公开(公告)号：CN103360066A

公开(公告)日：2013-10-23

申请号：CN201310273420.2

申请日：2009-05-28

申请人： 三菱综合材料株式会社

发明人： 藤井顺 ,  樱井英章 ,  野口毅 ,  曾山信幸

IPC分类号： C04B35/491 ,  C04B35/472 ,  C04B35/50 ,  H01G4/12 ,  H01G4/20 ,  H01L21/02 ,  H01L21/316 ,  H01L21/318

CPC分类号： H01L41/1876 ,  B05D3/02 ,  B05D3/0209 ,  B05D3/04 ,  B05D3/0406 ,  B05D3/0413 ,  B05D3/0453 ,  B05D3/0473 ,  C01G25/006 ,  C01P2002/50 ,  C01P2006/40 ,  C04B24/40 ,  C04B24/42 ,  C04B35/491 ,  C04B35/493 ,  C04B35/624 ,  C04B35/632 ,  C04B35/6325 ,  C04B2111/92 ,  C04B2235/3224 ,  C04B2235/3225 ,  C04B2235/3227 ,  C04B2235/3229 ,  C04B2235/3232 ,  C04B2235/3293 ,  C04B2235/3298 ,  C04B2235/3418 ,  C04B2235/44 ,  C04B2235/441 ,  C04B2235/443 ,  C04B2235/447 ,  C04B2235/449 ,  C04B2235/6585 ,  C23C18/1204 ,  C23C18/1225 ,  C23C18/1279 ,  C23C30/00 ,  H01B3/14 ,  H01G4/1245 ,  H01G4/206 ,  H01L21/02197 ,  H01L21/02282 ,  H01L21/31691 ,  H01L27/108 ,  H01L27/11502 ,  H01L28/55 ,  H01L41/18 ,  H01L41/1875 ,  H01L41/318

摘要： 用于形成选自PLZT、PZT及PT的1种强电介质薄膜的、本发明的强电介质薄膜形成用组合物是用于形成采取混合复合金属氧化物形态的薄膜的液态组合物，所述混合复合金属氧化物是在通式（1）：（PbxLay）（ZrzTi（1－z））Ｏ3（式（1）中0.9＜x＜1.3、0≦y＜0.1、0≦z＜0.9）表示的复合金属氧化物A中混合了复合氧化物B或通式（2）CnH2n＋1COOH（其中，3≦n≦7）表示的羧酸B得到的，复合氧化物B含有选自P（磷）、Si、Ce及Bi的1种或2种以上、选自Sn、Sm、Nd及Y（钇）的1种或2种以上。

公开(公告)号：CN102315025A

公开(公告)日：2012-01-11

申请号：CN201110178384.2

申请日：2011-06-29

申请人： 三菱综合材料株式会社 ,  意法半导体公司

发明人： 樱井英章 ,  渡边敏昭 ,  曾山信幸 ,  G.古伊干

IPC分类号： H01G4/33 ,  H01G4/06 ,  H01G4/14 ,  H01G4/005

CPC分类号： H01L28/60 ,  B82Y30/00 ,  C04B35/4682 ,  C04B2235/3213 ,  C04B2235/441 ,  C04B2235/781 ,  C04B2235/785 ,  C04B2235/787 ,  H01G4/01 ,  H01G4/1227 ,  H01G4/33 ,  H01L21/02197 ,  H01L21/02282 ,  H01L28/55 ,  H01L28/65

摘要： 一种薄膜电容器，其特征在于，形成下电极、将组合物涂覆至下电极上而没有进行温度高于300℃的退火过程、在从环境温度至500℃的预定温度下干燥，并且在500至800℃且高于干燥温度的预定温度下煅烧。从涂覆至煅烧的过程进行一次或至少两次，或者从涂覆至干燥的过程进行至少两次，然后煅烧进行一次。在第一次煅烧之后形成的电介质薄膜的厚度为20至600nm。下电极的厚度和在初次煅烧步骤之后形成的电介质薄膜的厚度之比（下电极厚度/介电薄膜厚度）优选为0.10至15.0。

