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公开(公告)号:CN110565165B
公开(公告)日:2022-04-01
申请号:CN201810568142.6
申请日:2018-06-05
Applicant: 上海大学
Abstract: 本发明公开了一种基于溶液的碘化铯单晶薄片的生长方法,将碘化铯在二甲基亚砜(DMSO)中,溶解度会随着温度的上升而呈现降低的趋势,对碘化铯溶液加热可以得到籽晶,然后把籽晶放进特殊的玻璃装置里面生长可以得到质量较好的碘化铯单晶薄片。本发明操作方便,所用原料成本低廉,能够从碘化铯溶液来析出高质量的碘化铯单晶薄片。本发明采用溶液析出法和模具约束调控法相结合,能够制备出尺寸可控、透光度和出光效率优异的碘化铯单晶薄片。本发明生长出来的碘化铯单晶薄片质量高,透明度高且具备独特的光致发光性能,该制备方法制备出来的单晶薄片可搭配硅基光电二极管可制作出优异性能的平板X射线探测器。
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公开(公告)号:CN109888049A
公开(公告)日:2019-06-14
申请号:CN201910106988.2
申请日:2019-02-02
Applicant: 上海大学
IPC: H01L31/08 , H01L31/0224 , H01L31/032 , H01L31/0368 , H01L31/18
Abstract: 本发明公开了一种无机钙钛矿厚膜复合材料半导体器件及其制备方法,能达到能够进行连续生长,制备出尺寸大、结晶度好的钙钛矿多晶厚膜的X-ray探测器,其结构为透明玻璃/CsPbBr3钙钛矿多晶厚膜/Au电极的全无机钙钛矿平面型半导体探测器。我们制作的探测器厚度较厚,具有较高的开关比,较快的响应速度以及优异的水氧稳定性。该半导体探测器的制备方法步骤简单,成本低,过程低温可控,且所制备的CsPbBr3材料耐湿耐热性优异,并将此方法运用于大规模商业生产,具有显著的产业化推广价值。
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公开(公告)号:CN111312857B
公开(公告)日:2023-07-18
申请号:CN202010126593.1
申请日:2020-02-28
Applicant: 上海大学
IPC: H01L31/18 , H01L21/02 , H01L31/0236 , H01L31/032 , H01L31/09
Abstract: 本发明公开了一种利用有机高分子材料降低钙钛矿探测器暗电流的方法,通过对关键材料,特别是有机材料的具体种类及用量的调控,并对相应辐射探测器制备的工艺流程及关键步骤所使用的参数条件进行了一定的改进,对热喷涂工艺所采用的温度及时间进行设置,达到能够满足商业需求的多晶卤化物钙钛矿光电探测器,其结构为ITO/多晶CsPbBr3/Au电极。本发明制作的无机钙钛矿CsPbBr3探测器具有较低的暗电流数量级,较高的信噪比以及优异的水氧稳定性。该半导体探测器的制备方法步骤简单,成本低廉,过程低温可控,且所制备的CsPbBr3材料抗水氧能力优异,可将本发明方法运用于大规模商业生产,具有显著的产业化推广价值。
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公开(公告)号:CN109888049B
公开(公告)日:2021-05-07
申请号:CN201910106988.2
申请日:2019-02-02
Applicant: 上海大学
IPC: H01L31/08 , H01L31/0224 , H01L31/032 , H01L31/0368 , H01L31/18
Abstract: 本发明公开了一种无机钙钛矿厚膜复合材料半导体器件及其制备方法,能达到能够进行连续生长,制备出尺寸大、结晶度好的钙钛矿多晶厚膜的X‑ray探测器,其结构为透明玻璃/CsPbBr3钙钛矿多晶厚膜/Au电极的全无机钙钛矿平面型半导体探测器。我们制作的探测器厚度较厚,具有较高的开关比,较快的响应速度以及优异的水氧稳定性。该半导体探测器的制备方法步骤简单,成本低,过程低温可控,且所制备的CsPbBr3材料耐湿耐热性优异,并将此方法运用于大规模商业生产,具有显著的产业化推广价值。
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公开(公告)号:CN111312857A
公开(公告)日:2020-06-19
申请号:CN202010126593.1
申请日:2020-02-28
Applicant: 上海大学
IPC: H01L31/18 , H01L21/02 , H01L31/0236 , H01L31/032 , H01L31/09
Abstract: 本发明公开了一种利用有机高分子材料降低钙钛矿探测器暗电流的方法,通过对关键材料,特别是有机材料的具体种类及用量的调控,并对相应辐射探测器制备的工艺流程及关键步骤所使用的参数条件进行了一定的改进,对热喷涂工艺所采用的温度及时间进行设置,达到能够满足商业需求的多晶卤化物钙钛矿光电探测器,其结构为ITO/多晶CsPbBr3/Au电极。本发明制作的无机钙钛矿CsPbBr3探测器具有较低的暗电流数量级,较高的信噪比以及优异的水氧稳定性。该半导体探测器的制备方法步骤简单,成本低廉,过程低温可控,且所制备的CsPbBr3材料抗水氧能力优异,可将本发明方法运用于大规模商业生产,具有显著的产业化推广价值。
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公开(公告)号:CN110565165A
公开(公告)日:2019-12-13
申请号:CN201810568142.6
申请日:2018-06-05
Applicant: 上海大学
Abstract: 本发明公开了一种基于溶液的碘化铯单晶薄片的生长方法,将碘化铯在二甲基亚砜(DMSO)中,溶解度会随着温度的上升而呈现降低的趋势,对碘化铯溶液加热可以得到籽晶,然后把籽晶放进特殊的玻璃装置里面生长可以得到质量较好的碘化铯单晶薄片。本发明操作方便,所用原料成本低廉,能够从碘化铯溶液来析出高质量的碘化铯单晶薄片。本发明采用溶液析出法和模具约束调控法相结合,能够制备出尺寸可控、透光度和出光效率优异的碘化铯单晶薄片。本发明生长出来的碘化铯单晶薄片质量高,透明度高且具备独特的光致发光性能,该制备方法制备出来的单晶薄片可搭配硅基光电二极管可制作出优异性能的平板X射线探测器。
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公开(公告)号:CN107779953A
公开(公告)日:2018-03-09
申请号:CN201710821497.7
申请日:2017-09-13
Applicant: 上海大学
Abstract: 本发明公开了一种基于溶液的无机卤化物闪烁晶体的生长方法,属于晶体材料制造技术领域,其步骤:(a).将有机溶剂N,N-二甲基甲酰胺(DMF)加入到平底烧瓶中,再加入无机卤化物晶体粉末,放在磁力搅拌机上搅拌,使其完全溶解,直至饱和;溶解后,将其过滤,得到长晶的无机卤化物溶液;(b).将步骤(a)的长晶的溶液放置在加热台上进行油浴加热,生长出正方体的无机卤化物单晶晶体;取出上述无机卤化物单晶晶体,对其进行抛光,用乙醇擦洗干净,获得无机卤化物闪烁晶体。该方法操作方便,所用原料成本低廉,能够从无机卤化物的溶液来析出高质量的单晶晶体。
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