤井顺 ,  樱井英章 ,  野口毅 ,  曾山信幸

IPC: C04B35/491 ,  C04B35/472 ,  C04B35/622 ,  H01L21/316

CPC classification number: H01L41/1876 ,  B05D3/02 ,  B05D3/0209 ,  B05D3/04 ,  B05D3/0406 ,  B05D3/0413 ,  B05D3/0453 ,  B05D3/0473 ,  C01G25/006 ,  C01P2002/50 ,  C01P2006/40 ,  C04B24/40 ,  C04B24/42 ,  C04B35/491 ,  C04B35/493 ,  C04B35/624 ,  C04B35/632 ,  C04B35/6325 ,  C04B2111/92 ,  C04B2235/3224 ,  C04B2235/3225 ,  C04B2235/3227 ,  C04B2235/3229 ,  C04B2235/3232 ,  C04B2235/3293 ,  C04B2235/3298 ,  C04B2235/3418 ,  C04B2235/44 ,  C04B2235/441 ,  C04B2235/443 ,  C04B2235/447 ,  C04B2235/449 ,  C04B2235/6585 ,  C23C18/1204 ,  C23C18/1225 ,  C23C18/1279 ,  C23C30/00 ,  H01B3/14 ,  H01G4/1245 ,  H01G4/206 ,  H01L21/02197 ,  H01L21/02282 ,  H01L21/31691 ,  H01L27/108 ,  H01L27/11502 ,  H01L28/55 ,  H01L41/18 ,  H01L41/1875 ,  H01L41/318

Abstract: 一种强电介质薄膜形成用组合物，为用于形成选自PLZT、PZT及PT的1种强电介质薄膜的强电介质薄膜形成用组合物，其特征在于，是用于形成采取混合复合金属氧化物形态的薄膜的液态组合物，所述混合复合金属氧化物是在通式(1)：(PbxLay)(ZrzTi(1-z))O3表示的复合金属氧化物A中混合包含P(磷)的复合氧化物B得到的，式(1)中0.9＜x＜1.3、0≤y＜0.1、0≤z＜0.9，包含用于构成上述复合金属氧化物A的原料及用于构成上述复合氧化物B的原料以能够提供上述通式(1)表示的金属原子比的比例溶解在有机溶剂中的有机金属化合物溶液。

公开(公告)号：CN103664169A

公开(公告)日：2014-03-26

申请号：CN201310397322.X

申请日：2013-09-04

Applicant: 三菱综合材料株式会社

Inventor： 藤井顺 ,  樱井英章 ,  曾山信幸

IPC: C04B35/491 ,  C04B35/622

CPC classification number: H01B3/448 ,  C04B35/472 ,  C04B35/493 ,  C04B35/632 ,  C04B35/6325 ,  C04B35/63444 ,  C04B2235/3227 ,  C04B2235/441 ,  C04B2235/449 ,  C04B2235/658 ,  C04B2235/6581 ,  C04B2235/6585 ,  C23C18/1216 ,  H01B19/04 ,  H01L21/02197 ,  H01L21/02282 ,  H01L21/02337 ,  H01L28/55 ,  Y10T428/3192 ,  Y10T428/31938

Abstract: 本发明提供一种铁电薄膜形成用组合物及该薄膜的形成方法、通过该方法形成的薄膜以及复合电子组件。本发明中，即使在用于形成铁电薄膜的组合物中不掺杂Ce，且用于形成膜厚较厚的铁电薄膜的组合物不含有硝酸铅而含有乙酸铅，也不会在铁电薄膜上产生龟裂。通过铁电薄膜形成用组合物形成包含钛酸铅系钙钛矿膜或锆钛酸铅系复合钙钛矿膜的铁电薄膜。上述组合物包含乙酸铅、由乳酸构成的稳定剂以及聚乙烯吡咯烷酮。并且单体换算的聚乙烯吡咯烷酮相对于组合物中所含的钙钛矿A位原子的摩尔比大于0小于0.015。此外，聚乙烯吡咯烷酮的重均分子量为5000以上100000以下。

