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公开(公告)号：CN103060914B
公开(公告)日：2016-01-13
申请号：CN201210514213.7
申请日：2012-12-04
申请人： 上海交通大学
摘要： 本发明公开了一种阶梯型加速缓冷快速生长REBCO高温超导块体的方法，以c轴取向的NdBCO/YBCO/MgO薄膜为籽晶，将薄膜籽晶的ab面接触前驱块体的上表面，将前驱块体和薄膜籽晶置于生长炉中进行熔融结构生长，生长炉的温度程序为：从室温开始经过5h升温至960℃，保温3h；继续加热，升温至最高温度Tmax，保温1～2h；在15min内，降温至起始生长温度Ts；以阶梯型加速缓冷的生长程序，生长REBCO高温超导块体。本发明的一种阶梯型加速缓冷快速生长REBCO高温超导块体的方法，保证了籽晶诱导生长的同时，不会产生自发形核和第二相的富集，而且，逐步提高的降温速率，保证了生长所需的越来越大的驱动力。
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公开(公告)号：CN102586876B
公开(公告)日：2015-07-15
申请号：CN201210027634.7
申请日：2012-02-08
申请人： 上海交通大学
摘要： 本发明涉及一种REBCO高温超导块体材料的制备方法，特别涉及REBCO高温超导块体材料的熔融织构生长方法。REBCO高温超导块体材料的熔融织构生长方法，包括灼烧工序；灼烧包括以下步骤：在所述前躯体的顶部加入籽晶；置于生长炉中，升温至最高温度，并保温；所述籽晶是具有缓冲层的沉积于单晶氧化镁上的NdBCO薄膜，所述最高温度是1095℃-1115℃。本发明解决了现在的REBCO高温超导块体材料的熔融织构生长方法的最高温度不高的问题。
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公开(公告)号：CN103060914A
公开(公告)日：2013-04-24
申请号：CN201210514213.7
申请日：2012-12-04
申请人： 上海交通大学
摘要： 本发明公开了一种阶梯型加速缓冷快速生长REBCO高温超导块体的方法，以c轴取向的NdBCO/YBCO/MgO薄膜为籽晶，将薄膜籽晶的ab面接触前驱块体的上表面，将前驱块体和薄膜籽晶置于生长炉中进行熔融结构生长，生长炉的温度程序为：从室温开始经过5h升温至960℃，保温3h；继续加热，升温至最高温度Tmax，保温1～2h；在15min内，降温至起始生长温度Ts；以阶梯型加速缓冷的生长程序，生长REBCO高温超导块体。本发明的一种阶梯型加速缓冷快速生长REBCO高温超导块体的方法，保证了籽晶诱导生长的同时，不会产生自发形核和第二相的富集，而且，逐步提高的降温速率，保证了生长所需的越来越大的驱动力。
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公开(公告)号：CN102586876A
公开(公告)日：2012-07-18
申请号：CN201210027634.7
申请日：2012-02-08
申请人： 上海交通大学
摘要： 本发明涉及一种REBCO高温超导块体材料的制备方法，特别涉及REBCO高温超导块体材料的熔融织构生长方法。REBCO高温超导块体材料的熔融织构生长方法，包括灼烧工序；灼烧包括以下步骤：在所述前躯体的顶部加入籽晶；置于生长炉中，升温至最高温度，并保温；所述籽晶是具有缓冲层的沉积于单晶氧化镁上的NdBCO薄膜，所述最高温度是1095℃-1115℃。本发明解决了现在的REBCO高温超导块体材料的熔融织构生长方法的最高温度不高的问题。
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公开(公告)号：CN102925985A
公开(公告)日：2013-02-13
申请号：CN201210352797.2
申请日：2012-09-19
申请人： 上海交通大学
摘要： 本发明公开了一种批量生长REBCO超导块体的方法，在底部加热的生长炉中放置具有上、下两层搁板的支架；制作多个前驱体和小前驱体，将多个前驱体分别放置在两层搁板上，其中，上层搁板上的前驱体的上表面放置有c轴取向的NdBCO/MgO薄膜作为籽晶，下层搁板上的前驱体的上表面放置有小前驱体，小前驱体的上表面放置有c轴取向的NdBCO/MgO薄膜作为籽晶；进行熔融结构生长以得到多个REBCO超导块体。本发明实现了双层批量生产REBCO超导块材，充分地利用了生长炉内部的空间，降低了生产成本。并且，本发明批量生长的REBCO超导块体生长良好，具有均一、稳定的性质。
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公开(公告)号：CN102167588A
公开(公告)日：2011-08-31
