气化装置和半导体处理系统

    公开(公告)号:CN101135047A

    公开(公告)日:2008-03-05

    申请号:CN200710147868.4

    申请日:2007-08-31

    CPC classification number: C23C16/405 C23C16/4481 H01L28/55 Y10S261/65

    Abstract: 本发明提供一种用于由液体原料得到处理气体的气化装置,该装置包括:气化容器,规定上述气化装置的气化空间;喷射器,安装在上述气化容器中,使上述液体原料呈雾状向上述气化空间内喷出;和加热器,安装在上述气化容器中,对喷出至上述气化空间内的上述液体原料进行加热。气化装置还包括:气体导出路,与上述气化容器连接,使由上述液体原料得到的生成气体从上述气化空间导出;过滤器,配置在上述气体导出路内或上述气体导出路与上述气化空间之间,捕捉上述生成气体中的雾;和红外线照射机构,向上述过滤器照射红外线。

    气化器以及半导体处理系统

    公开(公告)号:CN1955338A

    公开(公告)日:2007-05-02

    申请号:CN200610163552.X

    申请日:2006-09-29

    CPC classification number: C23C16/4486

    Abstract: 本发明涉及一种用于从液体原料获得处理气体的气化器(2),其包括规定了气化器(2)处理空间的容器(40)、以及在容器(40)内具有将液体原料以雾状向下方喷出的喷出口(30a)的喷射器。在喷出口(30a)的下侧,于容器(40)内配置有下部挡块(31),由此在喷出口(30a)与下部挡块(31)之间,规定了上述雾状液体原料的助动空间(G),在容器(40)的内侧面与下部挡块(31)之间,规定了与助动空间(G)连续的环状空间(F)。在容器(40)及下部挡块(31)上各自配置有第1以及第2加热器(48、33),第1以及第2加热器(48、33)加热通过环状空间(F)的雾状液体原料而生成处理气体。为从环状空间(F)中导出处理气体,在容器(40)上连接有气体导出流路(53)。

    原料气体供给系统和原料气体供给方法

    公开(公告)号:CN114269965B

    公开(公告)日:2024-07-19

    申请号:CN202080058420.9

    申请日:2020-08-18

    Abstract: 一种原料气体供给系统,其将使固体原料气化而生成的原料气体向处理装置供给,其中,该原料气体供给系统包括:气化装置,其使所述固体原料气化而生成所述原料气体;送出机构,其从供在溶剂中溶解有所述固体原料的溶液贮存的溶液源向所述气化装置送出所述溶液;以及蒸发机构,其使从所述送出机构送出而容纳于所述气化装置内的所述溶液的溶剂蒸发,分离所述固体原料。

    自动压力控制装置、成膜装置和压力的控制方法

    公开(公告)号:CN117588570A

    公开(公告)日:2024-02-23

    申请号:CN202310958218.7

    申请日:2023-08-01

    Abstract: 本发明涉及自动压力控制装置、成膜装置和压力的控制方法。促进排气管内的气体置换且抑制副产物的附着的影响地进行压力制御。包括蝶形阀,其具有阀芯,阀芯安装为可借助轴相对于内壁面形成排气路径的局部的环状的阀座转动,通过使相对于横截面的倾斜角变化而倾斜配置,从而使排气路径的开口面积变化,蝶形阀基于处理容器内的压力的检测结果使阀芯的倾斜角变化而控制处理容器内的压力,阀芯在表面在倾斜配置时位于下游侧的端部的区域形成第1楔形面,在背面在倾斜配置时位于上游侧的端部的区域形成第2楔形面,表面除第1楔形面外的区域与第1楔形面所成的角度和背面除第2楔形面外的区域与第2楔形面所成的角度均大于95度且为150度以下。

