公开(公告)号：CN107742604B

公开(公告)日：2019-10-29

申请号：CN201710976639.7

申请日：2017-10-19

Applicant: 中国科学院电工研究所

Inventor： 王光红 ,  王文静 ,  赵雷 ,  莫丽玢 ,  刁宏伟

IPC: H01L21/02

Abstract: 一种具有室温铁磁性氢铪共掺杂氧化铟薄膜的制备方法，采用直流磁控溅射法。以二氧化铪(HfO2)掺杂量为1.5～10wt.％的In2O3陶瓷靶为靶材，单晶硅作为衬底，纯度99.99％以上的高纯氩气(Ar)作为溅射气体，溅射过程中通入氢气(H2)作为掺杂源沉积，得到不同磁化特征的氢铪共掺杂氧化铟薄膜。

公开(公告)号：CN108183137A

公开(公告)日：2018-06-19

申请号：CN201711455501.9

申请日：2017-12-28

Applicant: 中国科学院电工研究所

Inventor： 王光红 ,  王文静 ,  赵雷 ,  刁宏伟

IPC: H01L31/0216 ,  H01L31/18

Abstract: 一种用于晶硅异质结太阳电池的复合导电减反膜，由一层折射率为1.8～2.1的常规氢铪共掺氧化铟薄膜及一层折射率为1.4～1.6的纳米柱氢铪共掺氧化铟薄膜组成。常规氢铪共掺氧化铟薄膜沉积在太阳电池迎光面的掺杂层上，纳米柱氢铪共掺氧化铟薄膜沉积在常规氢铪共掺氧化铟薄膜上。采用 的速率射频磁控溅射沉积常规氢铪共掺氧化铟薄膜，基片与溅射靶材表面平行，薄膜厚度70～90nm。采用 的速率射频磁控溅射沉积纳米柱氢铪共掺氧化铟薄膜，基片与溅射靶材表面成一定角度，薄膜厚度10～30nm。典型的未经热处理的复合导电减反膜电阻率4.3×10-4Ωcm，载流子浓度3.9×1020cm-3，迁移率56.5cm2V-1s-1，在500-1100nm波长范围内的加权平均反射率3.53％。本发明制备的复合薄膜起到电池导电电极及减少光反射的作用。

公开(公告)号：CN104869740B

公开(公告)日：2017-11-28

申请号：CN201510257140.1

申请日：2015-05-20

Applicant: 中国科学院电工研究所

Inventor： 刁宏伟 ,  王文静 ,  赵雷 ,  周春兰 ,  王光红

IPC: H05H1/20

Abstract: 一种电容式等离子体电极的上电极，为轴对称结构，分为上盖及直筒(25)两部分，上盖及直筒(25)焊接为一体。上盖包括两个直径不同金属直筒、两个内外径不同金属圆环及第一绝缘环(7)。上盖中，小直径金属直筒(41)、小内径金属圆环(42)、大直径金属圆筒(51)、大内径金属圆环(52)、第一绝缘环(7)依次上下同轴布置。第一绝缘环(7)固定在大内径金属圆环(52)的底面。在大内径金属圆环(52)与大直径金属直筒(51)焊接的一面，布置有一对管式加热器电源接入端(24)。直筒(25)外壁的下部布置有冷却液进口(23)，上部有冷却液出口(22)，冷却液通过冷却液进口(23)及冷却液出口(22)与外部循环装置连接。

