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公开(公告)号：CN1681135A
公开(公告)日：2005-10-12
申请号：CN200410033587.2
申请日：2004-04-07
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: H01L31/108 , H01L31/18 , G01J1/02
CPC classification number: Y02P70/521
Abstract: 一种氮化镓基肖特基势垒高度增强型紫外探测器，其中包括：一衬底；一高N型掺杂浓度层，该欧姆接触层制作在衬底上；一有源层，该有源层制作在高N型掺杂浓度层的上面，该有源层的面积小于欧姆接触层；一肖特基势垒高度增强层，该肖特基势垒高度增强层制作在有源层上；一N型肖特基接触电极，该肖特基电极制作在肖特基势垒高度增强层上；一N型欧姆接触电极，该N型欧姆接触电极制作在高N型掺杂浓度层上。
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公开(公告)号：CN1525577A
公开(公告)日：2004-09-01
申请号：CN03106434.5
申请日：2003-02-25
Applicant: 中国科学院半导体研究所
Abstract: 一种氮化镓基发光二极管N型层欧姆接触电极的制作方法，包括如下步骤：1)在蓝宝石衬底上的氮化镓基发光二极管的外延结构上用干法刻蚀或湿法腐蚀的方法在设计的管芯的N电极区域刻蚀出直径或边长小于50μm的圆型或方形或任意形状的刻蚀孔，直到N型接触层；2)在P型氮化镓层上制备一层P型透明电极；3)在样品上蒸镀二氧化硅或氮化硅等绝缘膜；4)用光刻和腐蚀的方法将刻蚀或腐蚀出的N型层上的绝缘膜腐蚀掉，露出N型层，保留刻蚀孔侧墙面及台面上直径或边长约为100μm大小的绝缘膜；5)最后用光刻和蒸发或溅射的方法制备N电极，形成氮化镓基发光二极管的N型层欧姆接触接触电极。
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公开(公告)号：CN103956653A
公开(公告)日：2014-07-30
申请号：CN201410204718.2
申请日：2014-05-15
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: H01S5/06
Abstract: 一种减小GaN基蓝紫光端发射激光器中电子泄漏的方法，包括以下步骤：步骤1：在一蓝宝石衬底上依序制作低温成核层、n型接触和电流扩展层、n型AlGaN限制层、n型GaN波导层、InGaN/GaN量子阱有源区、InGaN插入层、AlGaN电子阻挡层、p型GaN波导层、p型AlGaN限制层和p型GaN接触层；步骤2：采用光刻的方法，在p型GaN接触层上面的一侧向下刻蚀，刻蚀深度到达n型接触和电流扩展层，使n型接触和电流扩展层的表面形成一台面；步骤3：在n型接触和电流扩展层表面形成的台面上制作n型电极；步骤4：在p型GaN接触层的上表面制作一p型电极，完成制备。本发明可以提高电子跃过AlGaN电子阻挡层的有效势垒高度，从而减小电子泄漏，提高GaN基蓝紫光激光器性能。
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公开(公告)号：CN103077964A
公开(公告)日：2013-05-01
申请号：CN201310020078.5
申请日：2013-01-18
Applicant: 中国科学院半导体研究所
Abstract: 本发明公开了一种改进p-GaN薄膜欧姆接触的材料结构及其制备方法，该材料结构包括：衬底(1)；生长在该衬底(1)上的缓冲层(2)；生长在该缓冲层(2)上的n-GaN薄膜层(3)；生长在该n-GaN薄膜层(3)上的p-GaN薄膜层(4)；以及生长在该p-GaN薄膜层(4)上的重掺杂p-GaN薄膜层(5)。本发明是在p-GaN薄膜与金属之间插入一层很薄的具有大量缺陷的重掺杂p-GaN层，通过低温生长或者离子注入等方法使得重掺杂p-GaN层内拥有大量的缺陷能级，使得载流子可以通过变程跳跃或者缺陷能级辅助完成载流子输运，进而可以降低其与接触金属的比接触电阻率，改善p-GaN薄膜的欧姆接触性能。
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公开(公告)号：CN101267088A
公开(公告)日：2008-09-17
申请号：CN200710064385.8
申请日：2007-03-14
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: H01S5/024
Abstract: 一种氮化镓基激光器倒装用热沉的制作方法，其特征在于，该方法包括如下步骤：步骤1：取一绝缘衬底；步骤2：在该绝缘衬底上的一侧利用化学腐蚀或干法刻蚀的方法将部分区域刻蚀到一深度形成台面结构；步骤3：用光刻的方法在该绝缘衬底上和形成的台面结构上形成激光器倒装用的电极图形，并用蒸发的方法及剥离技术在电极图形区域形成金属层；步骤4：在金属层的区域接着蒸镀金属焊料层，这层金属焊料层不是完全覆盖下面的金属层，而是留出部分区域用于激光器管芯倒装后电极引线的连接；步骤5：将样片分割成单个氮化镓基激光器倒装用的热沉。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101178304A
