-
公开(公告)号：CN118226500A
公开(公告)日：2024-06-21
申请号：CN202410050448.8
申请日：2024-01-12
申请人： 中国原子能科学研究院
摘要： 本发明属于中子发生器技术领域，具体涉及一种可用于伴随粒子法监测的旋转靶。包括筒状结构的靶室、设置在靶室底部的靶室密封盖、分别设置在靶室侧壁上与靶室连通的伴随粒子靶管、束流管道和靶点监视管道，靶系统的下部设置在靶室内，上部贯穿磁流体密封装置与转动系统相连，端部与旋转接头固定，旋转接头通过水管接入冷却机，靶系统通过磁流体密封装置与靶室顶部密封，靶室形成整体真空密封。带有伴随测量系统，通过伴随粒子法实时监测中子产额；通过热成像仪，对靶片温度进行实时成像，可以观测不同聚焦条件下束斑聚焦状态，为束流调节提供依据；采用同轴式冷却结构设计，尽可能减小驱动结构，达到靶体紧凑。
-
公开(公告)号：CN115840872A
公开(公告)日：2023-03-24
申请号：CN202211366880.5
申请日：2022-11-01
申请人： 中国原子能科学研究院
摘要： 本发明涉及一种用于14MeV附近(n,x)截面数据的差权评价方法，包括步骤：进行实验数据及评价数据的收集；对收集的实验数据形成列表，并制作绘图脚本文件；根据隐性变量，对实验数据进行分析、物理评价及权重分析，给出实验数据的评价结果；对实验数据的评价结果进行实验数据修正，并将修正后的实验数据进行处理；实现中心值推荐及不确定度推荐。本发明还提供一种用于14MeV附近(n,x)截面数据的差权评价系统，采用本发明所述的用于14MeV附近(n,x)截面数据的差权评价方法及系统可为14MeV附近能区(n,x)截面数据评价提出了一种详细、科学的评价方法。
-
公开(公告)号：CN115802578A
公开(公告)日：2023-03-14
申请号：CN202211340548.1
申请日：2022-10-28
申请人： 中国原子能科学研究院
摘要： 本发明涉及一种提升质子加速器中子源产额的方法，包括如下步骤：构建双层靶室，包括氚气体靶室、氦气体靶室，氦气体靶室内固定安装锂靶；向氚气体靶室中充入氚气至达到设定的氚气体靶室压力；向氦气体靶室中充入氦气至达到设定的氦气体靶室压力；将质子经质子入射主管道入射到所述双层靶室中。本发明提供的方法可将加速器中子源所获得的1MeV以下中子产额比传统方法提升95％以上，能够有效利用束流时间、提升中子通量、减少环境本底的占比、提升实验效果。本发明提供的方法可消除能量在1MeV以上的中子的干扰，对于核物理实验测量而言，可以减少其它反应的干扰；对于硼中子治疗加速器而言，中子能量低，易于慢化和屏蔽，能够减少额外的屏蔽措施。
-
公开(公告)号：CN114582542A
公开(公告)日：2022-06-03
申请号：CN202210201639.0
申请日：2022-03-02
申请人： 中国原子能科学研究院
IPC分类号： G21G4/02
摘要： 本发明公开了一种中子发生器，该中子发生器包括壳体、设置在壳体内的离子源以及设置在壳体内的靶组件，靶组件与离子源相对应地设置，离子源通过第一隔板固定在壳体的内壁上，离子源包括第一阴极、第二阴极以及设置在第一阴极和第二阴极之间的阳极，阳极包括至少两个阳极筒，第一阴极和第二阴极分别包括与至少两个阳极筒相对应的至少两个阴极子。通过提供具有包括至少两个阴极子的第一阴极和第二阴极以及相应地包括至少两个阳极筒的阳极的多离子源结构，以使在阴极和阳极之间电离的离子能够以多束的形式引出，增大束流的引出面积，由此降低了单位面积靶膜上的溅射速率，延长靶组件的使用寿命。
-
公开(公告)号：CN111683449B
公开(公告)日：2021-07-20
申请号：CN202010455695.8
申请日：2020-05-26
申请人： 中国原子能科学研究院
摘要： 本发明属于中子发生器技术领域，具体涉及一种用于小型中子发生器的双层石英玻璃管型高压单元，包括设置在直管型的冷却液导流管(2)的两端的高压输入模块(1)和靶电极(3)，靶电极(3)外部为光滑的外壳体，内部设有靶片(24)，冷却液导流管(2)内部设有能够通过冷却液的循环流道，用于为靶片(24)制冷；高压输入模块(1)通过贯穿在冷却液导流管(2)内部的高压连接杆(20)向靶电极(3)提供高压电。高压输入模块(1)简单小巧，可避免高压输入时发生高压打火，能承载130kV高电压；冷却液导流管(2)的电击穿电压达到35kV/mm；靶电极(3)中所有不规则结构和尖端都在靶电极(3)内部，保证了电场分布的均匀性，可有效抑制二次电子。
-
公开(公告)号：CN111712032B
公开(公告)日：2021-05-04
