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公开(公告)号：CN105133014A
公开(公告)日：2015-12-09
申请号：CN201510594635.3
申请日：2015-09-17
申请人： 上海交通大学
CPC分类号： Y02E40/64
摘要： 本发明提供一种生长REBCO高温超导准单晶体的方法，包括如下工序：a)按照摩尔比Ba：Cu＝2：3制备Ba2Cu3O5粉末；b)按RE2O3+2Ba2Cu3O5+(0.3～1.5)wt％CeO2的配比制备前驱体；c)将所述前驱体置于生长炉中以籽晶诱导熔融织构法生长REBCO高温超导准单晶体；其中，工序b)中的前驱体为工序a)获得的Ba2Cu3O5粉末按RE2O3+2Ba2Cu3O5+(0.3～1.5)wt％CeO2的比例混合均匀，压制而成的圆柱形前驱体。本发明在前驱体中直接使用摩尔比Ba：Cu＝2：3制备的Ba2Cu3O5粉末，而避免制备RE123粉末，节约了时间和工艺成本，又能够保证在整个生长过程中的各元素配比保持RE:Ba：Cu＝1：2：3的比例，从而获得REBCO高温超导准单晶。
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公开(公告)号：CN104790038A
公开(公告)日：2015-07-22
申请号：CN201510246415.1
申请日：2015-05-14
申请人： 上海交通大学
CPC分类号： C30B29/22 , C30B11/006 , C30B11/14
摘要： 本发明提供一种REBCO准单晶生长工艺中控制液体流失的方法，该方法采用镶嵌式籽晶的前驱体熔融织构制备REBCO准单晶，在制备工艺过程中，采用Fe2O3粉末作为铁掺杂与CeO2联合掺杂的REBCO准单晶的前驱粉体的组分，制备镶嵌式籽晶的前驱体，将镶嵌式籽晶的前驱体置于生长炉中进行熔融织构生长工艺，获得REBCO准单晶；观察所述REBCO准单晶下方垫片的液体流失情况。本发明易于操作、完全重复可控，与传统的以RE123+1wt%CeO2的比例的制备方式相比，本发明可以有效控制液体流失，减少因液体流失对REBCO准单晶的生长速度及晶体完整性的影响，有利于研发人员进行物性研究及器件的应用开发。
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公开(公告)号：CN102747416B
公开(公告)日：2015-01-21
申请号：CN201210244120.7
申请日：2012-07-13
申请人： 上海交通大学
摘要： 本发明公开了一种多籽晶诱导生长REBCO超导块体的方法，包括步骤：制备RE123相和RE211相的粉末；制备前驱体；将多个籽晶非等间距地放置在前驱体的上表面，这些籽晶是c轴取向的NdBCO/MgO薄膜，该薄膜与前驱体的上表面相接触的表面是其ab面；将前驱体与多个籽晶置于生长炉中进行熔融结构生长REBCO超导块体，这些籽晶在前驱体上诱导生长REBCO晶体，这些REBCO晶体两两之间在其生长前沿彼此相对的对角处相遇并生长成一个整体。本发明通过合适地安排各个籽晶方向和间距，实现了在REBCO超导块体的生长过程中有效地排除晶界处的残余熔体，从而提高了超导块材的整体性能。
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公开(公告)号：CN104264226A
公开(公告)日：2015-01-07
申请号：CN201410504717.X
申请日：2014-09-26
申请人： 上海交通大学
摘要： 本发明提供了一种铁掺杂的REBCO高温超导准单晶体的制备方法，包括：制备RE123相的粉末；制备前驱体：将RE123相的粉末按RE123+（3~5）mol%Fe2O3+1wt%CeO2的比例均匀混合后，再压制而成的圆柱形前驱体；将籽晶放置在前驱体的上表面；将前驱体和籽晶置于生长炉中进行熔融织构生长高温超导材料。本发明采用顶部籽晶熔融织构制备铁掺杂的REBCO高温超导准单晶体，在制备工艺过程中，只需要将Fe2O3均匀混入前驱体粉末中，压制圆柱状前驱体，方法简单、易于操作、完全重复可控。
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公开(公告)号：CN104164701A
公开(公告)日：2014-11-26
申请号：CN201410382530.7
申请日：2014-08-06
申请人： 上海交通大学
摘要： 本发明公开了一种液相外延制备高温超导膜的方法，该方法包括以下步骤：a.制备Ba-Cu-O粉料；b.对步骤a得到的粉料进行预处理；c.烧结步骤b得到的粉料，制得Ba-Cu-O粉末；d.将步骤c得到的粉末加入到Y2O3材料的坩埚中加热至第一温度，并继续保温，获得Y-Ba-Cu-O溶液；e.将步骤d所得的溶液冷却至第二温度；f.使用LaAlO3单晶基板作为籽晶，将其插入步骤e所得的溶液中，采用顶部籽晶提拉法液相外延生长YBCO超导膜。本发明采用LAO单晶基板作为籽晶，通过控制降温速度和第二温度生长YBCO超导膜，对高温超导器件研发具有重要意义。