公开(公告)号：CN102173795A

公开(公告)日：2011-09-07

申请号：CN201110025514.9

申请日：2009-05-28

申请人： 三菱综合材料株式会社 ,  意法半导体(图尔)有限公司

发明人： 藤井顺 ,  樱井英章 ,  野口毅 ,  曾山信幸

IPC分类号： C04B35/491 ,  C04B35/472 ,  C04B35/622 ,  H01L21/316

CPC分类号： H01L41/1876 ,  B05D3/02 ,  B05D3/0209 ,  B05D3/04 ,  B05D3/0406 ,  B05D3/0413 ,  B05D3/0453 ,  B05D3/0473 ,  C01G25/006 ,  C01P2002/50 ,  C01P2006/40 ,  C04B24/40 ,  C04B24/42 ,  C04B35/491 ,  C04B35/493 ,  C04B35/624 ,  C04B35/632 ,  C04B35/6325 ,  C04B2111/92 ,  C04B2235/3224 ,  C04B2235/3225 ,  C04B2235/3227 ,  C04B2235/3229 ,  C04B2235/3232 ,  C04B2235/3293 ,  C04B2235/3298 ,  C04B2235/3418 ,  C04B2235/44 ,  C04B2235/441 ,  C04B2235/443 ,  C04B2235/447 ,  C04B2235/449 ,  C04B2235/6585 ,  C23C18/1204 ,  C23C18/1225 ,  C23C18/1279 ,  C23C30/00 ,  H01B3/14 ,  H01G4/1245 ,  H01G4/206 ,  H01L21/02197 ,  H01L21/02282 ,  H01L21/31691 ,  H01L27/108 ,  H01L27/11502 ,  H01L28/55 ,  H01L41/18 ,  H01L41/1875 ,  H01L41/318

摘要： 一种强电介质薄膜形成用组合物，为用于形成选自PLZT、PZT及PT的1种强电介质薄膜的强电介质薄膜形成用组合物，其特征在于，是用于形成采取混合复合金属氧化物形态的薄膜的液态组合物，所述混合复合金属氧化物是在通式(1)：(PbxLay)(ZrzTi(1-z))O3表示的复合金属氧化物A中混合包含P(磷)的复合氧化物B得到的，式(1)中0.9＜x＜1.3、0≤y＜0.1、0≤z＜0.9，包含用于构成上述复合金属氧化物A的原料及用于构成上述复合氧化物B的原料以能够提供上述通式(1)表示的金属原子比的比例溶解在有机溶剂中的有机金属化合物溶液。

公开(公告)号：CN102046563A

公开(公告)日：2011-05-04

申请号：CN200980119294.7

申请日：2009-05-28

申请人： 三菱综合材料株式会社

发明人： 藤井顺 ,  樱井英章 ,  野口毅 ,  曾山信幸

IPC分类号： C04B35/49 ,  C01G25/00 ,  C04B35/46 ,  H01L21/316 ,  H01L21/8242 ,  H01L21/8246 ,  H01L27/105 ,  H01L27/108

CPC分类号： H01L41/1876 ,  B05D3/02 ,  B05D3/0209 ,  B05D3/04 ,  B05D3/0406 ,  B05D3/0413 ,  B05D3/0453 ,  B05D3/0473 ,  C01G25/006 ,  C01P2002/50 ,  C01P2006/40 ,  C04B24/40 ,  C04B24/42 ,  C04B35/491 ,  C04B35/493 ,  C04B35/624 ,  C04B35/632 ,  C04B35/6325 ,  C04B2111/92 ,  C04B2235/3224 ,  C04B2235/3225 ,  C04B2235/3227 ,  C04B2235/3229 ,  C04B2235/3232 ,  C04B2235/3293 ,  C04B2235/3298 ,  C04B2235/3418 ,  C04B2235/44 ,  C04B2235/441 ,  C04B2235/443 ,  C04B2235/447 ,  C04B2235/449 ,  C04B2235/6585 ,  C23C18/1204 ,  C23C18/1225 ,  C23C18/1279 ,  C23C30/00 ,  H01B3/14 ,  H01G4/1245 ,  H01G4/206 ,  H01L21/02197 ,  H01L21/02282 ,  H01L21/31691 ,  H01L27/108 ,  H01L27/11502 ,  H01L28/55 ,  H01L41/18 ,  H01L41/1875 ,  H01L41/318

