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公开(公告)号：CN105190901B
公开(公告)日：2018-12-04
申请号：CN201480014315.X
申请日：2014-03-11
Applicant: 东丽株式会社
IPC: H01L29/786 , C08G79/00 , H01L21/316 , H01L21/336 , H01L51/05 , H01L51/30 , H01L51/40
Abstract: 一种场效应晶体管，具有栅极绝缘层、栅电极、半导体层、源电极及漏电极，其特征在于，上述栅极绝缘层包含含有硅‑碳键的有机化合物、和含有金属原子‑氧原子键的金属化合物，在上述栅极绝缘层中，相对于碳原子和硅原子的总量100重量份而言，上述金属原子的含量为10～180重量份。根据所述场效应晶体管，提供迁移率高、阈值电压低且漏电流被抑制的FET。
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公开(公告)号：CN107431096A
公开(公告)日：2017-12-01
申请号：CN201680017448.1
申请日：2016-03-28
Applicant: 东丽株式会社
IPC: H01L29/861 , C08G61/12 , H01L21/329 , H01L29/06 , H01L29/868 , H01L51/05 , H01L51/30 , H01L51/40
Abstract: 整流元件，所述整流元件具有：绝缘性基材；(a)由第一电极和第二电极形成的一对电极；和(b)设置在所述一对电极之间的半导体层，所述(a)一对电极、和所述(b)半导体层被设置在所述绝缘性基材的第1表面上，所述(b)半导体层包含共轭系聚合物附着于碳纳米管表面的至少一部分而得到的碳纳米管复合体。本发明以简便的工艺提供显示出优异的整流作用的整流元件。
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公开(公告)号：CN107430342A
公开(公告)日：2017-12-01
申请号：CN201680014088.X
申请日：2016-03-01
Applicant: 东丽株式会社
CPC classification number: B41F1/18 , B41C1/1008 , B41C1/1066 , B41C2210/16 , B41M1/08 , B41N1/003 , B41N1/12 , G03F7/00 , G03F7/0002 , G03F7/004 , G03F7/039 , G03F7/11
Abstract: 平版印刷版原版，其是在基板上至少依次具有热敏层及硅橡胶层的平版印刷版原版，前述热敏层中含有具有碳酸酯结构的聚氨酯。使用其的平版印刷版的制造方法。印刷物的制造方法。提供网点再现性、耐印刷性优异、可防止脏版的平版印刷版原版、使用其的平版印刷版的制造方法及印刷物的制造方法。
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公开(公告)号：CN101258221A
公开(公告)日：2008-09-03
申请号：CN200680032965.2
申请日：2006-09-08
Applicant: 东丽株式会社
CPC classification number: H01L51/0054 , C09K11/06 , C09K2211/1007 , C09K2211/1011 , C09K2211/1029 , C09K2211/1088 , C09K2211/1092 , H01L51/0058 , H01L51/0059 , H01L51/006 , H01L51/0067 , H01L51/0072 , H01L51/0073 , H01L51/0074 , H01L51/0077 , H01L51/50 , H01L2251/308 , H05B33/14
Abstract: 本发明的课题在于提供含有通式(1)所示的芘化合物的发光元件材料，该发光元件材料可以形成高效率且耐久性优异的发光元件；另外还提供使用该发光元件材料的发光元件，其中，R1～R18可以分别相同或不同，是选自氢、烷基、环烷基、杂环基、链烯基、环烯基、炔基、烷氧基、烷硫基、芳基醚基、芳基硫醚基、芳基、杂芳基、卤素原子、羰基、羧基、氧基羰基、氨基甲酰基、氨基、氧化膦基和甲硅烷基中的基团，R1～R18中的相邻的取代基之间可以形成环，n是1～3的整数，X是选自－O－、－S－和－NR19－中的基团，R19是选自氢、烷基、环烷基、杂环基、链烯基、环烯基、炔基、芳基、杂芳基和氨基中的基团，R19可以与R11或R18结合形成环，Y是单键、亚芳基或亚杂芳基，R1～R10中的任意n个和R11～R19中的任意1个、用于与Y连接。
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公开(公告)号：CN101128561A
公开(公告)日：2008-02-20
申请号：CN200680006231.7
申请日：2006-02-23
Applicant: 东丽株式会社
CPC classification number: H01L51/0062 , C07D263/32 , C09K11/06 , C09K2211/1011 , C09K2211/1033 , H01L51/0054 , H01L51/0058 , H01L51/0065 , H01L51/0067 , H01L51/0068 , H01L51/007 , H01L51/0072 , H01L51/0073 , H01L51/0074 , H01L51/0081 , H01L51/0082 , H01L51/0094 , H01L51/5012 , H01L2251/308 , H05B33/14
Abstract: 本发明提供一种发光元件材料，其特征在于，含有下述通式(1)表示的芘化合物，(R1～R10为特定的官能团，其中，R1～R10中的至少1个为下述通式(2)表示的取代基)，(R11～R14为特定的官能团，其中，R11～R14中的任一个可用于与芘骨架形成单键，X1为下述通式(3)表示的基团、Y1～Y4选自氮、碳原子；其中，Y1～Y4中的至少1个为氮原子、且至少1个为碳原子，为氮原子时，氮原子上不存在取代基)，(R15为特定的官能团)。利用该发光材料可提供具有高发光效率和优良耐久性的发光元件。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1984897A
公开(公告)日：2007-06-20
申请号：CN200580023508.2
申请日：2005-05-19
Applicant: 东丽株式会社