申请号：CN202010454689.0
申请日：2020-05-26
申请人： 中国原子能科学研究院
IPC分类号： H05H3/06
摘要： 本发明属于中子发生器技术领域，具体涉及一种自屏蔽DD中子发生器，包括由第一屏蔽体(1)和第二屏蔽体(2)合拢组成的密封的立方体型的屏蔽体，第一屏蔽体(1)内部设置第一空腔(3)，第二屏蔽体(2)内部设置第二空腔(82)，当第一屏蔽体(1)和第二屏蔽体(2)合拢时，第一空腔(3)和第二空腔(82)共同构成设置中子发生器的主体部分的设备舱；中子发生器的主体部分用于通过DD反应产生中子。该中子发生器的中子的产生可以远程控制，结构可以拆分，主要耗材是可维修的靶片、离子源，寿命基本不受限制；占地面积仅2m2，实现了DD中子发生器在普通房间中的使用，无需单独建造中子屏蔽厅。
-
公开(公告)号：CN111741584A
公开(公告)日：2020-10-02
申请号：CN202010455651.5
申请日：2020-05-26
申请人： 中国原子能科学研究院
IPC分类号： H05H3/06
摘要： 本发明属于中子发生器技术领域，具体涉及一种D+离子源。设置在中子发生器的真空管上，包括尾端设有引出结构(15)、顶端与氘气钢瓶(6)相连的放电管(3)，放电管(3)的尾端设有圆盘形的离子源底盘(18)，引出结构(15)位于离子源底盘(18)中心；还包括套装在放电管(3)的外表面的电容耦合环(8)和设置在放电管(3)的顶端的阳极探针(4)。本发明采用射频电源馈入高频功率，只需一台射频电源，无需振荡器；解决了离子源向外发送干扰信号的不利问题；对引出结构进行强制制冷，提高了离子源的使用寿命。
-
公开(公告)号：CN111698822A
公开(公告)日：2020-09-22
申请号：CN202010455716.6
申请日：2020-05-26
申请人： 中国原子能科学研究院
IPC分类号： H05H3/06
摘要： 本发明属于中子发生器技术领域，具体涉及一种直立式中子发生器，包括设置在能够移动的主体机柜内的D+离子源和直管型的冷却液导流管，冷却液导流管垂直于地面，冷却液导流管的顶端设置高压输入模块，尾端设置靶电极，D+离子源位于靶电极下方；还包括直筒型的真空腔，真空腔的一端与冷却液导流管的尾端密封连接，另一端与D+离子源的尾端密封连接，靶电极位于真空腔内；还包括为真空腔抽真空的分子泵机组；高压输入模块为靶电极提供高压电，冷却液导流管为靶电极提供冷却，D+离子源向靶电极发射D+离子束，使得靶电极上产生中子。该中子发生器的中子的产生可以远程控制，结构可以拆分，主要耗材是可维修的靶片、离子源，寿命基本不受限制。
-
公开(公告)号：CN103245680A
公开(公告)日：2013-08-14
申请号：CN201310166449.0
申请日：2013-05-08
申请人： 中国原子能科学研究院
IPC分类号： G01N23/05
摘要： 本发明涉及快中子成像技术，具体涉及一种基于飞行时间法的快中子成像方法及系统。该方法采用多块闪烁体单元组成闪烁体阵列，使闪烁体阵列与位置灵敏探测器进行耦合，将耦合后的整个探测器阵列设置在距离中子源较远位置，将样品设置在距离中子源较近位置，利用中子飞行时间方法进行测量，再利用符合方法剔除干扰因素得到每个闪烁体单元探测器上的有效计数，将各闪烁体单元探测器上的有效计数按阵列排列后得到是只有源中子起作用的二维图像。本发明采用探测器阵列的设计方式，提高了探测效率；飞行时间法测量方式可以有效地去除样品散射中子、环境漫散射本底和γ本底，提高了信噪比。
-
公开(公告)号：CN118242452A
公开(公告)日：2024-06-25
申请号：CN202410284731.7
申请日：2024-03-13
申请人： 中国原子能科学研究院
摘要： 本发明涉及一种超薄真空闸板阀，用于控制两个真空腔室之间的连通和隔离，包括法兰、压盖、活动丝杆以及阻隔板；在法兰上设置胶囊形限位凹槽以容纳阻隔板，在胶囊形限位凹槽上部设置压盖，压盖设置于胶囊形限位槽的最左侧，压盖的形状与阻隔板的形状相匹配，阻隔板与活动丝杆进行连接；活动丝杆在螺栓结构的运动下，带动阻隔板在胶囊形限位槽内沿轴线运动，进而达到两侧真空腔室连通与隔离状态。本发明中公开的真空闸板阀，通过两端真空腔室挤压安装在不同接口，可提高真空阀适用性，采用胶囊形限位凹槽结构，能够显著缩小真空阀的内部挡板活动空间和径向尺寸，从而使得真空阀更加紧凑，同时保证了真空阀的密封性能，增强真空阀的可靠性和普适性。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
搜索结果
43 条记录 (耗时 0.039 秒)
