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公开(公告)号：CN112530855A
公开(公告)日：2021-03-19
申请号：CN202011412909.X
申请日：2020-12-04
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: H01L21/762 , H01L27/12
Abstract: 本发明提供一种复合异质集成半导体结构、半导体器件及制备方法，可集成具有不同功能、不同特性的材料层，实现复合异质集成，且根据不同材料层所具有的特点，从而可发挥各材料层的不同优势，以获得高质量、高性能的半导体器件；进一步的，半导体单晶晶片可以回收循环利用，从而可大大降低成本。
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公开(公告)号：CN111850692A
公开(公告)日：2020-10-30
申请号：CN202010645070.8
申请日：2020-07-07
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明公开了一种铌酸锂自支撑薄膜的制备方法，包括：获取具有抛光面的铌酸锂单晶晶片；获取高阻衬底，并在所述高阻衬底上沉积一层介电层；在所述介电层的表面刻蚀沟槽；将所述铌酸锂单晶晶片的所述抛光面与所述介电层具有所述沟槽的表面键合形成第一复合结构；对所述第一复合结构进行减薄处理后得到第二复合结构；对所述第二复合结构进行表面处理后得到第三复合结构；将所述第三复合结构放入处理液中进行腐蚀，得到所述铌酸锂自支撑薄膜。通过上述方法得到的铌酸锂自支撑薄膜与铌酸锂单晶晶片的质量一样，从而解决了现有技术中制备铌酸锂薄膜时由于离子束作用而造成的薄膜缺陷问题。
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公开(公告)号：CN111312852A
公开(公告)日：2020-06-19
申请号：CN201911174467.7
申请日：2019-11-26
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: H01L31/18 , H01L31/0352 , H01L31/10
Abstract: 本发明提供一种氧化镓半导体结构、日盲光电探测器及制备方法，通过将氧化镓单晶晶片与绝缘体上硅中的顶层硅进行键合，可成功转移氧化镓薄膜，键合技术成熟，且通过将绝缘体上硅中的顶层硅氧化，能够有效解决漏电问题，可制备高质量、防漏电的氧化镓半导体结构，提高基于氧化镓半导体结构制备的器件性能，重要的是将氧化镓薄膜转移到硅衬底上，使得器件不仅能与CMOS工艺兼容，而且可以实现量产，对于基于氧化镓薄膜制备的日盲光电探测器的快速发展意义重大。
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公开(公告)号：CN111223782A
公开(公告)日：2020-06-02
申请号：CN201911174463.9
申请日：2019-11-26
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明提供一种氧化镓半导体结构、垂直型氧化镓基功率器件及制备方法，通过键合和减薄，将非故意掺杂的氧化镓层转移到高掺杂、高导热的异质衬底上，通过对氧化镓层的表面处理及离子注入，可获得重掺氧化镓层，制备包括依次叠置异质衬底、氧化镓层及重掺氧化镓层的氧化镓半导体结构；在基于氧化镓半导体结构制备的垂直型氧化镓基功率器件中，由于中间层为较厚的氧化镓层，且相较于重掺氧化镓层，载流子浓度较低，设计上增加了器件的击穿电压，且由于高导热的异质衬底可提高器件的散热能力，其次器件多Fin的结构可提供大电流，对未来垂直型氧化镓基高功率器件的发展有极其重要的意义。
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公开(公告)号：CN119947209A
公开(公告)日：2025-05-06
申请号：CN202411965526.3
申请日：2024-12-30
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本申请提供了一种氧化镓功率器件及其制备方法，该制备方法通过将氧化镓衬底与器件衬底进行键合处理、退火处理之后，实现了氧化镓和器件衬底的异质集成，从而可以提升氧化镓功率器件的散热能力，之后通过对氧化镓异质结构进行开槽处理，显露部分器件衬底的表面，形成沟道结构，可以控制器件的开关，并可实现天然的增强型功率器件，提升氧化镓器件在模块和电路中的安全性；之后在沟道结构和氧化镓衬底上制备场板结构，能够提高器件的击穿电压、抑制电流崩塌、改善期间性能以及优化电场分布，从而基于异质集成得到了一种增强型、高导热的氧化镓功率器件。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN119381252A