IPC: C07D307/91 , C07D333/76 , C07D405/04 , C07D409/10 , C09K11/06 , H05B33/14 , H05B33/22
CPC classification number: H05B33/14 , C07D209/86 , C07D209/88 , C07D307/91 , C07D333/54 , C07D401/04 , C07D405/04 , C07D405/10 , C07D409/04 , C07D409/10 , C07D413/04 , C09K11/06 , C09K2211/1011 , H01L51/0052 , H01L51/0054 , H01L51/0065 , H01L51/0067 , H01L51/0068 , H01L51/0072 , H01L51/0073 , H01L51/0074 , H01L51/5012 , H01L2251/308 , Y10S428/917
Abstract: 本发明涉及发光元件材料，其特征在于：该发光元件材料含有通式(1)或通式(3)所示蒽化合物，通过本发明可得到具有高发光效率和优异耐久性的发光元件。式(1)中R1－R10为氢、烷基、环烷基、杂环基等，R1－R10中的至少一个为通式(2)所示的取代基；式(2)中R11－R18为氢、烷基、环烷基。X为氧原子或硫原子，Y为单键，亚芳基或亚杂芳基。R11－R18中的任一个用于与Y连接，α用于与蒽骨架连接；式(3)中R19－R37为氢、烷基、环烷基、杂环基等。n为1或2。A为亚杂芳基或亚芳基，R19－R27中的任一个及R28－R37中的任一个用于与A连接。
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公开(公告)号：CN1390841A
公开(公告)日：2003-01-15
申请号：CN02124569.X
申请日：2002-04-25
Applicant: 东丽株式会社
CPC classification number: H01L51/008 , C07F5/022 , C09B23/04 , C09B57/00 , C09B57/004 , C09B57/10 , C09K11/06 , C09K2211/1007 , C09K2211/1011 , C09K2211/1014 , C09K2211/1029 , C09K2211/1033 , C09K2211/1037 , C09K2211/1044 , C09K2211/1088 , C09K2211/1092 , H01L51/0054 , H01L51/0058 , H01L51/0072 , Y10S428/917
Abstract: 本发明涉及可用作荧光染料的亚甲基吡咯金属络合物和使用该络合物的发光元件。另外，本发明是阳极和阴极间存在发光物质，并利用电能发光的元件，该元件是在发光峰波长为580nm以上720nm以下发光，并具有二酮吡咯并[3，4－c]吡咯衍生物和荧光峰波长为580nm以上720nm以下的有机荧光物质、或具有亚甲基吡咯金属络合物的发光元件材料中的至少一种的发光元件。
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公开(公告)号：CN113646899B
公开(公告)日：2024-03-12
申请号：CN202080024545.X
申请日：2020-03-06
Applicant: 东丽株式会社
IPC: H01L29/786 , H01L21/28 , H01L21/283 , H01L21/336 , H01L21/8234 , H01L27/06 , H10K10/00 , H10K85/20
Abstract: 本発明的课题是提以简便的工艺供具有高n型半导体特性且稳定性优异的n型半导体元件。本发明的n型半导体元件具备：基材、源电极、漏电极和栅电极、与所述源电极和漏电极这两者接触的半导体层、使所述半导体层与所述栅电极绝缘的栅绝缘层、以及在所述半导体层的与所述栅绝缘层相反一侧与所述半导体层接触的第2绝缘层，其特征在于，所述半导体层含有纳米碳，所述第2绝缘层满足下述A或B，A.含有化合物(a)和高分子(b)，所述化合物(a)具有至少1个通式(1)表示的基团和至少1个通式(2)表示的基团分别与1个碳‑碳双键或1个共轭体系直接键合的结构，B.含有下述高分子，所述高分子在其分子结构中含有从化合物(a)的R1、R2、R3或R4除去一部分氢原子而得的残基或者含有从化合物(a)的碳‑碳双键或共轭体系除去一部分氢原子而得的残基。#imgabs0#
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公开(公告)号：CN111492233B
公开(公告)日：2023-08-08
申请号：CN201880072236.2
申请日：2018-11-15
Applicant: 东丽株式会社
Abstract: 电路形成于基板上，具备具有互相共通的功能的多个构成部位，所述多个构成部位分别具有示出对水分的响应性的检测部位，所述对水分的响应性在所述多个构成部位之间不同，通过各检测部位的对水分的响应的有无与二值的数字信号相对应，从而输出二值的数字信号串。
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公开(公告)号：CN111295755B
公开(公告)日：2023-05-12
申请号：CN201880071069.X
申请日：2018-10-25
Applicant: 东丽株式会社
IPC: H01L27/10 , H10K71/00 , C01B32/158 , C01B32/168 , G06K19/02 , G06K19/07 , H01L21/336 , H01L21/8234 , H01L27/088 , H01L29/786 , H10K85/00
Abstract: 本发明的目的在于通过简便的工艺提供优异的集成电路。本发明是一种集成电路，至少具有：存储阵列，其存储数据；整流电路，其对交流电流进行整流而生成直流电压；逻辑电路，其读出上述存储阵列所存储的数据，上述存储阵列具有第一半导体元件，该第一半导体元件具有第一半导体层，上述整流电路具有第二半导体元件，该第二半导体元件具有第二半导体层，上述逻辑电路具有第三半导体元件，该第三半导体元件具有第三半导体层，上述第一半导体元件是存储元件，上述第二半导体元件是整流元件，上述第三半导体元件是逻辑元件，上述第二半导体层是具有整流作用的功能层，上述第三半导体层是逻辑元件的沟道层，上述第一半导体层、上述第二半导体层和上述第三半导体层全部由同一材料形成，上述具有整流作用的功能层和上述沟道层全部由同一材料形成，该同一材料包含选自有机半导体、碳纳米管、石墨烯、富勒烯中的至少一种。
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