公开(公告)号：CN102254799B

公开(公告)日：2013-03-27

申请号：CN201110240066.4

申请日：2011-08-19

Applicant: 中国科学院电工研究所

Inventor： 刁宏伟 ,  王文静 ,  赵蕾 ,  周春兰 ,  李海玲 ,  陈静伟 ,  闫宝军

IPC: H01L21/203 ,  H01L31/18

CPC classification number: Y02P70/521

Abstract: 一种太阳电池AZO减反射膜制备方法，其工艺步骤如下：①将基片装载在射频磁控溅射设备的小车上；②抽真空，使射频磁控溅射设备腔体真空度达到1x10-4Pa；③开启加热电源，给基片加热，加热温度范围为150～200℃；④当基片达到所需温度后，通入Ar和H2混合气体，Ar：H2质量流量比为60:1～100:1；⑤开启射频电源，并调整电源功率密度至0.5W/cm2~1.5W/cm2；⑥将射频磁控溅射设备腔体压强调到0.3~0.35Pa；⑦使小车开始行走；控制制备时间为35～40分钟；然后关闭射频电源、气体和加热电源，并排除残余气体。本发明所制备的AZO减反膜具有金字塔形貌，平均电阻率为1.7x10-4Ω·cm；在可见光范围内AZO减反膜平均透过率大于90％；AZO减反膜绒度为9.1%～12.2%；AZO减反膜表面粗糙度小于25nm。

公开(公告)号：CN102260852A

公开(公告)日：2011-11-30

申请号：CN201110159359.X

申请日：2011-06-14

Applicant: 中国科学院电工研究所

Inventor： 刁宏伟 ,  鲁伟明 ,  王文静 ,  赵雷 ,  周春兰 ,  李海玲

IPC: C23C14/35 ,  C23C14/06 ,  H01L31/0216

Abstract: 一种织绒结构AZO膜制备方法，包括以下工艺步骤：第一步，将清洗干净的基片装入射频磁控溅射设备的小车上，开启真空抽气阀抽真空；第二步，当真空度达到1X10-4Pa时，开始给基片加热，加热温度为室温～300℃；达到制备工艺所需温度后，通入所需的Ar和H2混合气体；第三步，当磁控溅射设备内H2、Ar混合气体压力达到大于5X101Pa时，开启射频电源，启辉后，调整压力至所需要求；开启小车电源，使装有基片的小车开始行走，当小车到达溅射靶对应位置时开始计时；第四步，达到制备时间后，关闭射频电源，关闭气体，将抽气阀开至最大，使小车返回并停止在装样片时的位置上，完成制备过程。

公开(公告)号：CN101197399B

公开(公告)日：2011-02-09

申请号：CN200710304230.7

申请日：2007-12-26

Applicant: 中国科学院电工研究所

Inventor： 赵雷 ,  王文静 ,  刁宏伟

IPC: H01L31/072 ,  H01L31/075 ,  H01L31/06 ,  H01L31/036

CPC classification number: Y02E10/50

Abstract: 一种薄膜硅/晶体硅背结太阳能电池，包括p型硅衬底(1)，在p型硅衬底(1)背光面上的n型掺杂薄膜硅层(2)，在n型掺杂薄膜硅层(2)上的背电极(3)，以及在p型硅衬底(1)迎光面上的前透明导电电极(4)。在p型硅衬底(1)和n型掺杂薄膜硅层(2)之间可加入第一种本征薄膜硅层(5)；亦可在p型硅衬底(1)和前透明导电电极(4)之间加入第二种本征薄膜硅层(6)和/或p型掺杂薄膜硅层(7)；在前透明导电电极(4)上还可以有金属栅线(8)。

公开(公告)号：CN100519835C

公开(公告)日：2009-07-29

申请号：CN200710176718.6

申请日：2007-11-01

Applicant: 中国科学院电工研究所

Inventor： 刁宏伟 ,  王文静 ,  廖显伯 ,  赵雷

IPC: C23C16/50 ,  C23C16/30 ,  C23C16/52

Abstract: 一种生长硅基薄膜及高效硅基薄膜太阳能电池的PECVD设备，包括沉积腔体、气路控制系统、电控系统、真空机组。沉积腔体由位于沉积腔体中间位置的生长腔体(1)和位于生长腔体(1)两侧的进出片室(2)构成。进出片室(2)装有手动开、闭的活动门。进出室(2)配有多片样片自动装卸架。生长腔体(1)内装有四组沉积用平行板电容式电极，每组平行板电容式电极由上下两个对称布置的电极板组成，每组平行板电容式电极之间设有垂直安装的挡板。真空机组由机械泵(3)、冷凝过滤器(4)、废气处理装置(5)组成。电控系统的PLC控制器控制硅基薄膜及硅基薄膜太阳能电池生长过程。本发明制备的硅基薄膜不均匀性＜3%(采用红外透射谱方法测试并计算)，硅基薄膜太阳能电池转换效率＞9%(测试光源：AM1.5；1000W/M2)。