公开(公告)号：CN103360062A

公开(公告)日：2013-10-23

申请号：CN201310069009.3

申请日：2013-03-05

Applicant: 三菱综合材料株式会社

Inventor： 土井利浩 ,  樱井英章 ,  渡边敏昭 ,  曾山信幸

IPC: C04B35/49 ,  C04B35/624

CPC classification number: H01L41/1876 ,  C23C18/1216 ,  C23C18/1254 ,  C23C18/1283 ,  C23C18/1291

Abstract: 本发明提供一种铁电薄膜形成用溶胶-凝胶液和铁电薄膜的形成方法。在形成PZT系铁电薄膜时，能够将通过溶胶-凝胶法涂布一次形成的一层涂得较厚，并且，能够在临时烧结、烧成之后使PZT膜为无龟裂且致密的膜结构。铁电薄膜形成用溶胶-凝胶液含有PZT系化合物、含聚乙烯吡咯烷酮的粘度调整用高分子化合物及含甲酰胺系溶剂的有机掺杂剂，以氧化物换算计含17质量%以上的PZT系化合物，以单体换算计聚乙烯吡咯烷酮相对所述PZT系化合物的摩尔比为PZT系化合物:聚乙烯吡咯烷酮=1:0.1～0.5，所述溶胶-凝胶液中含3质量%～13质量%的甲酰胺系溶剂，从而能够使涂布一次形成的一层增厚，谋求提高生产效率且临时烧结、烧成之后也可实现无龟裂且紧密的成膜。

公开(公告)号：CN102482115A

公开(公告)日：2012-05-30

申请号：CN201080038913.2

申请日：2010-09-02

Applicant: 三菱综合材料株式会社

Inventor： 樱井英章 ,  渡边敏昭 ,  曾山信幸

IPC: C01G23/00 ,  C04B35/46 ,  H01G4/12 ,  H01G4/33

CPC classification number: C04B35/624 ,  C01G23/006 ,  C04B35/4686 ,  C04B35/47 ,  C04B2235/441 ,  C04B2235/6562 ,  H01G4/1227 ,  H01G4/33 ,  H01G7/06 ,  H01L21/02197 ,  H01L21/02282 ,  H01L28/55 ,  Y10T29/435 ,  Y10T428/2495

Abstract: 本发明的电介质薄膜的形成方法中，通过溶胶-凝胶法来形成Ba1-xSrxTiyO3（0.2＜x＜0.6、0.9＜y＜1.1）的电介质薄膜时，从涂布至烧成的工序进行2～9次，使初次烧成后形成的薄膜的厚度为20～80nm、使第2次以后的烧成后形成的各薄膜的厚度为20～小于200nm、初次至2～9次的各烧成通过在大气压气氛下、以升温速度1～50℃/分升温至500～800℃范围内的规定温度来进行，使电介质薄膜的总厚为100～600nm。

公开(公告)号：CN1664164A

公开(公告)日：2005-09-07

申请号：CN200410087435.0

申请日：2004-09-08

Applicant: 三菱综合材料株式会社

Inventor： 斋笃 ,  曾山信幸 ,  柳泽明男

IPC: C23C16/18 ,  C07F7/00

CPC classification number: C07F7/003

Abstract: 本发明提供一种气化稳定性优良、具有较高成膜速度的含铪膜形成材料以及该形成材料的制造方法。还提供一种具有良好的段差覆盖性的含铪薄膜的制造方法。本发明是一种含有有机铪化合物的含铪膜形成材料的改良，其中该有机铪化合物含有由铪原子与氮原子形成的键，或由铪原子与氧原子形成的键，具有其特征的构成在于形成材料中所含的锆元素的含量在650ppm或以下。