申请号：CN201010619504.3
申请日：2010-12-31
申请人： 上海交通大学
IPC分类号： C04B35/50 , C04B41/87 , C04B35/622
摘要： 一种超导材料制备技术领域的基于钕钡铜氧保护层作熔融生长籽晶的超导块材制备方法，通过将NdBCO+Ag2O块体材料实验中的NdBCO保护层解理下来作为籽晶；然后将稀土钡铜氧粉料或混合有Ag2O的稀土钡铜氧粉料压块，将籽晶放置在粉料块的顶面上并使NdBCO保护层的(001)面接触粉料块；再把粉料块放入炉中并升温至Tmax＝1080℃后保温1.5小时，然后快速降温到开始温度Ts，以0.3℃/小时的速度，缓慢降温生长10小时，实现超导块材制备。本发明制备过程简易且成本低廉，在生长得到高质量单畴块体材料的同时，能有效降低籽晶使用成本。
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公开(公告)号：CN102925976B
公开(公告)日：2015-07-15
申请号：CN201210439908.3
申请日：2012-11-06
申请人： 上海交通大学
CPC分类号： Y02E40/642
摘要： 本发明公开了一种使用NGO单晶基板制备a轴REBCO高温超导厚膜的方法，具体步骤包括：BaCO3粉末和CuO粉末进行配料，获得BaCO3+CuO粉料；BaCO3+CuO粉料预处理并烧结，制得Ba-Cu-O粉末；Ba-Cu-O粉末加入到RE2O3材料的坩埚中加热至第一温度并保温，获得RE-Ba-Cu-O溶液；RE-Ba-Cu-O溶液冷却至第二温度；将NGO单晶基板的表面接触RE-Ba-Cu-O溶液，采用顶部籽晶提拉法液相外延生长REBCO超导厚膜。本发明证明了通过控制生长温度及冷却速率外延生长特定取向REBCO超导厚膜的可行性，探索得到了一种外延a轴取向REBCO超导厚膜的非常规方法。
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公开(公告)号：CN102703981B
公开(公告)日：2015-07-15
申请号：CN201210111194.3
申请日：2012-04-16
申请人： 上海交通大学
摘要： 本发明公开了一种基于高热稳定性薄膜作籽晶的再回收废弃超导块材的方法。本发明通过将废弃的REBCO超导块材顶面磨平，使用NdBCO/YBCO/MgO薄膜作熔融生长籽晶；将整个废弃的块材连同籽晶一起放入炉中并升温至Tmax＝1115℃后保温1.5小时，然后快速降温到开始温度Ts，再以0.3℃/小时的速度，缓慢降温生长，最终实现废弃REBCO块材的再回收。本发明的再回收方法简易可行，成本低廉；得到的再回收REBCO块材超导性能良好，在充分利用资源的同时，能有效降低REBCO超导块材的成本。
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公开(公告)号：CN103014861B
公开(公告)日：2016-01-13
申请号：CN201210580891.3
申请日：2012-12-27
申请人： 上海交通大学
摘要： 本发明公开了一种宝塔形大尺寸REBCO高温超导块体的制备方法，以c轴取向的NdBCO/YBCO/MgO薄膜为籽晶，将薄膜籽晶的ab面接触宝塔形前驱块体的上表面，将宝塔形前驱块体和薄膜籽晶置于生长炉中进行熔融结构生长。本发明还公开了一种宝塔形大尺寸REBCO高温超导块体，该REBCO高温超导块体为宝塔形的单畴块材，不存在晶界弱连接。本发明的一种宝塔形大尺寸REBCO高温超导块体的制备方法，运用加速冷却法，不会产生自发形核，生长速度快，不需要预先生长出块体籽晶，且可用于各种REBCO高温超导块体的生长，以及REBCO块体的掺杂生长。除此之外，该方法简单、易于操作、具有可重复性和可控性。
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公开(公告)号：CN102925985B
公开(公告)日：2015-05-27
申请号：CN201210352797.2
申请日：2012-09-19
申请人： 上海交通大学
摘要： 本发明公开了一种批量生长REBCO超导块体的方法，在底部加热的生长炉中放置具有上、下两层搁板的支架；制作多个前驱体和小前驱体，将多个前驱体分别放置在两层搁板上，其中，上层搁板上的前驱体的上表面放置有c轴取向的NdBCO/MgO薄膜作为籽晶，下层搁板上的前驱体的上表面放置有小前驱体，小前驱体的上表面放置有c轴取向的NdBCO/MgO薄膜作为籽晶；进行熔融结构生长以得到多个REBCO超导块体。本发明实现了双层批量生产REBCO超导块材，充分地利用了生长炉内部的空间，降低了生产成本。并且，本发明批量生长的REBCO超导块体生长良好，具有均一、稳定的性质。
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