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公开(公告)号：CN103956653B
公开(公告)日：2017-04-05
申请号：CN201410204718.2
申请日：2014-05-15
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: H01S5/06
Abstract: 一种减小GaN基蓝紫光端发射激光器中电子泄漏的方法，包括以下步骤：步骤1：在一蓝宝石衬底上依序制作低温成核层、n型接触和电流扩展层、n型AlGaN限制层、n型GaN波导层、InGaN/GaN量子阱有源区、InGaN插入层、AlGaN电子阻挡层、p型GaN波导层、p型AlGaN限制层和p型GaN接触层；步骤2：采用光刻的方法，在p型GaN接触层上面的一侧向下刻蚀，刻蚀深度到达n型接触和电流扩展层，使n型接触和电流扩展层的表面形成一台面；步骤3：在n型接触和电流扩展层表面形成的台面上制作n型电极；步骤4：在p型GaN接触层的上表面制作一p型电极，完成制备。本发明可以提高电子跃过AlGaN电子阻挡层的有效势垒高度，从而减小电子泄漏，提高GaN基蓝紫光激光器性能。
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公开(公告)号：CN104393088A
公开(公告)日：2015-03-04
申请号：CN201410592387.4
申请日：2014-10-29
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: H01L31/0725 , H01L31/0735 , H01L31/0352 , H01L31/0304
CPC classification number: Y02E10/544 , Y02P70/521 , H01L31/0725 , H01L31/03044 , H01L31/035209 , H01L31/0735
Abstract: 一种InGaN/AlInGaN多量子阱太阳能电池结构，包括：一衬底；在衬底上依序制作有低温成核层、非故意掺杂缓冲层、n型掺杂GaN层、非掺杂InGaN/AlInGaN多量子阱层、P型掺杂氮化镓层，该n型掺杂GaN层上面的一侧有一台面，该台面上制作一N型欧姆电极，一P型欧姆电极，其制作在P型接触层上。本发明可以增加多量子阱太阳能电池吸收层的总电场，提高载流子的分离效率，从而提高太阳能电池的转换效率。
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公开(公告)号：CN103578986A
公开(公告)日：2014-02-12
申请号：CN201310566981.1
申请日：2013-11-14
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: H01L21/335 , H01L21/205
CPC classification number: H01L29/66462 , H01L21/2056
Abstract: 本发明公开了一种高阻GaN薄膜及其制作方法。该高阻GaN薄膜包括：衬底；GaN低温成核层，其制作在衬底上；GaN高阻层，其制作在GaN低温成核层上。该高阻GaN薄膜利用MOCVD设备，并用三甲基镓和氨气作为镓源和氮源，以氢气为载气进行生长，所述GaN低温成核层的生长温度为550℃，反应室压强为200Torr，厚度为0.2～0.3μm；GaN高阻层的生长温度为1040℃，反应室压强为50Torr，厚度为2μm。本发明提出的上述高阻GaN薄膜是通过控制材料生长时的反应室压强，控制反应前驱物TMGa中碳原子的并入，从而在不单独添加碳源的情况下引入碳杂质得到受主能级，使背景载流子浓度得到补偿。
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公开(公告)号：CN103887326A
公开(公告)日：2014-06-25
申请号：CN201410089597.1
申请日：2014-03-07
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: H01L29/06 , H01L29/778 , H01L21/205 , H01L21/335
CPC classification number: C30B25/14 , C30B25/20 , C30B29/406 , H01L21/0242 , H01L21/0254 , H01L21/0262
Abstract: 一种高阻低位错GaN薄膜，包括：一衬底；一GaN低温成核层，其制作在衬底上；一GaN合并层，其制作在GaN低温成核层上；一GaN高阻层，其制作在GaN合并层上。本发明是通过控制反应室压强，实现非故意可控碳掺杂，从而达到既补偿背景载流子，提高材料电阻率的目的。通过控制生长初期的氨气流量，引入合并层，延长晶体三维生长到二维生长的过度时间，从而达到在保证材料高电阻率的前提下降低外延膜的位错密度，提高晶体质量的目的。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN104393088B
公开(公告)日：2016-08-17
申请号：CN201410592387.4
申请日：2014-10-29
