公开(公告)号：CN113061971A

公开(公告)日：2021-07-02

申请号：CN202110214026.6

申请日：2021-02-25

Applicant: 上海大学

Inventor： 徐闰 ,  王文贞 ,  景圣淇 ,  戚焕震 ,  曹港 ,  徐飞 ,  黄健 ,  赖建明 ,  李冬梅 ,  王林军

IPC: C30B7/14 ,  C30B29/54 ,  C30B7/04

Abstract: 本发明公开了一种温差定位诱导钙钛矿单晶的可控生长方法，基于溶液法，利用有机‑无机杂化钙钛矿在特定溶剂中的溶解度随着温度的上升有着明显下降的特点，在析晶点附近，人为制造温差，可控诱导成核，达到晶体的可控生长。由于聚四氟乙烯易加工、耐高温、耐腐蚀、导热系数低、传热慢，金属传热快，在金属与聚四氟乙烯交界处附近形成一定温差，且该范围区域的温度高于其他位置，使该区域溶解度降低，相对低于其他位置，以诱导在该区域成核。这种方法制备相比于常规逆温生长方法能实现可控成核，可控生长；原料利用率高；生长出来的晶体质量高，形状规则，受到应力小，该制备方法制备出来的单晶可制作出优异性能的光电探测器以及高能粒子探测器。

公开(公告)号：CN109888049B

公开(公告)日：2021-05-07

申请号：CN201910106988.2

申请日：2019-02-02

Applicant: 上海大学

Inventor： 徐闰 ,  倪超伟 ,  欧正海 ,  张笑铮 ,  易永胜 ,  徐珊瑚 ,  徐飞 ,  黄健 ,  王林军

IPC: H01L31/08 ,  H01L31/0224 ,  H01L31/032 ,  H01L31/0368 ,  H01L31/18

Abstract: 本发明公开了一种无机钙钛矿厚膜复合材料半导体器件及其制备方法，能达到能够进行连续生长，制备出尺寸大、结晶度好的钙钛矿多晶厚膜的X‑ray探测器，其结构为透明玻璃/CsPbBr3钙钛矿多晶厚膜/Au电极的全无机钙钛矿平面型半导体探测器。我们制作的探测器厚度较厚，具有较高的开关比，较快的响应速度以及优异的水氧稳定性。该半导体探测器的制备方法步骤简单，成本低，过程低温可控，且所制备的CsPbBr3材料耐湿耐热性优异，并将此方法运用于大规模商业生产，具有显著的产业化推广价值。

公开(公告)号：CN106449978A

公开(公告)日：2017-02-22

申请号：CN201610536003.6

申请日：2016-07-10

Applicant: 上海大学

Inventor： 徐闰 ,  蔡江 ,  王文贞 ,  徐海涛 ,  吴杨琳 ,  倪超伟 ,  徐飞 ,  王林军

IPC: H01L51/42 ,  H01L51/48

CPC classification number: Y02E10/549 ,  H01L51/4206 ,  H01L51/0003 ,  H01L51/0026

Abstract: 基于甲氨基氯化铅薄膜的可见光盲紫外探测器的制备方法。本发明涉及一种叉指型共平面金属-半导体-金属(MSM)结构的甲氨基氯化铅(CH3NH3PbCl3)薄膜可见光盲紫外探测器的制备。其中CH3NH3PbCl3薄膜是通过混合连续沉积过程形成的，首先氯化铅(PbCl2)通过热蒸发法先沉积在衬底上，然后旋涂上一层氯化甲胺(CH3NH3Cl)，最后通过退火，使PbCl2和CH3NH3Cl反应生成致密的且结晶度良好的CH3NH3PbCl3薄膜。这种探测器在360nm的响应率高达15.6A/W，电流开关比接近两个数量级。这些结果表明CH3NH3PbCl3薄膜探测器在可见光盲紫外探测器的应用方面极具竞争力。

公开(公告)号：CN103456804B

公开(公告)日：2016-04-27

申请号：CN201310436128.8

申请日：2013-09-24

Applicant: 上海大学

Inventor： 马忠权 ,  石建伟 ,  徐飞

IPC: H01L31/0352 ,  H01L31/0236 ,  H01L31/18

CPC classification number: Y02E10/50 ,  Y02P70/521

Abstract: 本发明公开了一种在多晶硅上形成倒金字塔型多孔表面纳米织构的方法及制备短波增强型太阳电池的方法，适用于太阳能光伏电池技术领域。本发明利用金属催化化学腐蚀法，通过HF、AgNO3、H2O2和HNO3等溶液在多晶硅片上形成纳米多孔表面结构；然后将部分样品放入0.1-1%的NaOH腐蚀液中进行纳米倒金字塔的表面修饰，形成纳米倒金字塔硅结构，它的微结构形貌更均匀和平整，使得有效少数载流子寿命极大地提高；最终在纳米织构表面结构上，通过改变太阳能电池制备工艺中氮化硅层的厚度，制备出低表面反射率、高短波光谱响应的纳米倒金字塔硅太阳能光伏电池。本发明方法工艺简单，操作方便，成本低廉，适于工业生产。

公开(公告)号：CN222182384U

公开(公告)日：2024-12-17

申请号：CN202420211657.1

申请日：2024-01-29

Applicant: 河北龙凤山辰昕新材料科技有限公司 ,  上海大学(浙江)高端装备基础件材料研究院

Inventor： 徐闰 ,  白佳鑫 ,  邢振国 ,  董瀚 ,  李建民 ,  陈景锋 ,  王林军 ,  郝建锋 ,  徐飞 ,  李道明 ,  闫文凯

IPC: C22B9/04 ,  C22B9/21

Abstract: 一种用于金属表面清洗的真空预处理传输装置，能够通过高压电弧对区熔样件金属棒材进行等离子表面清洗，从而使得被提纯金属表面洁净度大大提高，其特征在于，包括真空预处理腔体，所述真空预处理腔体的上腔盖具有观察窗，所述真空预处理腔体的后侧面与分子泵连接，所述真空预处理腔体内设置有高压电弧放电装置以对待真空区熔金属棒材表面进行等离子清洗，所述真空预处理腔体的底侧面设置有为所述高压电弧放电装置接入电源的电极，所述真空预处理腔体的右侧面通过送样杆法兰连接磁力送样杆，所述真空预处理腔体的左侧面设置有用于连接超高真空区熔工艺室的传输口法兰。