摘要： 用于形成选自PLZT、PZT及PT的1种强电介质薄膜，本发明的强电介质薄膜形成用组合物是用于形成采取混合复合金属氧化物形态的薄膜的液态组合物，所述混合复合金属氧化物是在通式(1)：(PbxLay)(ZrzTi(1-z))O3(式(1)中0.9＜x＜1.3、0≤y＜0.1、0≤z＜0.9)表示的复合金属氧化物A中混合了复合氧化物B或通式(2)CnH2n+1COOH(其中，3≤n≤7)表示的羧酸B得到的，复合氧化物B含有选自P(磷)、Si、Ce及Bi的1种或2种以上、选自Sn、Sm、Nd及Y(钇)的1种或2种以上。

公开(公告)号：CN104446463B

公开(公告)日：2017-04-12

申请号：CN201410553563.3

申请日：2009-05-28

申请人： 三菱综合材料株式会社

发明人： 藤井顺 ,  樱井英章 ,  野口毅 ,  曾山信幸

IPC分类号： H01L21/02 ,  C04B35/491 ,  C04B35/472 ,  C04B35/50 ,  H01G4/12 ,  H01G4/20 ,  H01L21/316 ,  H01L21/318

CPC分类号： H01L41/1876 ,  B05D3/02 ,  B05D3/0209 ,  B05D3/04 ,  B05D3/0406 ,  B05D3/0413 ,  B05D3/0453 ,  B05D3/0473 ,  C01G25/006 ,  C01P2002/50 ,  C01P2006/40 ,  C04B24/40 ,  C04B24/42 ,  C04B35/491 ,  C04B35/493 ,  C04B35/624 ,  C04B35/632 ,  C04B35/6325 ,  C04B2111/92 ,  C04B2235/3224 ,  C04B2235/3225 ,  C04B2235/3227 ,  C04B2235/3229 ,  C04B2235/3232 ,  C04B2235/3293 ,  C04B2235/3298 ,  C04B2235/3418 ,  C04B2235/44 ,  C04B2235/441 ,  C04B2235/443 ,  C04B2235/447 ,  C04B2235/449 ,  C04B2235/6585 ,  C23C18/1204 ,  C23C18/1225 ,  C23C18/1279 ,  C23C30/00 ,  H01B3/14 ,  H01G4/1245 ,  H01G4/206 ,  H01L21/02197 ,  H01L21/02282 ,  H01L21/31691 ,  H01L27/108 ,  H01L27/11502 ,  H01L28/55 ,  H01L41/18 ,  H01L41/1875 ,  H01L41/318

摘要： 用于形成选自PLZT、PZT及PT的1种强电介质薄膜的本发明的强电介质薄膜形成用组合物，是用于形成采取复合金属氧化物形态的薄膜的液态组合物，所述复合金属氧化物是在通式(1):(PbxLay)(ZrzTi(1‑z))O3表示的复合金属氧化物A中混合通式(2)CnH2n+1COOH表示的、并且、配位在上述金属上时能够形成下式(3)的结构的、羧酸B得到的，式(1)中0.9

公开(公告)号：CN103360062B

公开(公告)日：2016-06-08

申请号：CN201310069009.3

申请日：2013-03-05

申请人： 三菱综合材料株式会社

发明人： 土井利浩 ,  樱井英章 ,  渡边敏昭 ,  曾山信幸

IPC分类号： C04B35/49 ,  C04B35/624

CPC分类号： H01L41/1876 ,  C23C18/1216 ,  C23C18/1254 ,  C23C18/1283 ,  C23C18/1291

摘要： 本发明提供一种铁电薄膜形成用溶胶-凝胶液和铁电薄膜的形成方法。在形成PZT系铁电薄膜时，能够将通过溶胶-凝胶法涂布一次形成的一层涂得较厚，并且，能够在临时烧结、烧成之后使PZT膜为无龟裂且致密的膜结构。铁电薄膜形成用溶胶-凝胶液含有PZT系化合物、含聚乙烯吡咯烷酮的粘度调整用高分子化合物及含甲酰胺系溶剂的有机掺杂剂，以氧化物换算计含17质量%以上的PZT系化合物，以单体换算计聚乙烯吡咯烷酮相对所述PZT系化合物的摩尔比为PZT系化合物:聚乙烯吡咯烷酮=1:0.1～0.5，所述溶胶-凝胶液中含3质量%～13质量%的甲酰胺系溶剂，从而能够使涂布一次形成的一层增厚，谋求提高生产效率且临时烧结、烧成之后也可实现无龟裂且紧密的成膜。