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: H01L31/0725 , H01L31/0735 , H01L31/0352 , H01L31/0304
CPC classification number: Y02E10/544 , Y02P70/521
Abstract: 一种InGaN/AlInGaN多量子阱太阳能电池结构，包括：一衬底；在衬底上依序制作有低温成核层、非故意掺杂缓冲层、n型掺杂GaN层、非掺杂InGaN/AlInGaN多量子阱层、P型掺杂氮化镓层，该n型掺杂GaN层上面的一侧有一台面，该台面上制作一N型欧姆电极，一P型欧姆电极，其制作在P型接触层上。本发明可以增加多量子阱太阳能电池吸收层的总电场，提高载流子的分离效率，从而提高太阳能电池的转换效率。
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公开(公告)号：CN104332545A
公开(公告)日：2015-02-04
申请号：CN201410443191.9
申请日：2014-09-02
Applicant: 中国科学院半导体研究所
CPC classification number: H01L33/32 , H01L33/005 , H01L2933/0008 , H01S5/34333 , H01S5/34353
Abstract: 本发明公开了一种低电阻率P型铝镓氮材料及其制备方法，该制备方法包括：对衬底升温，在氢气环境下热处理，去除衬底表面的杂质；在衬底上生长低温成核层，为后续生长材料提供成核中心；在低温成核层上生长一层非故意掺杂模板层；在非故意掺杂模板层上低温外延生长一层低碳杂质浓度的P型铝镓氮层；在氮气环境下，高温退火使P型铝镓氮层中受主激活，得到低电阻率P型铝镓氮材料。利用本发明，通过更改生长条件，降低低温生长的P型铝镓氮材料中非故意掺杂的碳杂质的浓度，从而减轻了受主补偿作用，达到降低P型铝镓氮材料电阻率的目的。
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公开(公告)号：CN103956653A
公开(公告)日：2014-07-30
申请号：CN201410204718.2
申请日：2014-05-15
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: H01S5/06
Abstract: 一种减小GaN基蓝紫光端发射激光器中电子泄漏的方法，包括以下步骤：步骤1：在一蓝宝石衬底上依序制作低温成核层、n型接触和电流扩展层、n型AlGaN限制层、n型GaN波导层、InGaN/GaN量子阱有源区、InGaN插入层、AlGaN电子阻挡层、p型GaN波导层、p型AlGaN限制层和p型GaN接触层；步骤2：采用光刻的方法，在p型GaN接触层上面的一侧向下刻蚀，刻蚀深度到达n型接触和电流扩展层，使n型接触和电流扩展层的表面形成一台面；步骤3：在n型接触和电流扩展层表面形成的台面上制作n型电极；步骤4：在p型GaN接触层的上表面制作一p型电极，完成制备。本发明可以提高电子跃过AlGaN电子阻挡层的有效势垒高度，从而减小电子泄漏，提高GaN基蓝紫光激光器性能。
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公开(公告)号：CN103094378A
公开(公告)日：2013-05-08
申请号：CN201310031285.0
申请日：2013-01-28
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: H01L31/0352 , H01L31/0304 , H01L31/06
CPC classification number: Y02E10/50
Abstract: 一种含有变In组分InGaN/GaN多层量子阱结构的太阳能电池，包括：一衬底；在衬底上依序制作有低温氮化镓成核层、非故意掺杂氮化镓缓冲层、n型掺杂GaN层、第一非掺杂高In组分量子阱层、第二非掺杂低In组分量子阱层、非掺杂低In组分量子阱层、P型掺杂氮化镓层，该n型掺杂GaN层上面的一侧有一台面，该台面上制作一N型欧姆电极，一P型欧姆电极，其制作在P型接触层上。本发明可以有效的利用不同波段的太阳光，提高太阳能电池的转换效率。
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公开(公告)号：CN103094378B
公开(公告)日：2016-09-14
申请号：CN201310031285.0
申请日：2013-01-28
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: H01L31/0352 , H01L31/0304 , H01L31/065
CPC classification number: Y02E10/50
Abstract: 一种含有变In组分InGaN/GaN多层量子阱结构的背入射太阳能电池，包括：一衬底；在衬底上依序制作有低温氮化镓成核层、非故意掺杂氮化镓缓冲层、n型掺杂GaN层、第一非掺杂高In组分量子阱层、第二非掺杂低In组分量子阱层、非掺杂低In组分量子阱层和P型掺杂氮化镓层，该n型掺杂GaN层上面的一侧有一台面，该台面上制作一N型欧姆电极，一P型欧姆电极，其制作在P型掺杂氮化镓层上。本发明可以有效的利用不同波段的太阳光，提高太阳能电池的转换效率。
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