公开(公告)日：2008-05-14
申请号：CN200610114405.3
申请日：2006-11-09
Applicant: 中国科学院半导体研究所
Abstract: 本发明公开了一种测量小光斑尺寸的方法，采用半导体光伏探测器，根据半导体光伏探测器光电流大小与入射光强度成正比的原理，通过改变入射光在半导体光探测器边缘处移动时所导致半导体光探测器的电流响应度的变化，测量出入射光斑的尺寸大小。利用本发明，能够测量出入射光斑的尺寸大小，并且简单、可行，对于实验室相关的光学测量具有很好的实用价值。
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公开(公告)号：CN100367518C
公开(公告)日：2008-02-06
申请号：CN200410033586.8
申请日：2004-04-07
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: H01L31/108 , H01L31/18
CPC classification number: Y02P70/521
Abstract: 一种氮化镓基肖特基结构紫外探测器，其特征在于，其中包括：一衬底；一欧姆接触层，该欧姆接触层制作在衬底上；一有源层，该有源层制作在欧姆接触层的上面，该有源层的面积小于欧姆接触层；一覆盖层，该覆盖层制作在有源层上；一欧姆电极，该欧姆电极制作在欧姆接触层上；一肖特基电极，该肖特基电极制作在覆盖层上。
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公开(公告)号：CN1307729C
公开(公告)日：2007-03-28
申请号：CN03120597.6
申请日：2003-03-14
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: H01L33/00
Abstract: 本发明一种氮化镓基发光二极管管芯的制作方法，该方法适用于碳化硅衬底、硅衬底和砷化镓衬底上外延的氮化镓基发光二极管结构的管芯的制作，包括如下步骤：1)在碳化硅衬底上用金属化学气相沉积(MOCVD)技术分别生长N型氮化镓层、有源区和P型氮化镓层；2)在P型GaN层上制备P型欧姆接触接触电极；3)将衬底从背面用研磨的方法或离子减薄技术将其减薄到70μm到150μm之间；4)在减薄的面上用光刻和蒸发或溅射的方法制备N电极；5)最后用切割法或划片法沿设计好的管芯的分割道分割成单管芯。
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公开(公告)号：CN1770575A
公开(公告)日：2006-05-10
申请号：CN200410088729.5
申请日：2004-11-01
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: H01S5/00
Abstract: 一种利用倒装焊技术制作氮化镓基激光器管芯的方法，包括：在衬底上依次外延生长电极接触层，光限制层，波导层，发光有源区，波导层，光限制层和电极接触层；刻蚀电极接触层，制备P型欧姆接触电极；将衬底减薄；将激光器管芯分割；利用倒装焊技术将分割好的氮化镓基激光器管芯的P型欧姆接触电极层和支撑体上与管芯P电极大小相对应的金属焊料层以及管芯的N型欧姆接触电极层和支撑体上与管芯N电极大小相对应的金属焊料层焊接在一起；在管芯P电极的相应位置，从支撑体的背面开孔直到二氧化硅或氮化硅等绝缘隔离层，形成P型电极引出孔；在开孔后的支撑体的背面蒸镀金属层，引出管芯的P型电极，形成一个倒装的氮化镓基激光器的管芯。
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公开(公告)号：CN1209793C
公开(公告)日：2005-07-06
申请号：CN02145890.1
申请日：2002-10-16
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: H01L21/20 , H01L21/205
Abstract: 本发明提出了一种氮化镓及其化合物半导体的横向外延生长方法，先在衬底蓝宝石(0001)或硅(111)或碳化硅(0001)晶面上采用金属有机物化学气相沉积或分子束外延或氢化物气相外延生长一层本征氮化硅，随后其上沉积一层氮化硅或二氧化硅或氮氧化硅作为掩模区，利用光刻和湿法刻蚀或干法刻蚀技术在掩模区上刻出图形，掩模区的图形设计成相邻窗口边沿氮化镓的(10-10)晶向，夹角为60度或120度的三角形或平行四边形或菱形或六角形或以上图形的组合图形结构，最后再采用金属有机物化学气相沉积或分子束外延或氢化物气相外延进行氮化镓及其化合物的二次外延生长，即横向外延。
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