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公开(公告)号：CN103603043A
公开(公告)日：2014-02-26
申请号：CN201310628453.4
申请日：2013-11-29
申请人： 上海交通大学
摘要： 本发明公开了一种嵌入式籽晶生长钙掺杂YBCO准单晶体的方法，包括如下工序：a）制备Y123相的粉末；b）制备嵌入式籽晶的前驱体；c）将嵌入式籽晶的前驱体置于生长炉中进行熔融织构法生长钙掺杂YBCO准单晶体；其中，前驱体按Y123+（0～15）wt%CaCO3+（0.3～1.5）wt%CeO2的比例混合均匀，压制而成的圆柱形前驱体；嵌入式籽晶是指在压制过程中，将籽晶的诱导生长面水平地固定嵌入前驱体的内部。本发明的籽晶嵌入到钙掺杂YBCO前驱体内，有效抑制薄膜籽晶中的稀土元素的溶解和扩散，保证薄膜在高温状态的结构完整，提高薄膜的热稳定性，进而利于钙掺杂YBCO准单晶体的制备。
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公开(公告)号：CN103060914A
公开(公告)日：2013-04-24
申请号：CN201210514213.7
申请日：2012-12-04
申请人： 上海交通大学
摘要： 本发明公开了一种阶梯型加速缓冷快速生长REBCO高温超导块体的方法，以c轴取向的NdBCO/YBCO/MgO薄膜为籽晶，将薄膜籽晶的ab面接触前驱块体的上表面，将前驱块体和薄膜籽晶置于生长炉中进行熔融结构生长，生长炉的温度程序为：从室温开始经过5h升温至960℃，保温3h；继续加热，升温至最高温度Tmax，保温1～2h；在15min内，降温至起始生长温度Ts；以阶梯型加速缓冷的生长程序，生长REBCO高温超导块体。本发明的一种阶梯型加速缓冷快速生长REBCO高温超导块体的方法，保证了籽晶诱导生长的同时，不会产生自发形核和第二相的富集，而且，逐步提高的降温速率，保证了生长所需的越来越大的驱动力。
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公开(公告)号：CN102747416A
公开(公告)日：2012-10-24
申请号：CN201210244120.7
申请日：2012-07-13
申请人： 上海交通大学
摘要： 本发明公开了一种多籽晶诱导生长REBCO超导块体的方法，包括步骤：制备RE123相和RE211相的粉末；制备前驱体；将多个籽晶非等间距地放置在前驱体的上表面，这些籽晶是c轴取向的NdBCO/MgO薄膜，该薄膜与前驱体的上表面相接触的表面是其ab面；将前驱体与多个籽晶置于生长炉中进行熔融结构生长REBCO超导块体，这些籽晶在前驱体上诱导生长REBCO晶体，这些REBCO晶体两两之间在其生长前沿彼此相对的对角处相遇并生长成一个整体。本发明通过合适地安排各个籽晶方向和间距，实现了在REBCO超导块体的生长过程中有效地排除晶界处的残余熔体，从而提高了超导块材的整体性能。
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公开(公告)号：CN102586876A
公开(公告)日：2012-07-18
申请号：CN201210027634.7
申请日：2012-02-08
申请人： 上海交通大学
摘要： 本发明涉及一种REBCO高温超导块体材料的制备方法，特别涉及REBCO高温超导块体材料的熔融织构生长方法。REBCO高温超导块体材料的熔融织构生长方法，包括灼烧工序；灼烧包括以下步骤：在所述前躯体的顶部加入籽晶；置于生长炉中，升温至最高温度，并保温；所述籽晶是具有缓冲层的沉积于单晶氧化镁上的NdBCO薄膜，所述最高温度是1095℃-1115℃。本发明解决了现在的REBCO高温超导块体材料的熔融织构生长方法的最高温度不高的问题。
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公开(公告)号：CN1285541C
公开(公告)日：2006-11-22
申请号：CN200510025072.2
申请日：2005-04-14
申请人： 上海交通大学
IPC分类号： C04B35/462 , C04B35/622
摘要： 一种溶胶-凝胶制备量子顺电EuTiO3薄膜的方法，首先通过化学方法制备一定浓度的EuTiO3有机胶体溶液，然后利用该胶体溶液在SrTiO3衬底基片上均匀地旋涂上一定厚度的溶胶，并通过控制溶胶摩尔浓度、旋涂时间和转速控制薄膜厚度，再经过凝胶化处理，低温焙烧、高温煅烧及氢气氛下退火处理制备单一EuTiO3相量子顺电薄膜材料。本发明采用硝酸铕和钛酸四丁酯作原料，以乙二醇甲醚作溶剂制备EuTiO3溶胶，并通过钛酸锶基片作衬底，用溶胶-凝胶方法制备了EuTiO3/SrTiO3膜材料，设备简单，操作方便，能制备具有特定取向，厚度为几十至几百纳米的EuTiO3膜材料。
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