    成膜方法和成膜装置
    27.
    发明授权

    公开(公告)号:CN104471106B

    公开(公告)日:2017-06-30

    申请号:CN201380035584.X

    申请日:2013-06-11

    Abstract: 在步骤1的升压步骤中,利用PCV(54)对原料容器(60)内供给运载气体,使原料容器(60)内上升至第一压力P1。在步骤2的降压步骤中,使排气装置(35)工作,从原料气体供给管(71)经由排气旁通管(75)将原料气体废弃,使原料容器(60)内下降至作为第二压力的压力P2。在步骤3的稳定化步骤中,一边将运载气体导入原料容器(60)内,一边使排气装置(35)工作,从原料气体供给管(71)经由排气旁通管(75)将原料气体废弃,使原料容器(60)内的原料气化的气化效率(k)稳定化。在步骤4的成膜步骤中,经由原料气体供给管(71)将原料气体供给到处理容器(1)内,利用CVD法使薄膜沉积在晶片(W)上。

    气化器以及半导体处理系统

    公开(公告)号:CN1955338B

    公开(公告)日:2010-12-01

    申请号:CN200610163552.X

    申请日:2006-09-29

    CPC classification number: C23C16/4486

    Abstract: 本发明涉及一种用于从液体原料获得处理气体的气化器(2),其包括规定了气化器(2)处理空间的容器(40)、以及在容器(40)内具有将液体原料以雾状向下方喷出的喷出口(30a)的喷射器。在喷出口(30a)的下侧,于容器(40)内配置有下部挡块(31),由此在喷出口(30a)与下部挡块(31)之间,规定了上述雾状液体原料的助动空间(G),在容器(40)的内侧面与下部挡块(31)之间,规定了与助动空间(G)连续的环状空间(F)。在容器(40)及下部挡块(31)上各自配置有第1以及第2加热器(48、33),第1以及第2加热器(48、33)加热通过环状空间(F)的雾状液体原料而生成处理气体。为从环状空间(F)中导出处理气体,在容器(40)上连接有气体导出流路(53)。

    液体原料气化器及使用其的成膜装置

    公开(公告)号:CN101842882A

    公开(公告)日:2010-09-22

    申请号:CN200980100877.5

    申请日:2009-03-24

    Inventor: 大仓成幸

    CPC classification number: C23C16/4486 C23C16/405

    Abstract: 本发明提供一种液体原料气化器,具有气化部,所述气化部具备:导入口,其从液体原料供给部导入液滴状的液体原料;有底筒状的外壳主体,其在所述导入口侧具有开口端;柱状块体,其具有将所述外壳主体的开口端封闭的凸缘部,并且以相对于所述外壳主体的内侧表面留出间隙的状态嵌入;具有透气性的雾滴捕捉构件,其在形成于所述外壳主体的内侧表面与所述柱状块体的外侧表面之间的气化流路内,按照与所述内侧表面密合,并且将所述外侧表面覆盖的方式设置;加热部,其按照将所述外壳主体覆盖的方式设置;喷出孔,其按照与所述导入口连通,并从所述柱状块体的导入口侧的端面向侧面贯穿的方式形成,将所述液体原料向所述雾滴捕捉构件的内侧表面喷出;送出口,其设于所述外壳主体的底部,将气化而生成的原料气体向外部送出。

    气化器
    30.
    发明授权

    公开(公告)号:CN100540731C

    公开(公告)日:2009-09-16

    申请号:CN200510107962.8

    申请日:2005-09-30

    CPC classification number: C23C16/4486 H01L21/67017 H01L21/67109

    Abstract: 本发明涉及一种用于从气液混合的流体得到处理气体的气化器,具备:容器,规定上述气化器的处理空间;供给头,具有向上述容器内喷出上述流体的多个喷出口;加热通路,在所述喷出口的下侧、配置在所述容器内,所述加热通路对流通过程中的所述流体进行加热而生成所述处理气体;气体导出通路,与所述容器连接,从所述加热通路的下侧、在横方向上导出所述处理气体;雾积存部,在所述气体导出路的下侧、配置于所述容器中。

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