公开(公告)日：2025-01-28
申请号：CN202411509689.0
申请日：2024-10-28
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: H01L21/265 , H01L21/02 , H01L21/223 , H01L21/306 , H10D84/03
Abstract: 本发明提供了一种阵列化的碳基半导体薄膜材料及其制备方法，首先将经离子注入的半导体晶圆和表面具有牺牲层的支撑衬底，沿牺牲层进行键合，随后对半导体薄膜层进行刻蚀处理，以使半导体薄膜层形成阵列化图案，得到阵列化的半导体薄膜层，以及通过刻蚀处理去除牺牲层，得到包含阵列化的半导体薄膜层和支撑衬底的半导体异质材料，再通过转印技术将阵列化的半导体薄膜层，从支撑衬底上转移至目标碳基衬底上，得到阵列化的碳基半导体薄膜材料。通过该方法可实现半导体与具有优良性能的碳基材料的异质集成，进一步释放半导体半导体材料在功率、射频等领域的应用潜力。
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公开(公告)号：CN117577518B
公开(公告)日：2024-08-16
申请号：CN202311555216.X
申请日：2023-11-20
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: H01L21/02 , H01L23/373
Abstract: 本发明提供一种金刚石基氧化镓半导体结构及其制备方法，在金刚石衬底上制备碳化硅层，形成金刚石‑碳化硅复合结构，并将碳化硅层作为中间层，用于与氧化镓材料的异质集成，形成金刚石‑碳化硅‑氧化镓复合结构，从而可提供散热性能良好、易键合且键合强度高，可批量化生产的金刚石基氧化镓半导体结构。
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公开(公告)号：CN112530855B
公开(公告)日：2024-04-12
申请号：CN202011412909.X
申请日：2020-12-04
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: H01L21/762 , H01L27/12
Abstract: 本发明提供一种复合异质集成半导体结构、半导体器件及制备方法，可集成具有不同功能、不同特性的材料层，实现复合异质集成，且根据不同材料层所具有的特点，从而可发挥各材料层的不同优势，以获得高质量、高性能的半导体器件；进一步的，半导体单晶晶片可以回收循环利用，从而可大大降低成本。
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公开(公告)号：CN115831877B
公开(公告)日：2023-09-05
申请号：CN202211599584.X
申请日：2022-12-12
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: H01L21/8256 , H01L27/088 , H01L23/373
Abstract: 本发明提供一种基于异质集成的氧化镓cascade结构及制备方法，通过异质集成的方法将无法实现P型掺杂的氧化镓半导体材料与增强型器件相集成制备cascade结构，并且cascade结构是制备在兼具有高散热能力的衬底上，基于此可制备增强型级联功率器件、且可实现高导热，从而解决氧化镓无法制备常关器件和散热的问题。
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公开(公告)号：CN116666201A
公开(公告)日：2023-08-29
申请号：CN202310684473.7
申请日：2023-06-09
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: H01L21/18 , H01L21/34 , H01L29/165 , H01L21/263 , H01L21/423
Abstract: 本发明涉及半导体技术领域，特别涉及一种异质集成体及其制备方法，该方法包括：提供第一晶圆和第二晶圆，第一晶圆包括第一面，第二晶圆包括第二面；对第一面和第二面进行激活处理，分别得到第一激活面和第二激活面；向第一激活面和第二激活面提供水蒸气或含有羟基的气态物质，以在第一激活面上形成亲水性基团，在第二激活面上形成亲水性基团；对第一晶圆与第二晶圆进行脱水键合处理，得到异质集成体，本发明能够显著减少异质材料界面的缺陷，形成高质量的异质界面，进而可提高利用上述异质集成体制备的异质集成器件的性能。
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