公开(公告)号：CN101220468A

公开(公告)日：2008-07-16

申请号：CN200710176718.6

申请日：2007-11-01

Applicant: 中国科学院电工研究所

Inventor： 刁宏伟 ,  王文静 ,  廖显伯 ,  赵雷

IPC: C23C16/50 ,  C23C16/30 ,  C23C16/52

Abstract: 一种生长硅基薄膜及高效硅基薄膜太阳能电池的PECVD设备，包括沉积腔体、气路控制系统、电控系统、真空机组。沉积腔体由位于沉积腔体中间位置的生长腔体(1)和位于生长腔体(1)两侧的进出片室(2)构成。进出片室(2)装有手动开、闭的活动门。进出室(2)配有多片样片自动装卸架。生长腔体(1)内装有四组沉积用平行板电容式电极，每组平行板电容式电极由上下两个对称布置的电极板组成，每组平行板电容式电极之间设有垂直安装的挡板。真空机组由机械泵(3)、冷凝过滤器(4)、废气处理装置(5)组成。电控系统的PLC控制器控制硅基薄膜及硅基薄膜太阳能电池生长过程。本发明制备的硅基薄膜不均匀性＜3％(采用红外透射谱方法测试并计算)，硅基薄膜太阳能电池转换效率＞9％(测试光源：AM1.5；1000W/M2)。

公开(公告)号：CN111969070B

公开(公告)日：2021-10-26

申请号：CN202010823142.3

申请日：2020-08-17

Applicant: 中国科学院电工研究所

Inventor： 王光红 ,  王文静 ,  赵雷 ,  刁宏伟 ,  莫丽玢

IPC: H01L31/0224 ,  H01L31/0216 ,  H01L31/18

Abstract: 本发明涉及太阳电池技术领域，尤其涉及一种太阳电池及其制备方法。本发明提供的太阳电池，包括依次设置的背电极层、第一透明导电膜层、第一金属氧化物层、第一本征非晶硅钝化层、n型制绒晶体硅衬底、第二本征非晶硅钝化层、第二金属氧化物层、第二透明导电膜层和上电极层；所述背电极层为功函数梯度设置的背电极层。本发明通过上述结构的设置可以使金属氧化物中少量的氧迁移到背电极，降低其与非晶硅中氢的反应几率，从而可以提高所述太阳电池的稳定性。

公开(公告)号：CN108183137B

公开(公告)日：2019-10-15

申请号：CN201711455501.9

申请日：2017-12-28

Applicant: 中国科学院电工研究所

Inventor： 王光红 ,  王文静 ,  赵雷 ,  刁宏伟

IPC: H01L31/0216 ,  H01L31/18

Abstract: 一种用于晶硅异质结太阳电池的复合导电减反膜，由一层折射率为1.8～2.1的常规氢铪共掺氧化铟薄膜及一层折射率为1.4～1.6的纳米柱氢铪共掺氧化铟薄膜组成。常规氢铪共掺氧化铟薄膜沉积在太阳电池迎光面的掺杂层上，纳米柱氢铪共掺氧化铟薄膜沉积在常规氢铪共掺氧化铟薄膜上。采用的速率射频磁控溅射沉积常规氢铪共掺氧化铟薄膜，基片与溅射靶材表面平行，薄膜厚度70～90nm。采用的速率射频磁控溅射沉积纳米柱氢铪共掺氧化铟薄膜，基片与溅射靶材表面成一定角度，薄膜厚度10～30nm。典型的未经热处理的复合导电减反膜电阻率4.3×10‑4Ωcm，载流子浓度3.9×1020cm‑3，迁移率56.5cm2V‑1s‑1，在500‑1100nm波长范围内的加权平均反射率3.53％。本发明制备的复合薄膜起到电池导电电极及减少光反射的作用。