公开(公告)号：CN102436866A

公开(公告)日：2012-05-02

申请号：CN201110258192.2

申请日：2011-09-02

申请人： 三菱综合材料株式会社

发明人： G.古伊甘 ,  渡边敏昭 ,  曾山信幸 ,  樱井英章

IPC分类号： H01B3/10 ,  H01B19/00

CPC分类号： H01G7/06 ,  C04B35/4682 ,  C04B35/47 ,  C04B35/62218 ,  C04B2235/3213 ,  C04B2235/3215 ,  C04B2235/3232 ,  H01L28/55

摘要： 用于形成BST介电薄膜的介电薄膜形成组合物，该组合物包括用于形成薄膜的液态组合物，其采用混合的复合金属氧化物的形式，在其中包括Cu(铜)的复合氧化物B被混合到由式Ba1-xSrxTiyO3(其中0.2

公开(公告)号：CN114846624A

公开(公告)日：2022-08-02

申请号：CN202080087470.X

申请日：2020-12-18

申请人： 三菱综合材料株式会社 ,  国立大学法人北陆先端科学技术大学院大学

发明人： 中泽弘实 ,  曾山信幸 ,  白田敬治 ,  土井利浩 ,  范图仲 ,  高村禅 ,  下田达也 ,  广濑大亮

IPC分类号： H01L29/786 ,  G01N33/483 ,  G01N33/53 ,  G01N33/552 ,  G01N27/414

摘要： 该晶体管传感器具有：基板；沟道层，设置于所述基板的一个面上；及固体电解质层，设置于所述基板与所述沟道层之间或所述沟道层的与所述基板侧相反的一侧的面上，所述沟道层包含无机半导体，所述固体电解质层包含无机固体电解质，所述晶体管传感器具备暴露部，所述暴露部通过所述沟道层及所述固体电解质层中的任一个或这两个的至少一部分暴露于外部而形成。

公开(公告)号：CN108352443B

公开(公告)日：2021-11-05

申请号：CN201680049774.0

申请日：2016-08-26

申请人： 国立大学法人北陆先端科学技术大学院大学 ,  三菱综合材料株式会社

发明人： 田头裕己 ,  志村礼司郎 ,  高村禅 ,  李金望 ,  下田达也 ,  渡边敏昭 ,  曾山信幸

IPC分类号： H01L41/43 ,  H01L41/318 ,  H01L21/316 ,  H01L21/8246 ,  H01L27/105 ,  H01L41/187

摘要： 本发明包括下述的工序：涂布PZT铁电体膜形成用液体组合物的工序；将涂布液体组合物而得的膜干燥的工序；对已干燥的膜在含氧气氛下以150～200℃的温度进行紫外线照射的工序；以及，将涂布工序、干燥工序及紫外线照射工序进行1次或2次以上之后，在含氧气氛下以0.5℃/秒以上的速度升温、或在不含氧气氛下以0.2℃/秒以上的速度升温，并保持于400～500℃的温度，由此将经紫外线照射的铁电体膜前体膜煅烧而结晶的工序。其中，设定液体组合物的每1次的涂布量，使得每涂布1次的铁电体膜的厚度为150nm以上，且在紫外线照射时供给臭氧。

公开(公告)号：CN112335062A

公开(公告)日：2021-02-05

申请号：CN201980039936.6

申请日：2019-06-07

申请人： 三菱综合材料株式会社

发明人： 辻内直人 ,  土井利浩 ,  曾山信幸

IPC分类号： H01L41/317 ,  H01L41/187

摘要： 该KNN膜形成用液体组合物包含有机金属化合物与溶剂，所述有机金属化合物包含有机钾化合物、有机钠化合物及有机铌化合物。在该KNN膜形成用液体组合物中，有机钾化合物及钠化合物分别为由通式CnH2n+1COOH(其中，4≤n≤8)表示的羧酸的金属盐，有机铌化合物为烷氧化铌或所述通式CnH2n+1COOH(其中，4≤n≤8)所示的羧酸的金属盐，主溶剂为由所述通式CnH2n+1COOH(其中，4≤n≤8)表示的羧酸，且相对于KNN膜形成用液体组合物100质量％包含50质量％～90质量％。